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2N3637UB

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: PNP 1W 5V 10μA 175V 175V 1A 贴片安装
供应商型号: 2N3637UB
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) 2N3637UB

2N3637UB概述

    # 电子元器件技术手册:PNP硅开关晶体管

    产品简介


    Microsemi公司的2N3634至2N3637系列PNP硅开关晶体管是一种广泛应用于各种电子设备中的关键元器件。这些晶体管主要用作电流放大器和电压控制开关,在电信、航空航天、汽车电子和工业自动化等领域有着广泛应用。它们能够处理高电压和大电流,因此在需要稳定可靠性能的应用中尤为有用。

    技术参数


    以下是2N3634至2N3637系列晶体管的主要技术参数和性能指标:
    绝对最大额定值
    - 集电极-发射极电压(VCEO):2N3634, 2N3635为140V,2N3636, 2N3637为175V
    - 集电极-基极电压(VCBO):2N3634, 2N3635为140V,2N3636, 2N3637为175V
    - 发射极-基极电压(VEBO):5.0V
    - 集电极电流(IC):1.0A
    - 总功率耗散:2N3634L, 2N3635L为1.0W,2N3636L, 2N3637L为5.0W,2N3634, 2N3635为1.5W
    - 操作和存储结温范围(TJ, Tstg):-65°C至+200°C
    电气特性
    - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):2N3634, 2N3635为140V,2N3636, 2N3637为175V
    - 集电极-基极截止电流(ICBO):10μA
    - 发射极-基极截止电流(IEBO):50μA
    - 集电极-发射极截止电流(ICEO):10μA
    - 前向电流传输比(hFE):2N3634, 2N3636在不同电流下的hFE范围为25-150,2N3635, 2N3637为55-300
    - 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)):0.65-0.9V

    产品特点和优势


    2N3634至2N3637系列晶体管具备以下几个显著特点:
    - 高可靠性:这些晶体管通过MIL-PRF-19500/357标准认证,适用于恶劣环境。
    - 高功率处理能力:能够处理高达1.5W的功率耗散,适用于需要高功率输出的应用。
    - 宽温度范围:能够在极端温度条件下正常工作,适用范围从-65°C到+200°C。
    - 高电流传输比:前向电流传输比(hFE)高达150,保证了良好的电流放大性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    2N3634至2N3637系列晶体管广泛应用于以下领域:
    - 电信设备:如交换机和路由器中的信号放大。
    - 航空航天:在卫星和飞机系统中作为开关和放大器。
    - 汽车电子:用于引擎控制系统和车身电子模块。
    - 工业自动化:在电机控制和电源管理中发挥重要作用。
    使用建议
    - 散热设计:由于总功率耗散较高,建议采用有效的散热措施,如安装散热片或风扇。
    - 电路保护:确保在集电极-发射极之间提供足够的保护措施,以防止过压损坏。
    - 布局考虑:在PCB设计时,尽量减小引脚之间的走线长度,以减少寄生电容和电感的影响。

    兼容性和支持


    这些晶体管具有多种封装形式,包括TO-5、TO-39和表面贴装版本,方便与各种电路板和设备兼容。Microsemi公司提供全面的技术支持和维护服务,包括详细的文档和专业咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:晶体管在高温环境下工作时出现过热现象。
    - 解决方案:增加散热片或风扇来增强散热效果,确保晶体管处于安全操作区域内。
    2. 问题:晶体管工作电流不稳定。
    - 解决方案:检查电路中的电流源是否稳定,必要时增加滤波电容,确保稳定的输入电流。
    3. 问题:晶体管在低电压下无法正常工作。
    - 解决方案:检查电路中的电源电压是否符合要求,必要时使用升压电路提升电压。

    总结和推荐


    总体而言,2N3634至2N3637系列PNP硅开关晶体管具有出色的性能和可靠性,适用于多种高要求的应用场合。无论是对于需要高电压和大电流处理的场合,还是需要宽温度范围工作的环境,这些晶体管都能表现出色。强烈推荐在高可靠性需求的电路设计中使用此系列产品。

2N3637UB参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 175V
晶体管类型 PNP
集电极截止电流 10μA
最大集电极发射极饱和电压 600mV@ 5mA,50mA
VEBO-最大发射极基极电压 5V
VCEO-集电极-发射极最大电压 175V
集电极电流 1A
最大功率耗散 1W
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
配置 -
3.25mm(Max)
2.74mm(Max)
1.42mm(Max)
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

2N3637UB厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

2N3637UB数据手册

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2N3637UB封装设计

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