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JANTXV2N5667S

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: NPN 1.2W 6V 200nA 400V 300V 5A TO-205AD,TO-39 通孔安装
供应商型号: JANTXV2N5667S
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) JANTXV2N5667S

JANTXV2N5667S概述

    # NPN Power Silicon Switching Transistor 技术手册

    产品简介


    Microsemi公司生产的NPN Power Silicon Switching Transistors(型号2N5664, 2N5665, 2N5666, 2N5667)是一种用于开关电源和电机控制等应用的半导体器件。这些晶体管具备高耐压、大电流及快速切换的特点,适用于各种工业和军事应用。本技术手册将详细介绍这些产品的技术规格、特点和应用场景。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 集电极-发射极电压:VCEO(2N5664/2N5665)= 200V;VCEO(2N5666/2N5667)= 300V
    - 集电极-基极电压:VCBO(2N5664/2N5665)= 250V;VCBO(2N5666/2N5667)= 400V
    - 发射极-基极电压:VEBO = 6.0V
    - 基极电流:IB = 1.0A
    - 集电极电流:IC = 5.0A
    - 总功率耗散:PT(2N5664/2N5665)= 2.5W;PT(2N5666/2N5667)= 30W
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -65°C 到 +200°C
    电气特性
    - 离态特性:
    - 集电极-发射极击穿电压:V(BR)CER(2N5664/2N5666)= 250V;V(BR)CER(2N5665/2N5667)= 400V
    - 发射极-基极击穿电压:V(BR)EBO = 6.0V
    - 集电极-发射极截止电流:ICES = 0.2μA
    - 集电极-基极截止电流:ICBO = 0.1μA
    - 开态特性:
    - 正向电流增益(hFE):IC = 0.5A,VCE = 2.0V时,hFE = 40;IC = 1.0A,VCE = 5.0V时,hFE = 120
    - 集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) = 1.0V
    - 基极-发射极饱和电压:VBE(sat) = 1.5V
    - 动态特性:
    - 正向电流增益(|hfe|):IC = 0.5A,VCE = 5.0V,f = 10MHz时,|hfe| = 2.0
    - 输出电容:Cobo = 120pF
    - 开关特性:
    - 导通时间:ton = 0.25μs
    - 关断时间:toff = 1.5μs(2N5664/2N5666);toff = 2.0μs(2N5665/2N5667)

    产品特点和优势


    这些NPN Power Silicon Switching Transistors的主要特点包括:
    - 高耐压能力:最高可承受300V的集电极-发射极电压,适合高电压应用场景。
    - 大电流承载能力:最高集电极电流可达5.0A,适用于需要驱动大电流的应用。
    - 快速开关速度:低至0.25μs的导通时间和1.5μs到2.0μs的关断时间,非常适合高频开关电路。
    - 广泛的工作温度范围:从-65°C到+200°C,确保在极端环境下的可靠性。
    这些特性使其成为电机控制、电源管理和工业自动化等领域的重要选择,具有较高的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这些晶体管被广泛应用于开关电源、直流电机驱动、工业自动化控制系统等场合。例如,在一个典型的开关电源设计中,这些晶体管可以用作主开关管来调节输出电压。
    使用建议
    - 在高功率应用中,需注意散热管理以防止过热。
    - 对于高频率应用,要考虑动态特性和寄生电容的影响。
    - 在低温环境下使用时,要特别关注其电气特性的变化,必要时需进行补偿调整。

    兼容性和支持


    这些NPN Power Silicon Switching Transistors具有多种封装形式(如TO-66, TO-5, TO-39, U-3),可以方便地与其他电子元件和设备集成。Microsemi公司提供了详尽的技术支持和售后服务,确保用户在使用过程中能够得到及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温环境中运行时,晶体管的性能会受到影响吗?
    - 解决方案:查阅手册中的热降额曲线,确保在规定的温度范围内使用,并考虑适当的散热措施。

    - 问题2:如何优化晶体管的开关特性?
    - 解决方案:通过优化驱动电路设计和布局,减少寄生电容和电感的影响,从而提高开关速度和效率。

    总结和推荐


    综上所述,Microsemi的NPN Power Silicon Switching Transistors凭借其高耐压、大电流和快速开关等特点,成为适用于各种工业和军事应用的理想选择。推荐在需要高性能和可靠性的应用中采用这些产品。同时,建议用户根据具体应用场景的需求,合理选择合适的封装形式和配套电路设计。

JANTXV2N5667S参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 400V
VCEO-集电极-发射极最大电压 300V
集电极截止电流 200nA
晶体管类型 NPN
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
最大集电极发射极饱和电压 1@ 1A,5A
最大功率耗散 1.2W
VEBO-最大发射极基极电压 6V
配置 -
集电极电流 5A
通用封装 TO-205AD,TO-39
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 散装

JANTXV2N5667S厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

JANTXV2N5667S数据手册

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JANTXV2N5667S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 213.231
200+ ¥ 209.457
1000+ ¥ 207.57
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起订量: 10 增量: 1
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