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JAN2N2222AL

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: NPN 500mW 6V 50nA 75V 50V 800mA TO-18,TO-206AA 通孔安装
供应商型号: JAN2N2222AL
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) JAN2N2222AL

JAN2N2222AL概述

    NPN Silicon Switching Transistor: Technical Overview

    1. 产品简介


    本技术手册涵盖的是Microsemi公司的NPN硅切换晶体管系列,型号包括2N2221A, 2N2222A及其军用版本(如JAN, JANTX, JANTXV, 和JANS)。这类晶体管主要用于电子设备中的开关控制、放大电路以及信号处理等领域。它们的设计适用于广泛的电子系统,从消费电子产品到军事应用都有涉及。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 集电极-发射极电压(VCEO):50 Vdc
    - 集电极-基极电压(VCBO):75 Vdc
    - 发射极-基极电压(VEBO):6.0 Vdc
    - 集电极电流(IC):800 mAdc
    - 总功率耗散(@ TA = +25°C):0.5 W
    - 操作及存储结温范围:-65°C 到 +200°C
    - 热特性
    - 热阻,结至环境温度:
    - 2N2221A, L:325°C/W
    - 2N2221AUA:210°C/W
    - 2N2221AUB, UBC:325°C/W
    - 2N2222A, L:325°C/W
    - 2N2222AUA:210°C/W
    - 2N2222AUB, UBC:325°C/W
    - 电气特性
    - 在TA = +25°C下:
    - 截止特性:
    - 集电极-发射极击穿电压:50 Vdc
    - 集电极-基极截止电流:10 μAdc(VCB = 75Vdc)
    - 发射极-基极截止电流:10 μAdc(VEB = 6.0Vdc)
    - 开启特性:
    - 正向电流转移比(IC = 0.1mAdc, VCE = 10Vdc):30到50
    - 饱和电压(IC = 150mAdc, IB = 15mAdc):0.3 Vdc
    - 基极-发射极电压(IC = 150mAdc, IB = 15mAdc):0.6 Vdc
    - 动态特性
    - 小信号短路正向电流转移比(IC = 1.0mAdc, VCE = 10Vdc, f = 1.0kHz):30到50

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:2N2221A和2N2222A系列均符合MIL-PRF-19500/255标准,确保了其在严苛环境下的可靠性能。
    - 广泛的温度适应性:能够在-65°C到+200°C的极端环境下稳定运行。
    - 优异的电气特性:提供较高的电流转移比(最高可达100),并且具有较低的饱和电压和开关时间,非常适合于快速开关应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:这些晶体管常用于汽车电子系统、工业自动化设备、计算机外设以及军事通信设备中。
    - 使用建议:考虑到高温环境下运行可能需要降低功耗以避免过热,建议使用适当的散热措施(例如散热片或风扇)。此外,为了获得最佳性能,建议按照制造商的指导进行安装和连接。

    5. 兼容性和支持


    - 这些晶体管与大多数标准电路设计兼容,广泛应用于多种不同类型的电路板上。
    - Microsemi公司提供了详尽的技术支持文档和在线资源,包括技术咨询和技术故障排除服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何确定最佳的工作条件?
    - A:参照手册中的图表和测试条件,根据实际需求调整电流、电压等参数,确保设备在安全范围内工作。

    - Q:如何进行有效的散热管理?
    - A:建议使用合适的散热器,并确保良好的空气流通。可以通过增加风扇或者使用更高效的散热材料来进一步优化散热效果。

    7. 总结和推荐


    总结来说,Microsemi公司的2N2221A和2N2222A系列NPN硅切换晶体管以其高可靠性、宽温度范围、优良的电气特性和多功能性在市场上具备很强的竞争力。这些晶体管非常适合那些对稳定性要求高的应用场合,因此强烈推荐用于各种高端电子设备的制造中。

JAN2N2222AL参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 75V
晶体管类型 NPN
最大功率耗散 500mW
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
配置 -
集电极截止电流 50nA
最大集电极发射极饱和电压 1V@ 50mA,500mA
集电极电流 800mA
VEBO-最大发射极基极电压 6V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
通用封装 TO-18,TO-206AA
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

JAN2N2222AL厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

JAN2N2222AL数据手册

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MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) MICROCHIP TECHNOLOGY JAN2N2222AL JAN2N2222AL数据手册

JAN2N2222AL封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 76.162
200+ ¥ 74.814
1000+ ¥ 74.14
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