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DTC114EU3T106

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述:
供应商型号: DTC114EU3T106 SOT-323
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 三极管(BJT) DTC114EU3T106

DTC114EU3T106概述

    DTC114EU3T10 数字晶体管技术手册

    产品简介


    DTC114EU3T10 是一款由深圳华轩阳电子有限公司生产的数字晶体管。这款晶体管采用SOT-323封装,主要用于各类数字电路的设计。它具有内置偏置电阻,无需外接输入电阻即可构建反相器电路,从而简化设计过程。适用于广泛的应用领域,如消费电子、工业控制以及通信设备。

    技术参数


    以下是DTC114EU3T10的主要技术规格:
    - 最大额定值:
    - 工作电压:\(V{CC}\) = 5V
    - 输入电压:\(V{IN}\) = -10 ~ +40 V
    - 峰值集电极电流:\(I{CM}\) = 100 mA
    - 最大功率耗散:\(PD\) = 200 mW
    - 工作温度范围:\(T{J}, T{STG}\) = -55 ~ +150 ℃
    - 电气特性:
    - \(VI(\text{off})\)(\(V{CC}=5V\), \(IO=100\mu A\)):\(V{IN}\) = 0.5 V
    - \(VI(\text{on})\)(\(VO=0.3V\), \(IO=10mA\)):\(V{IN}\) = 3 V
    - \(VO(\text{on})\)(\(IO/II=10mA/0.5mA\)):\(V{OUT}\) = 0.3 V
    - \(II\)(\(VI=5V\)):\(II\) = 0.88 mA
    - \(IO(\text{off})\)(\(V{CC}=50V\), \(VI=0\)):\(IO\) = 0.5 μA
    - \(DC\) 电流增益(\(VO=5V\), \(IO=5mA\)):\(GI\) = 30
    - 输入电阻(\(R1\)):7 kΩ 至 13 kΩ
    - 电阻比(\(R2/R1\)):0.8 ~ 1.2
    - 转换频率(\(fT\))(\(VO=10V\), \(IO=5mA\), \(f=100MHz\)):\(fT\) = 250 MHz

    产品特点和优势


    - 内置偏置电阻:使得电路设计更加简单,无需额外的输入电阻。
    - 负输入偏置能力:内置薄膜电阻提供完全隔离,允许负输入偏置。
    - 高可靠性:在-55℃到+150℃的工作温度范围内表现稳定。
    - 低功耗:最大功率耗散仅为200 mW。
    - 高速响应:转换频率高达250 MHz,适合高频应用。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 在消费电子产品中作为开关控制。
    - 在工业控制系统中作为信号放大器。

    - 使用建议:
    - 确保输入电压不超过-10V至+40V范围,以防止损坏。
    - 注意电源电压不能超过5V,否则可能引起过热或损坏。
    - 为了获得最佳性能,在设计时考虑其在-55℃到+150℃的工作温度范围内的稳定性。

    兼容性和支持


    DTC114EU3T10 与多种其他电子元器件兼容,如常见的电源模块和微控制器。公司提供了详细的技术文档和客户支持服务,以确保用户能够顺利使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何避免过载?
    - A: 确保输入电压不超过额定值,特别是不要让输入电压超过-10V至+40V范围。

    - Q: 高温下如何保证稳定性?
    - A: 设计时考虑采用散热措施,确保其在高温下的稳定性,避免因过热导致损坏。

    - Q: 如何测试其可靠性?
    - A: 使用适当的测试设备,在实际应用环境中进行长时间测试,确保其可靠性和稳定性。

    总结和推荐


    DTC114EU3T10 数字晶体管凭借其内置偏置电阻、高可靠性、低功耗和高速响应等特点,在众多应用中表现出色。特别适用于需要高频信号处理的场合。强烈推荐使用此款晶体管,以实现高效可靠的电子系统设计。

DTC114EU3T106参数

参数
集电极截止电流 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
晶体管类型 -
集电极电流 -
最大功率耗散 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
配置 -
最大集电极发射极饱和电压 -

DTC114EU3T106厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

DTC114EU3T106数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 三极管(BJT) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 DTC114EU3T106 DTC114EU3T106数据手册

DTC114EU3T106封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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9000+ ¥ 0.1253
15000+ ¥ 0.1221
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