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JAN2N5238

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: NPN 1W 10V 10μA 200V 170V 10A TO-5 通孔安装
供应商型号: JAN2N5238
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) JAN2N5238

JAN2N5238概述

    NPN Power Silicon Transistor 技术手册
    Microsemi Corporation

    产品简介


    NPN Power Silicon Transistor 是一种高性能的半导体器件,主要用于电力电子设备中。这类器件主要应用于电源管理、驱动电路、工业自动化系统以及其他需要大电流和高电压控制的场合。产品型号包括2N4150、2N5237、2N5238及其军用等级版本(如JAN、JANTX、JANTXV、JANS)。这些产品均符合MIL-PRF-19500/394标准,确保了它们在严苛环境下也能可靠工作。

    技术参数


    以下是根据技术手册提取的关键技术参数和性能指标:
    - 绝对最大额定值:
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 70 V 至 170 V
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 100 V 至 200 V
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 10 V
    - 集电极电流 (IC): 10 A
    - 功率耗散 (@TA = +25°C): 1.0 W (@TA > +25°C 线性降额)
    - 功率耗散 (@TC = +25°C): 15 W (@TC > +25°C 线性降额)
    - 工作及存储结温范围 (Tj, Tstg): -65°C 至 +200°C
    - 热阻 (Junction-to-Case, Junction-to-Ambient): 10 °C/W, 175 °C/W
    - 电气特性:
    - 在+25°C下:
    - 最小电流增益 (hFE): 40
    - 最大电流增益 (hFE): 225
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): 0.6 V 至 2.5 V
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)): 1.5 V 至 25 V
    - 小信号动态特性:
    - 共发射极短路正向电流增益 (|hfe|): 1.5 至 7.5
    - 输出电容 (Cobo): 350 pF
    - 开关特性:
    - 延迟时间 (td): 50 ns
    - 上升时间 (tr): 500 ns
    - 存储时间 (ts): 1.5 µs
    - 下降时间 (tf): 500 ns

    产品特点和优势


    - 高可靠性: 符合MIL-PRF-19500/394标准,确保在军事和航空航天等关键领域中具备高可靠性。
    - 宽温度范围: 能够在-65°C至+200°C的极端温度范围内正常工作。
    - 大电流和高电压: 支持高达10A的集电极电流和170V的集电极-发射极电压。
    - 优异的开关性能: 优秀的开关特性和快速的响应速度使其适用于高频应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 工业自动化系统: 用于电机驱动、传感器接口等。
    - 电源管理: 在各种电源转换电路中,提供可靠的电流控制。
    - 航空航天: 由于其高可靠性和宽温范围,非常适合航空航天设备中使用。
    使用建议:
    - 散热设计: 高功率应用中需注意良好的散热设计,避免过热导致性能下降。
    - 电路保护: 添加必要的保护电路(如瞬态抑制二极管)以防止电压尖峰对器件造成损坏。

    兼容性和支持


    - 封装形式: TO-5 和 TO-39 (TO-205AD) 封装。
    - 支持: 微迈科提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够充分利用其特性。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 长时间使用后性能下降。
    - 解决方案: 检查电路是否有足够的散热措施,必要时更换散热片。
    - 问题: 工作温度过高。
    - 解决方案: 使用适当的导热材料和散热装置,降低工作环境温度。
    - 问题: 电流增益不达标。
    - 解决方案: 检查测试条件是否符合规范要求,如需调整电路参数以优化性能。

    总结和推荐



    总结

    :
    - 优点: 该产品具备卓越的电气性能、高可靠性和广泛的温度适应能力。
    - 缺点: 相对而言,价格较高,不适合成本敏感的应用。
    推荐:
    - 推荐在需要高可靠性和大电流应用场合中使用此产品。无论是工业自动化还是航空航天领域,它都能提供稳定且高效的工作表现。

JAN2N5238参数

参数
配置 -
最大集电极发射极饱和电压 2.5@ 1A,10A
晶体管类型 NPN
集电极截止电流 10μA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
集电极电流 10A
最大功率耗散 1W
VCBO-最大集电极基极电压 200V
VCEO-集电极-发射极最大电压 170V
VEBO-最大发射极基极电压 10V
通用封装 TO-5
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装

JAN2N5238厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

JAN2N5238数据手册

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MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) MICROCHIP TECHNOLOGY JAN2N5238 JAN2N5238数据手册

JAN2N5238封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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