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JANTXV2N3868

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: PNP 1W 4V 100μA 60V 60V 3mA TO-5 通孔安装
供应商型号: JANTXV2N3868
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) JANTXV2N3868

JANTXV2N3868概述

    # PNP Silicon Low Power Transistor: 2N3867/2N3868

    产品简介


    Microsemi公司生产的2N3867和2N3868是一款PNP硅低功耗晶体管。它们属于2N系列晶体管,适用于广泛的工业和消费电子产品。这些晶体管具有卓越的开关特性和稳定的工作特性,广泛应用于信号放大、开关电路、电源管理等领域。此外,2N3867/2N3868还具有高可靠性和稳定的性能,使其成为众多应用的理想选择。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数名称 | 测试条件 | 符号 | 2N3867 | 2N3868 | 单位 |
    |
    | 集电极-基极电压 VCBO | 40 | 60 | Vdc |
    | 集电极-发射极电压 VCEO | 40 | 60 | Vdc |
    | 发射极-基极电压 VEBO | 4.0 | Vdc |
    | 集电极电流 IC | 3.0 | mAdc |
    | 总功率耗散(TA=+25°C) PT | 1.0 | W/°C |
    | 工作和存储结温范围 TJ, Tstg | -65 to +200 | °C |
    热特性
    | 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 结至环境热阻 | RθJA | 175 | °C/mW |
    电气特性(TA=+25°C)
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 |

    | 反向击穿电压 | V(BR)CEO | 40 | 60 | Vdc |
    | 集电极-基极截止电流 | ICBO | 100 | µAdc |
    | 发射极-基极截止电流 | IEBO | 100 | µAdc |
    | 集电极-发射极截止电流 | ICEX | 1.0 | 50 | µAdc |
    | 正向电流传输比 | hFE | 25 | 200
    | 集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | 0.5 | 2.0 | Vdc |
    | 基极-发射极饱和电压 | VBE(sat) | 0.85 | 1.4 | Vdc |
    | 输出电容 | Cobo | 120 | pF |
    | 输入电容 | Cibo | 800 | pF |
    开关特性
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 |

    | 导通延迟时间 | td | 35 | 65 | nS |
    | 导通上升时间 | tr | 65 | nS |
    | 存储时间 | ts | 500 | nS |
    | 导通下降时间 | tf | 100 | nS |
    | 导通时间 | ton | 100 | nS |
    | 关断时间 | toff | 600 | nS |

    产品特点和优势


    2N3867/2N3868的主要优势在于其低功耗、高可靠性和出色的开关特性。它们能够在极端温度条件下保持稳定的性能,这使得它们非常适合于工业控制、航空航天和其他需要高度可靠性的应用。此外,这些晶体管具有较小的体积和简单的封装,方便在各种应用场景中进行集成和布局设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 信号放大:在需要精确信号放大的系统中,如音频放大器和传感器接口。
    - 开关电路:用于高压电源转换器和继电器驱动。
    - 电源管理:在直流到直流转换器中作为关键组件。
    使用建议
    - 散热管理:考虑到其总功率耗散为1.0W/°C,建议使用适当的散热措施以避免过热。
    - 电气隔离:由于其高击穿电压,适合用于需要高电气隔离的应用。
    - 脉冲测试:在进行快速开关操作时,注意脉冲宽度不得超过300μs且占空比不超过2.0%。

    兼容性和支持


    2N3867/2N3868采用标准的TO-5和TO-39封装,与市场上其他兼容此类封装的产品具有良好的互换性。Microsemi公司提供全面的技术支持,包括详细的安装指南、应用手册和在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何避免过热?
    解决方案:确保安装在具有良好散热性能的散热器上,并且保持适当的气流循环。
    问题2:如何改善信号稳定性?
    解决方案:使用较低的栅极驱动电压和减小电路板上的寄生电感,以减少噪声和提高信号稳定性。
    问题3:如何避免反相电压冲击?
    解决方案:添加合适的瞬态电压抑制器(TVS)二极管,以吸收任何可能的反向电压冲击。

    总结和推荐


    总体而言,2N3867/2N3868是一款高性能的PNP硅低功耗晶体管,适用于多种工业和消费电子产品。它具备优异的电气特性和可靠的性能,尤其适合在高压和高温环境下使用。尽管价格略高于普通晶体管,但其高性能和稳定性使它成为许多应用场景的理想选择。因此,我们强烈推荐使用这款产品。

JANTXV2N3868参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
最大集电极发射极饱和电压 1.5V@ 250mA,2.5A
VCBO-最大集电极基极电压 60V
集电极截止电流 100μA
集电极电流 3mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
配置 -
晶体管类型 PNP
最大功率耗散 1W
VEBO-最大发射极基极电压 4V
通用封装 TO-5
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

JANTXV2N3868厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

JANTXV2N3868数据手册

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JANTXV2N3868封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 308.716
200+ ¥ 303.252
1000+ ¥ 300.52
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