处理中...

首页  >  产品百科  >  JANTX2N4150S

JANTX2N4150S

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: MICROSEMI
产品描述: 2.5V@ 1A,10A NPN 10μA 70V 10A TO-205AD,TO-39 通孔安装
供应商型号: JANTX2N4150S
供应商: 云汉优选
标准整包数: 10
MICROSEMI 三极管(BJT) JANTX2N4150S

JANTX2N4150S概述

    NPN功率硅晶体管技术手册解析

    产品简介


    本手册介绍了Microsemi公司生产的NPN功率硅晶体管,型号分别为2N4150、2N5237、2N5238及其军用版本(如2N4150S、2N5237S、2N5238S)。这些晶体管广泛应用于电力控制、驱动电路、开关电源及射频放大器等领域。它们作为核心的功率转换组件,能够提供高效的电流放大和稳定的电压调节功能,满足工业和军事应用的严格要求。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 集电极-发射极电压:VCEO 70V至170V
    - 集电极-基极电压:VCBO 100V至200V
    - 发射极-基极电压:VEBO 10V
    - 集电极电流:IC 10A
    - 功耗:@ TA=+25°C时1.0W,@ TC=+25°C时15W
    - 工作和存储结温范围:Tj, Tstg -65°C至+200°C
    - 热阻抗:RθJC 10°C/W,RθJA 175°C/W
    - 电气特性
    - 关断特性:
    - 集电极-发射极击穿电压:V(BR)CEO 70V至170V
    - 集电极-发射极截止电流:ICEX 10μA
    - 发射极-基极截止电流:IEBO 10μA至0.1μA
    - 开通特性:
    - 增益:hFE 50至200
    - 集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) 0.6V至2.5V
    - 基极-发射极饱和电压:VBE(sat) 1.5V至25V
    - 动态特性
    - 输出电容:Cobo 350pF
    - 开关特性:
    - 延迟时间:td 50ns
    - 上升时间:tr 500ns
    - 存储时间:ts 1.5μs
    - 下降时间:tf 500ns

    产品特点和优势


    - 高可靠性:该系列晶体管已通过MIL-PRF-19500/394认证,适用于苛刻的工作环境。
    - 大电流承载能力:集电极电流高达10A,适用于需要大电流的应用场合。
    - 宽泛的工作温度范围:从-65°C到+200°C,适合极端温度条件下的应用。
    - 快速开关性能:具备优秀的开关特性,确保在高频应用中的高效性能。
    - 多型号选择:多种型号满足不同功率和封装需求,覆盖广泛的电流和电压等级。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 用于电源逆变器中的功率级驱动
    - 在射频放大器中作为功率放大管
    - 作为电机控制电路中的驱动元件
    - 使用建议:
    - 在设计高电流应用时,需注意热管理以避免过热问题。可通过增加散热片或使用更高效的散热材料来提高散热效果。
    - 考虑到动态特性的限制,在高频应用中需关注输出电容的影响,必要时可并联多个小容量电容以降低整体电容值。
    - 根据不同的应用需求选择合适的型号,以达到最佳性能和成本效益的平衡。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该系列产品具有多种封装形式(如TO-5和TO-39),方便用户根据具体需求进行选择。
    - 支持:Microsemi公司提供详尽的技术支持文档和售后服务,确保用户在使用过程中获得及时有效的帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下运行时,晶体管频繁出现故障。
    - 解决方案:确认散热系统的设计合理,并在设计时考虑增加散热片或采用更高效的散热材料。
    - 问题:高频应用中表现不稳定。
    - 解决方案:注意输出电容的影响,必要时并联多个小容量电容,降低总体电容值。
    - 问题:长时间工作后出现性能下降。
    - 解决方案:定期检查和更换老化部件,确保系统长期稳定运行。

    总结和推荐


    综上所述,Microsemi公司的这款NPN功率硅晶体管凭借其出色的电气性能、广泛的适用范围和优良的稳定性,成为电力控制、驱动电路和射频放大器等领域的理想选择。无论是工业应用还是军事需求,都能提供可靠、高效的性能保障。强烈推荐此款产品给需要高性能功率晶体管的用户。

JANTX2N4150S参数

参数
晶体管类型 NPN
配置 -
集电极截止电流 10μA
最大集电极发射极饱和电压 2.5V@ 1A,10A
VCBO-最大集电极基极电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 2.5V@ 1A,10A
最大功率耗散 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 70V
VEBO-最大发射极基极电压 -
集电极电流 10A
通用封装 TO-205AD,TO-39
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

JANTX2N4150S厂商介绍

Microsemi是一家全球领先的高性能模拟和混合信号半导体解决方案供应商,专注于为****和**、通信、数据中心和工业市场提供创新的解决方案。公司的产品线涵盖FPGA、ASIC、SoC、模拟、RF、功率管理和时钟管理等。

Microsemi的产品主要分为以下几类:
1. FPGA:提供高性能、低功耗的FPGA解决方案,广泛应用于通信、工业和汽车等领域。
2. ASIC/SoC:定制化的ASIC和SoC解决方案,满足客户在性能、功耗和成本方面的特定需求。
3. 模拟:包括电源管理、信号链和接口解决方案,广泛应用于通信、工业和汽车等领域。
4. RF:提供高性能的RF解决方案,包括射频收发器、功率放大器和滤波器等。
5. 时钟管理:提供高精度的时钟和同步解决方案,满足通信和数据中心等领域的需求。

Microsemi的优势在于其在高性能模拟和混合信号领域的深厚技术积累,以及对客户需求的深刻理解。公司致力于为客户提供高性能、低功耗和高可靠性的解决方案,以满足日益严苛的应用需求。

JANTX2N4150S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
MICROSEMI 三极管(BJT) MICROSEMI JANTX2N4150S JANTX2N4150S数据手册

JANTX2N4150S封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 154.9908
50+ ¥ 144.753
100+ ¥ 133.5321
库存: 271
起订量: 10 增量: 0
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 1549.9
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
1214-110V ¥ 2707.0919
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AUA ¥ 310.2704
2N2222AUA ¥ 200.5286
2N2222AUB ¥ 338.8957