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DTC114EU3T106

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: 0.2mW 500nA 50V SOT-323 贴片安装
供应商型号: DTC114EU3T106 SOT-323
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 三极管(BJT) DTC114EU3T106

DTC114EU3T106参数

参数
最大功率耗散 0.2mW
晶体管类型 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
集电极截止电流 500nA
集电极电流 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VCBO-最大集电极基极电压 -
最大集电极发射极饱和电压 0.3
VEBO-最大发射极基极电压 -
配置 -
通用封装 SOT-323
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级

DTC114EU3T106厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

DTC114EU3T106数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 三极管(BJT) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 DTC114EU3T106 DTC114EU3T106数据手册

DTC114EU3T106封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.1274
9000+ ¥ 0.1253
15000+ ¥ 0.1221
库存: 300000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 382.2
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