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JAN2N3739

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: 20W 6V 325V 300V 1A TO-213-AA
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) JAN2N3739

JAN2N3739概述

    # NPN Power Silicon Transistor 2N3739 JAN Series 技术手册解析

    产品简介


    NPN Power Silicon Transistor(NPN功率硅晶体管)型号为2N3739 JAN系列。此晶体管符合MIL-PRF-19500/402标准,具备高可靠性。广泛应用于航空航天、军事、工业控制等领域。

    技术参数


    额定值
    | 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 集电极-发射极电压 | VCEO | 300 | Vdc |
    | 集电极-基极电压 | VCBO | 325 | Vdc |
    | 发射极-基极电压 | VEBO | 6.0 | Vdc |
    | 基极电流 | IB | 0.5 | Adc |
    | 集电极电流 | IC | 1.0 | Adc |
    | 功耗(结温25°C) | PT | 20 | W |
    | 功耗(结温100°C) | PT | 10 | W |
    | 工作和存储结温范围 | TJ, Tstg | -55 to +200 | °C |
    热特性
    | 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 结至外壳热阻 | RθJC | 7.5 | °C/W |
    | 温度补偿说明 |
    | 结温大于等于25°C | 待机功率降额 | 0.114 | W/°C |
    | 结温大于等于100°C| 待机功率降额 | 0.100 | mW/°C |
    电气特性
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 |

    | 集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEO 300 | Vdc |
    | 发射极-基极截止电流 | IEBO 0.1 | mAdc |
    | 集电极-发射极截止电流 | ICEX 0.5 | mAdc |
    | 集电极-基极截止电流 | ICBO 0.1 | mAdc |
    | 正向电流增益(10 mA)| hFE | 30 | 200
    | 正向电流增益(50 mA)| hFE | 30 | 200
    | 正向电流增益(100 mA)| hFE | 40 | 200
    | 集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | 0.75 | 2.5 | Vdc |
    | 基极-发射极电压 | VBE 1.0 | Vdc |
    动态特性
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 |

    | 共发射极小信号短路放大倍数 | hFE | 1.0 | 6.0
    | 输出电容 | Cobo 20 | pF |
    | 开关时间 | ton 1.5 | μs |
    | 关断时间 | toff 3.5 | μs |

    产品特点和优势


    2N3739 JAN系列具有以下显著特点和优势:
    - 高耐压性:集电极-发射极电压高达300V,能够满足高压应用需求。
    - 大电流能力:集电极电流达到1A,适合处理大电流负载。
    - 良好的热稳定性:低热阻,确保高效散热,保证长期稳定运行。
    - 宽工作温度范围:可在极端环境下可靠工作,从-55°C到+200°C。

    应用案例和使用建议


    2N3739 JAN系列晶体管适用于多种应用场景,例如:
    - 航空航天:由于其在极端温度下的稳定表现,可广泛应用于卫星、飞机和其他飞行器的控制系统中。
    - 军事设备:具备军事级质量认证,适用于军事通信系统及武器装备。
    - 工业控制:在自动化生产线、机器人技术等领域,用于驱动电机、电磁阀等负载。
    使用建议:
    - 在高压电路设计时,注意选择合适的散热片以提高散热效果。
    - 对于高频开关应用,注意匹配适当的驱动电路以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    2N3739 JAN系列晶体管可与其他符合MIL-PRF-19500标准的组件兼容。制造商提供详尽的技术支持,包括定制化解决方案和专业咨询服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何判断晶体管是否损坏?
    - 解答:使用万用表测量基极-发射极电压VBE和集电极-发射极电压VCE。如果VBE接近0V而VCE接近电源电压,则晶体管可能已经损坏。
    2. 问题:如何提高晶体管的工作寿命?
    - 解答:避免过载操作,保持结温在安全范围内,定期检查并更换散热片以确保良好散热。

    总结和推荐


    综上所述,2N3739 JAN系列晶体管凭借其卓越的性能、广泛的适用性和稳定的可靠性,在众多应用场景中表现出色。强烈推荐用于要求严苛的应用环境。

JAN2N3739参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
配置 -
VCBO-最大集电极基极电压 325V
集电极截止电流 -
晶体管类型 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 300V
集电极电流 1A
VEBO-最大发射极基极电压 6V
最大集电极发射极饱和电压 -
最大功率耗散 20W
通用封装 TO-213-AA

JAN2N3739厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

JAN2N3739数据手册

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MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) MICROCHIP TECHNOLOGY JAN2N3739 JAN2N3739数据手册

JAN2N3739封装设计

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