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JANTXV2N3810L

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: 2 PNP (Dual) 10μA 60V 50mA TO-78-6 通孔安装
供应商型号: JANTXV2N3810L
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) JANTXV2N3810L

JANTXV2N3810L概述

    PNP Silicon Dual Transistor 技术手册



    产品简介



    PNP硅双晶体管(型号:2N3810, 2N3811)是一款高性能的电子元器件,适用于广泛的工业和军事应用。这种晶体管具有两个独立的PNP型晶体管,它们共享一个共同的基极引脚。这些晶体管主要用于开关应用和放大电路中,广泛应用于通讯设备、航空航天、军事系统、工业自动化控制等领域。


    技术参数



    - 最大额定值
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 60Vdc
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 60Vdc
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 5.0Vdc
    - 集电极电流 (IC): 50mAdc (单个部分),350mAdc (全部部分)
    - 最大功率耗散 (@ TA = +25°C): 单个部分 200mW,全部部分 350mW
    - 工作温度范围: -65°C 至 +200°C
    - 存储温度范围: -65°C 至 +200°C

    - 电气特性
    - 离态特性:
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO): 60Vdc
    - 集电极-基极截止电流 (ICBO): ≤ 10μAdc
    - 发射极-基极截止电流 (IEBO): ≤ 10μAdc
    - 开态特性:
    - 前向电流转移比 (hFE):
    - 2N3810: 100 至 450
    - 2N3811: 75 至 900
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): 0.2Vdc (IC = 100μAdc, IB = 10μAdc)
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)): 0.7Vdc (IC = 100μAdc, IB = 10μAdc)
    - 动态特性:
    - 前向电流转移比幅度 (|hfe|): 1.0 至 5.0
    - 小信号短路前向电流转移比 (hfe):
    - 2N3810: 150 至 600
    - 2N3811: 225 至 900
    - 小信号短路输入阻抗 (hje): 3.0 至 30 kΩ
    - 小信号短路输出导纳 (hoe): 5.0 至 60 μmhos
    - 输出电容 (Cobo): 5.0 pF
    - 输入电容 (CIbo): 8.0 pF


    产品特点和优势



    这款PNP硅双晶体管具备以下显著优势:
    - 高可靠性: 通过MIL-PRF-19500/336认证,确保其在严苛环境下的稳定运行。
    - 宽工作温度范围: -65°C 至 +200°C 的工作温度范围,适合极端环境的应用。
    - 高性能电气特性: 前向电流转移比高达900,提供了出色的放大能力和开关性能。
    - 低噪声: 无论是在100Hz还是1kHz频率下,噪声指标均低于5dB,适合对信号质量要求高的应用。


    应用案例和使用建议



    这款晶体管可以用于各种应用场景,例如:
    - 工业控制系统: 利用其高性能的电气特性,提高系统的可靠性和响应速度。
    - 通信设备: 在需要高可靠性且低噪声的场合,如调制解调器、放大器等。
    - 军事系统: 能够在极端环境中正常工作,适用于雷达、导航等关键任务系统。

    使用建议:
    - 注意散热: 由于高电流和高功耗,应采取适当的散热措施以避免过热损坏。
    - 正确布线: 在高频应用中,应考虑电磁干扰问题,采用正确的布线方式以减少干扰。


    兼容性和支持



    该产品适用于标准的TO-78封装,与市面上多数兼容。制造商提供全面的技术支持,包括安装指南、维修手册及售后维护服务。


    常见问题与解决方案



    - 问题1: 电源电压过高导致晶体管损坏。
    - 解决方案: 确保使用不超过规定的最大电压,并适当增加外部保护电路。
    - 问题2: 高频应用时出现不稳定现象。
    - 解决方案: 检查电路设计,特别是输入和输出滤波电容的选择,以确保信号的纯净度。


    总结和推荐



    PNP硅双晶体管凭借其卓越的电气性能和广泛的适用性,在工业和军事应用中表现出色。如果您需要一款在极端环境下依然能保持高性能的晶体管,那么2N3810和2N3811是理想的选择。强烈推荐用于需要高可靠性、低噪声的场合。

    ---

    以上是关于PNP硅双晶体管的详细介绍,希望这些信息能帮助您更好地了解该产品的性能和应用场景。

JANTXV2N3810L参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极截止电流 10μA
集电极电流 50mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
配置 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
最大功率耗散 -
晶体管类型 2 PNP (Dual)
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 100µA,1mA
通用封装 TO-78-6
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

JANTXV2N3810L厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

JANTXV2N3810L数据手册

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JANTXV2N3810L封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 354.933
200+ ¥ 348.651
1000+ ¥ 345.51
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起订量: 10 增量: 1
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