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JANTX2N2219AL

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: NPN 800mW 6V 10nA 75V 50V 800mA TO-39 通孔安装
供应商型号: JANTX2N2219AL
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) JANTX2N2219AL

JANTX2N2219AL概述

    # NPN-Switching Silicon Transistor Technical Overview
    Microsemi Corporation, renowned for its high-performance semiconductor products, offers an array of robust electronic components including the NPN-Switching Silicon Transistor, model numbers 2N2218 and 2N2219. These transistors find application in a wide range of industries, particularly in signal switching, power regulation, and amplification circuits.

    产品简介


    产品类型与主要功能
    NPN-Switching Silicon Transistors, specifically the 2N2218 and 2N2219 models, serve as fundamental components in various electronic systems. They are designed to switch or amplify electrical signals and currents, making them indispensable in applications requiring high reliability and efficiency.
    应用领域
    这些晶体管广泛应用于消费电子、通信系统、汽车电子、工业控制以及军事电子设备中。它们能够处理多种信号处理任务,如开关操作、放大器设计以及电源管理。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 2N2218 | 2N2219 | 单位 |
    ||
    | 集电极-发射极电压 | 30 | 50 | Vdc |
    | 集电极-基极电压 | 60 | 75 | Vdc |
    | 发射极-基极电压 | 5.0 | 6.0 | Vdc |
    | 集电极电流 | 800 mA |
    | 最大功率耗散 | 0.8 | 3.0 | W |
    | 工作和存储结温范围 | -55 to +200 | °C |
    热特性
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 结至外壳热阻 | 59 | °C/W |
    | 温度补偿 | 4.6mW/°C(TA > 25°C);17.0mW/°C(TC > 25°C)|
    电气特性
    | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 集电极-发射极击穿电压 | 30 | 50 | Vdc |
    | 发射极-基极截止电流 | 10 | 10 | μAdc |
    | 集电极-基极截止电流 | 10 | 10 | μAdc |
    | 转移比 hFE (IC = 0.1mA) | 20 | 35
    | 转移比 hFE (IC = 1.0mA) | 25 | 50
    | 饱和电压 VCE(sat) (IC = 150mA) | 0.4 | 0.3 | Vdc |
    | 饱和电压 VBE(sat) (IC = 150mA) | 0.6 | 0.6 | Vdc |

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:符合MIL-PRF-19500/251标准,确保在恶劣环境下的稳定运行。
    2. 高效率:具备优良的电流传输能力,确保高效能的信号切换和放大。
    3. 温度适应性:工作温度范围广,适合各种严苛的工作条件。
    4. 紧凑设计:符合TO-39和TO-5封装标准,方便集成到现有系统中。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 通信系统:在无线通信模块中用于信号切换和放大。
    - 工业自动化:在控制系统中作为开关元件,实现精准控制。
    - 汽车电子:在车身控制系统中作为开关和信号放大器。
    使用建议
    - 在高温环境中使用时,注意散热设计,避免过热导致性能下降。
    - 选择合适的驱动电路以充分发挥其高效率特性。
    - 在设计时考虑到封装的物理尺寸,确保电路板布局合理。

    兼容性和支持


    该型号晶体管与多种电子元器件兼容,适用于广泛的系统设计。Microsemi公司提供详尽的技术文档和客户服务支持,确保用户能够在使用过程中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:晶体管发热严重。
    - 解决方案:增加散热片或优化散热路径,降低热阻。
    2. 问题:饱和电压过高。
    - 解决方案:检查驱动电路,调整基极电流,优化信号输入。
    3. 问题:无法达到预期电流传输效率。
    - 解决方案:确认信号源频率和幅度,调整电路参数以匹配晶体管的最佳工作状态。

    总结和推荐


    综上所述,Microsemi的2N2218和2N2219 NPN-Switching Silicon Transistors是高性能和高可靠性的代表,适用于多种应用场景。其广泛的适用范围和优越的电气特性使其成为市场上同类产品中的佼佼者。我们强烈推荐这些晶体管用于需要高精度和高效率的电子系统设计。

JANTX2N2219AL参数

参数
晶体管类型 NPN
最大功率耗散 800mW
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
配置 -
VCBO-最大集电极基极电压 75V
集电极电流 800mA
最大集电极发射极饱和电压 1V@ 50mA,500mA
VEBO-最大发射极基极电压 6V
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
集电极截止电流 10nA
通用封装 TO-39
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

JANTX2N2219AL厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

JANTX2N2219AL数据手册

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JANTX2N2219AL封装设计

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