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JANTX2N5339

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: 1W 6V 100V 100V 5A TO-205-AF
供应商型号: JANTX2N5339
供应商: Master
标准整包数: 5
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) JANTX2N5339

JANTX2N5339概述

    NPN Power Silicon Switching Transistor 技术手册


    Microsemi 公司生产的2N5339是一款高性能的NPN功率硅开关晶体管。它广泛应用于各种需要高可靠性的电路设计中。本手册将详细介绍该产品的技术规格、特点、应用案例及支持情况。


    1. 产品简介




    产品类型

    2N5339 是一款 NPN 功率硅开关晶体管,具备高可靠性和稳定的性能表现。

    主要功能

    - 高电压承受能力(高达100V)
    - 大电流输出能力(最高5A)
    - 低饱和电压
    - 快速开关时间
    - 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信系统等领域

    应用领域

    - 工业自动化设备
    - 汽车电子系统
    - 通信设备
    - 消费电子产品


    2. 技术参数




    绝对最大额定值

    - 集电极-发射极电压:VCEO = 100V
    - 集电极-基极电压:VCBO = 100V
    - 发射极-基极电压:VEBO = 6.0V
    - 基极电流:IB = 1.0A
    - 集电极电流:IC = 5.0A
    - 总功率耗散(环境温度为+25°C):
    - TA = +25°C:PT = 1.0W
    - TC = +25°C:PT = 17.5W(对于U3型号)PT = 75W
    - 热阻(结到空气):RθJA = 175°C/W
    - 工作和存储结温范围:Top, Tstg = -65°C 到 +200°C

    电气特性

    - 关断特性:
    - 集电极-发射极击穿电压:V(BR)CEO = 100V
    - 集电极-发射极截止电流:VCE = 100V时ICEO = 100μA
    - 集电极-发射极截止电流:VCE = 90V,VBE = 1.5V时ICEX = 1.0μA
    - 集电极-基极截止电流:VCB = 100V时ICBO = 1.0μA
    - 发射极-基极截止电流:VEB = 6.0V时IEBO = 100μA
    - 开启特性(TA = +25°C):
    - 正向电流转移比(IC = 0.5A时,VCE = 2.0V时):hFE = 60
    - 正向电流转移比(IC = 2.0A时,VCE = 2.0V时):hFE = 60
    - 正向电流转移比(IC = 5.0A时,VCE = 2.0V时):hFE = 40~240
    - 集电极-发射极饱和电压(IC = 2.0A,IB = 0.2A时):VCE(sat) = 0.7V
    - 集电极-发射极饱和电压(IC = 5.0A,IB = 0.5A时):VCE(sat) = 1.2V
    - 基极-发射极饱和电压(IC = 2.0A,IB = 0.2A时):VBE(sat) = 1.2V
    - 基极-发射极饱和电压(IC = 5.0A,IB = 0.5A时):VBE(sat) = 1.8V
    - 动态特性:
    - 共发射小信号短路正向电流转移比(IC = 0.5A,VCE = 10V,f = 10MHz):|hfe| = 3.0~15
    - 输出电容(VCB = 10V,IE = 0,100kHz ≤ f ≤ 1.0MHz):Cobo = 250pF
    - 输入电容(VBE = 2.0V,IC = 0,100kHz ≤ f ≤ 1.0MHz):Cibo = 1,000pF


    3. 产品特点和优势




    2N5339具有以下显著特点和优势:
    - 高电压和大电流承受能力:可应对高压环境和高电流负载,适用于工业控制和汽车电子等应用。
    - 快速开关特性:具备低饱和电压,能够快速响应,减少功耗和发热。
    - 高可靠性:通过严格的测试认证(如MIL-PRF-19500/560),确保在严苛环境下的稳定运行。
    - 良好的散热设计:热阻低,易于散热,延长使用寿命。
    - 广泛的应用场景:适用于多种复杂且要求高性能的电路设计,包括工业控制、汽车电子、通信设备等。


    4. 应用案例和使用建议




    应用案例

    - 工业自动化:2N5339可用于PLC系统的驱动电路中,提供可靠的电流控制。
    - 汽车电子:在汽车点火系统中,作为开关晶体管控制电流的通断。
    - 通信设备:在电源转换模块中,用于提高效率和稳定性。

    使用建议

    - 在高温环境下使用时,应注意降额使用以避免过热损坏。
    - 在高频电路中,注意并优化电路布局以减小寄生效应,提高开关速度。
    - 对于长期工作的场合,建议增加外部散热措施以提升可靠性。


    5. 兼容性和支持




    兼容性

    - 2N5339具有多个级别的产品(如JAN, JANTX, JANTXV, JANS),可以根据不同的应用需求选择合适的产品级别。
    - 它可以与多种基板和焊接技术兼容,适合SMD和通孔安装。

    支持

    - Microsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的文档、在线技术支持和定制化服务。
    - 用户可以通过官方网站(http://www.microsemi.com)获取更多信息和支持资源。


    6. 常见问题与解决方案




    常见问题及解决方案

    1. 问题:晶体管在高温环境下频繁失效。
    - 解决方案:适当降额使用,并采用外部散热措施,例如增加散热片。
    2. 问题:晶体管出现饱和电压过高现象。
    - 解决方案:检查电路布局,优化基极驱动电阻,减小饱和电压。
    3. 问题:晶体管关断时出现过冲。
    - 解决方案:在发射极上并联一个续流二极管,吸收关断时的反向电压。


    7. 总结和推荐




    2N5339是一款非常可靠且性能优越的NPN功率硅开关晶体管,适用于各种高要求的应用场合。其出色的电气特性和严格的质量控制使其在市场上具有很强的竞争力。总体而言,推荐使用2N5339以满足复杂电路的需求,并享受Microsemi公司提供的优质服务和技术支持。

    希望本手册能帮助您更好地了解和使用2N5339。如需进一步咨询,欢迎访问官方网站或联系技术支持。

JANTX2N5339参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
集电极截止电流 -
VEBO-最大发射极基极电压 6V
VCBO-最大集电极基极电压 100V
晶体管类型 -
最大功率耗散 1W
配置 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 100V
最大集电极发射极饱和电压 -
集电极电流 5A
通用封装 TO-205-AF
零件状态 在售
包装方式 散装

JANTX2N5339厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

JANTX2N5339数据手册

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JANTX2N5339封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ $ 11.4655 ¥ 97.1128
25+ $ 10.8128 ¥ 89.904
50+ $ 10.4095 ¥ 84.124
100+ $ 10.07 ¥ 82.0743
250+ $ 9.9698 ¥ 81.6423
500+ $ 9.917 ¥ 81.2104
1000+ $ 9.917 ¥ 81.2104
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