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JANSR2N2907AUB

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: PNP 500mW 5V 50nA 60V 60V 600mA SMD-3P 贴片安装
供应商型号: JANSR2N2907AUBMS-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
MICROCHIP TECHNOLOGY 三极管(BJT) JANSR2N2907AUB

JANSR2N2907AUB概述


    产品简介


    Microsemi公司生产的2N2906A和2N2907A系列辐射硬化PNP晶体管是适用于各种高可靠性需求的应用场合的产品。这些晶体管采用MIL-PRF-19500/291标准认证,提供多种辐射耐受级别,从3K到100K拉德(Si)不等,广泛应用于航空航天、军事、卫星通信和工业控制等领域。该系列产品主要功能为开关操作,能够在高电压和高电流环境下稳定工作。

    技术参数


    以下是该系列晶体管的技术参数摘要:
    - 绝对最大额定值
    - 集电极-发射极电压 \( V{CEO} \): 60 Vdc
    - 集电极-基极电压 \( V{CBO} \): 60 Vdc
    - 发射极-基极电压 \( V{EBO} \): 5.0 Vdc
    - 集电极电流 \( IC \): 600 mA
    - 总功耗 @ \( TA = 25^\circ C \): 0.5 W
    - 工作和存储结温范围 \( T{op}, T{stg} \): -65至+200 °C
    - 热特性
    - 热阻,结至环境 \( R{\theta JA} \): 325 °C/W
    - 电气特性
    - 截止特性
    - 集电极-发射极击穿电压 \( V(BR){CEO} \): 60 Vdc
    - 集电极-基极截止电流 \( I{CBO} \): 10 μA (当 \( V{CB} = 60 \text{Vdc} \))
    - 导通特性
    - 正向电流传输比 \( h{FE} \): 40 至 450
    - 集电极-发射极饱和电压 \( V{CE(sat)} \): 0.4 至 1.6 Vdc
    - 基极-发射极电压 \( V{BE(sat)} \): 0.6 至 2.6 Vdc
    - 动态特性
    - 小信号短路正向电流传输比 \( h{fe} \): 40 至 100
    - 输出电容 \( C{obo} \): 8.0 pF
    - 输入电容 \( C{ibo} \): 30 pF
    - 开关特性
    - 开启时间 \( t{on} \): 45 ηs
    - 关闭时间 \( t{off} \): 300 ηs

    产品特点和优势


    2N2906A和2N2907A系列晶体管具有多个独特的特点,使其在市场上脱颖而出:
    - 辐射硬化设计:针对航空航天和军事应用,具备高度的辐射耐受性,分别可达3K至100K拉德(Si)。
    - 宽温度范围:-65至+200 °C的工作温度范围,确保在极端环境中仍能正常工作。
    - 高可靠性和稳定性:能够在高电压和高电流条件下长期稳定工作。
    - 多种封装选择:包括TO-18(TO-206AA)、3PIN、4PIN和陶瓷盖版本,满足不同应用的需求。

    应用案例和使用建议


    该系列晶体管常用于航空航天和军事系统中,例如:
    - 卫星通信系统:利用其高辐射耐受性,在太空环境中保持稳定性能。
    - 军事雷达系统:在恶劣环境下提供可靠的信号处理能力。
    使用建议:
    - 热管理:由于热阻较高(325 °C/W),需注意适当的散热措施以避免过热损坏。
    - 信号优化:根据实际应用需求调整驱动电路,优化信号传输效果。

    兼容性和支持


    这些晶体管具有良好的兼容性,可与其他标准的航空电子设备和军事设备配合使用。Microsemi公司提供了全面的技术支持和维护服务,包括产品文档、应用指南和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备过热
    - 解决方法: 添加散热片或散热器,改善散热条件。
    2. 问题: 信号失真
    - 解决方法: 检查驱动电路,优化匹配电阻和电容。
    3. 问题: 反相器失效
    - 解决方法: 确保正确的连接方式和电源供应。

    总结和推荐


    总体来看,2N2906A和2N2907A系列晶体管凭借其辐射硬化设计、宽温度范围和高可靠性等特点,在航空航天和军事领域具有显著优势。对于需要高可靠性电子组件的用户来说,这是非常值得推荐的选择。如果您的应用对辐射耐受性和温度稳定性有严格要求,这款产品将是理想之选。

JANSR2N2907AUB参数

参数
配置 -
集电极电流 600mA
最大功率耗散 500mW
最大集电极发射极饱和电压 1.6V@ 50mA,500mA
VCBO-最大集电极基极电压 60V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
晶体管类型 PNP
集电极截止电流 50nA
VEBO-最大发射极基极电压 5V
通用封装 SMD-3P
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,托盘

JANSR2N2907AUB厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

JANSR2N2907AUB数据手册

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JANSR2N2907AUB封装设计

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