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JANTX2N2484UB

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: NPN 360mW 6V 2nA 60V 60V 50mA SMD-3P 贴片安装
供应商型号: JANTX2N2484UB
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) JANTX2N2484UB

JANTX2N2484UB概述

    NPN Silicon Low Power Transistor 技术手册



    产品简介




    本产品是一款适用于军事应用的NPN硅低功耗晶体管,型号为2N2484,其生产符合MIL-PRF-19500/376标准。该晶体管广泛应用于航空电子系统、通信设备以及其他需要高可靠性的电子系统中。它具备优良的热稳定性及低噪声特性,适合用于信号放大、电压控制及其他低功率控制电路。


    技术参数




    以下是该晶体管的主要技术规格及性能参数:

    - 绝对最大额定值
    - 集电极-发射极电压:VCEO = 60 Vdc
    - 集电极-基极电压:VCBO = 60 Vdc
    - 发射极-基极电压:VEBO = 6.0 Vdc
    - 集电极电流:IC = 50 mAdc
    - 总耗散功率:PT = 360 mW(TA = +25°C)
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -65°C 至 +200°C

    - 热特性
    - 热阻抗:RθJA
    - 2N2484:325 °C/W
    - 2N2484UA:275 °C/W
    - 2N2484UB, UBC:350 °C/W

    - 电气特性
    - 关断特性
    - 集电极-发射极击穿电压:V(BR)CEO = 60 Vdc
    - 集电极-发射极截止电流:ICES = 5.0 μAdc
    - 基极-集电极截止电流:ICBO = 5.0 μAdc(VCB = 45Vdc),ICBO = 10 μAdc(VCB = 60Vdc)
    - 集电极-发射极截止电流:ICEO = 2.0 μAdc(VCE = 5.0Vdc)

    - 导通特性
    - 电流增益:hFE(IC = 1.0μAdc, VCE = 5.0Vdc)= 45;(IC = 10mAdc, VCE = 5.0Vdc)= 225
    - 集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) = 0.3 Vdc
    - 基极-发射极电压:VBE(ON) = 0.5 ~ 0.7 Vdc

    - 动态特性
    - 动态电流增益:|hfe|(IC = 50μAdc, VCE = 5.0Vdc, f = 5.0MHz)= 3.0
    - 开路输出导纳:hoe = 40 μmhos
    - 开路反向电压传输比:hre = 8.0 x 10^-4
    - 输入阻抗:hje = 3.5 ~ 24 kΩ
    - 小信号短路前向电流增益:hfe = 250 ~ 900
    - 输出电容:Cobo = 5.0 pF
    - 输入电容:Cibo = 6.0 pF


    产品特点和优势




    该晶体管具备高可靠性、良好的热稳定性以及出色的电流增益特性,适用于高精度及高性能的电路设计。其独特的设计使其在极端条件下仍能保持稳定的性能,因此在航空电子系统、军用通信设备及其他高可靠性要求的应用中表现出色。


    应用案例和使用建议




    该晶体管可以广泛应用于各种高可靠性电子系统中,如信号放大、开关电路及传感器接口等。例如,在航空电子系统中,它可用于控制电子舵机,以确保飞行系统的稳定性和可靠性。在通信设备中,它可作为放大器来增强信号强度。

    使用建议:
    1. 在使用过程中注意避免过压情况,以防损坏晶体管。
    2. 为保证热稳定性,建议合理设计散热措施。
    3. 使用时应注意电流限制,确保不超过规定的最大值。


    兼容性和支持




    该产品已通过MIL-PRF-19500/376标准认证,具有良好的互换性。厂家提供技术支持及售后服务,用户在使用过程中遇到任何问题均可联系官方支持团队寻求帮助。


    常见问题与解决方案




    1. 问题:晶体管在高温下无法正常工作。
    解决方案:确保散热良好,使用合适的散热片或其他冷却装置。

    2. 问题:电流增益不稳定。
    解决方案:检查电源电压及负载是否满足规范要求,并确认是否存在外部干扰。

    3. 问题:晶体管过早失效。
    解决方案:遵循规范操作,避免过压、过流现象发生,并定期进行检查维护。


    总结和推荐




    总体而言,该款NPN硅低功耗晶体管具备出色的性能及高可靠性,非常适合于对产品要求严格的工业及军事应用领域。尽管价格可能稍高,但考虑到其卓越的性能和长久的使用寿命,是值得推荐的产品选择。

JANTX2N2484UB参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
配置 -
集电极电流 50mA
VCBO-最大集电极基极电压 60V
集电极截止电流 2nA
VEBO-最大发射极基极电压 6V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
晶体管类型 NPN
最大集电极发射极饱和电压 300mV@ 100µA,1mA
最大功率耗散 360mW
通用封装 SMD-3P
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装

JANTX2N2484UB厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

JANTX2N2484UB数据手册

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JANTX2N2484UB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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200+ ¥ 183.705
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