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JANTX2N5153

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: PNP 1W 5.5V 50μA 100V 80V 2A TO-39 通孔安装
供应商型号: JANTX2N5153
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) JANTX2N5153

JANTX2N5153概述


    产品简介


    本产品是一款PNP功率硅晶体管,型号为2N5151和2N5153,经过MIL-PRF-19500/545标准认证。该晶体管广泛应用于各种电子设备中,如通信系统、航空航天、工业控制等领域,因其高性能和高可靠性而备受青睐。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术参数和技术规格:
    - 绝对最大额定值:
    - 集电极-发射极电压(VCEO):80Vdc
    - 集电极-基极电压(VCBO):100Vdc
    - 发射极-基极电压(VEBO):5.5Vdc
    - 集电极电流(IC):2.0Adc
    - 总功耗(PT):
    - @ TA = +25°C: 1.0W
    - @ TC = +25°C: 10W
    - @ TA = +25°C: 1.16W
    - @ TC = +25°C: 100W
    - 结温范围(TJ, Tstg):-65°C 至 +200°C
    - 热阻(RθJC):10°C/W (TO-5, TO-39), 1.75°C/W (U-3)
    - 电气特性:
    - 关断特性:
    - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):80Vdc
    - 发射极-基极截止电流(IEBO):1.0µAdc
    - 集电极-发射极截止电流(ICES):1.0µAdc
    - 接通特性:
    - 正向电流增益(hFE):20至200
    - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):0.75Vdc 至 1.5Vdc
    - 基极-发射极非饱和电压(VBE):1.45Vdc
    - 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)):1.45Vdc 至 2.2Vdc
    - 动态特性:
    - 共发射极小信号短路正向电流增益(|hfe|):6至7
    - 开关特性:
    - 开启时间(ton):0.5μs
    - 关闭时间(toff):1.5μs
    - 存储时间(ts):1.4μs
    - 下降时间(tf):0.5μs

    产品特点和优势


    - 高可靠性和稳定性:满足MIL-PRF-19500/545标准,确保产品在恶劣环境下依然能够稳定工作。
    - 宽工作温度范围:适用于-65°C至+200°C的极端温度环境,增强了在严苛条件下的适用性。
    - 快速开关性能:开启时间和关闭时间分别仅为0.5μs和1.5μs,适用于高频应用场合。
    - 低饱和电压:集电极-发射极饱和电压仅为0.75Vdc 至 1.5Vdc,降低了功耗并提高了效率。
    - 多种封装选择:提供TO-5、TO-39、U-3等多种封装形式,适应不同的安装需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 通信系统:适用于无线通信设备中的功率放大器,能有效提升信号传输质量和距离。
    - 航空航天:用于飞行控制系统中,保证系统的稳定性和可靠性。
    - 工业控制:在自动化生产线中作为开关器件,提高生产效率和产品质量。
    使用建议
    - 电路设计时考虑散热:由于晶体管具有较高的总功耗,应在设计时合理布局以保证良好的散热效果。
    - 避免过压操作:虽然其耐压值较高,但长期工作在接近极限值附近会增加损坏风险,应合理设计电路。
    - 根据应用选择合适的封装形式:如空间受限的应用可选用TO-5封装,需要更高散热能力的场合则可选U-3封装。

    兼容性和支持


    该产品支持多种封装形式(如TO-5、TO-39、U-3),便于不同应用环境下的安装。Microsemi公司提供全面的技术支持和服务,包括产品文档、应用指南和故障排查帮助,以确保客户在使用过程中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:晶体管在高温环境下工作不稳定。
    - 解决方案:确保良好的散热措施,选择合适的散热器或加强通风。
    - 问题二:电路设计时晶体管温度过高导致损坏。
    - 解决方案:根据实际工作条件合理计算功耗,并选择相应散热方案。
    - 问题三:开启和关闭时间较长。
    - 解决方案:检查电路设计是否存在电容或电感耦合影响,优化电路布局。

    总结和推荐


    综上所述,2N5151和2N5153是两款性能优异、适用范围广的PNP功率硅晶体管。它们具备高可靠性、高稳定性、宽工作温度范围以及快速开关特性,特别适合于各种严苛的工作环境。结合Microsemi公司的优质技术支持,强烈推荐这两款产品用于各种高端应用场合。

JANTX2N5153参数

参数
集电极电流 2A
VCBO-最大集电极基极电压 100V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 80V
最大功率耗散 1W
最大集电极发射极饱和电压 1.5V@ 500mA,5A
VEBO-最大发射极基极电压 5.5V
配置 -
晶体管类型 PNP
集电极截止电流 50μA
通用封装 TO-39
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

JANTX2N5153厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

JANTX2N5153数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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JANTX2N5153封装设计

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