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JANTXV2N2219AL

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: NPN 800mW 6V 10nA 75V 50V 800mA TO-5 通孔安装
供应商型号: JANTXV2N2219AL
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) JANTXV2N2219AL

JANTXV2N2219AL概述

    NPN-Switching Silicon Transistor Technical Overview

    1. 产品简介


    本技术手册介绍的是Microsemi公司的NPN型硅晶体管,型号为2N2218和2N2219。这些晶体管广泛应用于各种电子电路设计中,尤其适合用于信号放大和开关控制。它们适用于军事和工业应用,具有高可靠性。此外,还有几种增强型产品,如JANTX、JANTXV和JANS,以满足不同的应用需求。

    2. 技术参数


    以下是主要的技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值
    - 集电极-发射极电压:2N2218为30Vdc,2N2219为50Vdc
    - 集电极-基极电压:2N2218为60Vdc,2N2219为75Vdc
    - 发射极-基极电压:2N2218为5.0Vdc,2N2219为6.0Vdc
    - 最大集电极电流:800mA
    - 总功率耗散:在TA = +25°C时为0.8W,在TC = +25°C时为3.0W
    - 工作和存储结温范围:-55°C至+200°C
    - 热特性
    - 热阻(结到外壳):59°C/W
    - 电气特性
    - 反向击穿电压:在2N2218/2N2219上为30Vdc,在2N2218A/2N2219A/AL上为50Vdc
    - 截止电流:集电极-基极截止电流在2N2218/2N2219上为10μAdc,在2N2218A/2N2219A/AL上为10μAdc
    - 增益(hFE):在IC = 0.1mAdc,VCE = 10Vdc条件下为20至125
    - 饱和电压:在IC = 150mAdc,IB = 15mAdc条件下,2N2218/2N2219为0.4Vdc,2N2218A/2N2219A/AL为0.3Vdc
    - 动态特性
    - 小信号增益:在IC = 20mAdc,VCE = 20Vdc,f = 100MHz条件下为2.5至12
    - 输出电容:在VCB = 10Vdc,IE = 0,100 kHz ≤ f ≤ 1.0MHz条件下为8.0pF
    - 开关特性
    - 开关时间:2N2218/2N2219为40ηs,2N2218A/2N2219A/AL为35ηs
    - 关断时间:2N2218/2N2219为250ηs,2N2218A/2N2219A/AL为300ηs

    3. 产品特点和优势


    2N2218和2N2219系列晶体管的主要优势如下:
    - 高可靠性和稳定性:满足MIL-PRF-19500/251标准,适用于严苛的军事和工业环境。
    - 宽广的工作温度范围:-55°C至+200°C,适应多种极端条件。
    - 高功率处理能力:总功率耗散高达3.0W。
    - 良好的开关特性:开关时间和关断时间短,提升系统效率。
    - 辐射硬化版本:提供辐射硬化版本(JANS),适合空间应用。

    4. 应用案例和使用建议


    这些晶体管常用于信号放大器、电源开关、驱动电路等。对于要求高可靠性的应用场景,如航空电子设备、雷达系统等,可考虑使用辐射硬化版本。
    使用建议:
    - 在选择适当的晶体管时,要确保其集电极-发射极电压、集电极电流和总功率耗散符合应用需求。
    - 注意散热管理,特别是在高功率应用中,避免过热导致性能下降。

    5. 兼容性和支持


    2N2218和2N2219晶体管与各种标准电路兼容。Microsemi公司提供了详尽的技术支持和文档,用户可以参考官方网站上的资料进行设计和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的功率耗散导致晶体管过热。
    - 解决方法:确保适当的散热措施,如加装散热片或风扇。

    - 问题2:晶体管无法正常切换。
    - 解决方法:检查电路接线是否正确,确认驱动信号强度是否足够。

    - 问题3:反向击穿电压不足。
    - 解决方法:选择合适的型号,确保其反向击穿电压满足应用需求。

    7. 总结和推荐


    总体而言,2N2218和2N2219系列晶体管以其高可靠性、广泛的温度适应性和出色的电气特性,成为电子电路设计的理想选择。特别适用于军事和工业领域的应用。强烈推荐在需要高性能和高稳定性的应用中使用。

JANTXV2N2219AL参数

参数
集电极电流 800mA
VEBO-最大发射极基极电压 6V
集电极截止电流 10nA
最大集电极发射极饱和电压 1@ 50mA,500mA
配置 -
晶体管类型 NPN
最大功率耗散 800mW
VCBO-最大集电极基极电压 75V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
通用封装 TO-5
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装

JANTXV2N2219AL厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

JANTXV2N2219AL数据手册

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JANTXV2N2219AL封装设计

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1000+ ¥ 104.39
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