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PDTD123TT,215

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 300mV@ 2.5mA,50mA NPN - Pre-Biased 250mW 5V 500nA 50V 500mA TO-236AB 贴片安装 3mm*1.4mm*1mm
供应商型号: AV-E-PDTD123TT,215
供应商: Avnet
标准整包数: 3000
NEXPERIA 三极管(BJT) PDTD123TT,215

PDTD123TT,215概述

    # PDTD123T 系列 NPN 500 mA 电阻式晶体管技术手册

    1. 产品简介


    1.1 基本描述
    PDTD123T 系列是属于 500 mA NPN 电阻式晶体管(RET)家族的产品。这些晶体管内置了偏置电阻器,适用于汽车和工业领域的数字应用。PDTD123T 系列晶体管提供 SOT346、SOT54 和 SOT23 封装形式,并且可以作为对应型号的 PNP 补充产品使用。
    1.2 主要特征
    - 内置偏置电阻器 R1 = 2.2 kΩ,R2 = 开路。
    - 500 mA 的输出电流能力。
    - 数字电路设计简化,降低组件数量,减少成本。
    - 适合作为 BC817 系列的成本节省替代品,特别适合数字应用。
    - 可用于控制 IC 输入和开关负载。
    1.3 应用领域
    - 汽车和工业领域的数字电路。
    - 控制 IC 输入。
    - 开关各种负载。
    1.4 快速参考数据
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VCEO | 集电极-发射极电压 | 基极开路 | - | - | 50 | V |
    | IO | 输出电流 | - | - | - | 500 | mA |

    2. 技术参数


    2.1 极限参数
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VCBO | 集电极-基极电压 | 发射极开路 | - | 50 | V |
    | VCEO | 集电极-发射极电压 | 基极开路 | - | 50 | V |
    | VEBO | 发射极-基极电压 | 集电极开路 | - | 5 | V |
    | VI | 输入电压 | 正极 | - | 12 | V |
    负极 | - | -5 | V |
    | IO | 输出电流 | - | - | 500 | mA |
    | Ptot | 总功率耗散 | Tamb ≤ 25°C | - | 250 | mW |
    2.2 热阻抗
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | Rth(j-a) | 结到环境热阻 | 自由空气中 | - | - | 500 | K/W |

    3. 产品特点和优势


    3.1 独特功能
    - 内置偏置电阻,简化电路设计。
    - 成本效益高,特别适合大批量生产。
    - 输出电流能力强,适合驱动多种负载。
    3.2 市场竞争力
    - 替代 BC817 系列,性价比更高。
    - 适用范围广,涵盖汽车和工业领域。

    4. 应用案例和使用建议


    4.1 实际应用案例
    PDTD123T 系列晶体管常用于以下场景:
    - 作为控制信号放大器,连接到 MCU 或微处理器。
    - 作为开关元件,控制高功率 LED 或电机。
    4.2 使用建议
    - 在高温环境下使用时,需注意散热措施,以避免超过极限温度。
    - 使用 SMD 封装时,确保焊接质量和 PCB 设计符合要求。

    5. 兼容性和支持


    5.1 兼容性
    PDTD123T 系列可与其他 SOT346、SOT54 和 SOT23 封装的晶体管互换使用,便于设计替换。
    5.2 支持信息
    如需技术支持,请联系当地销售办公室:salesaddresses@nxp.com

    6. 常见问题与解决方案


    6.1 问题 1:晶体管发热严重
    解决方案:增加散热片或调整电路布局,确保散热良好。
    6.2 问题 2:输出电流不足
    解决方案:检查电源电压是否稳定,确保电路设计合理。

    7. 总结和推荐


    7.1 综合评估
    PDTD123T 系列晶体管具有以下优点:
    - 高输出电流能力。
    - 成本效益高。
    - 广泛的应用场景。
    7.2 推荐结论
    强烈推荐使用 PDTD123T 系列晶体管,尤其在需要高性能和低成本的数字电路设计中。
    © NXP B.V. 2009. All rights reserved.

PDTD123TT,215参数

参数
集电极截止电流 500nA
最大集电极发射极饱和电压 300mV@ 2.5mA,50mA
VEBO-最大发射极基极电压 5V
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极电流 500mA
最大功率耗散 250mW
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
配置 独立式
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 300mV@ 2.5mA,50mA
长*宽*高 3mm*1.4mm*1mm
通用封装 TO-236AB
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

PDTD123TT,215厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

PDTD123TT,215数据手册

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NEXPERIA 三极管(BJT) NEXPERIA PDTD123TT,215 PDTD123TT,215数据手册

PDTD123TT,215封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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30000+ $ 0.0652 ¥ 0.5672
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