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2N2222A

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: 描述: 基本放大器 开关应用 线性驱动 固态继电器 逆变器与转换器 传感器接口 射频(RF)电路
供应商型号: 2N2222A TO-92
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 三极管(BJT) 2N2222A

2N2222A概述

    2N2222A NPN 塑料封装晶体管

    产品简介


    2N2222A是一款由深圳市华轩阳电子有限公司(HXYMOS)生产的互补型NPN双极性晶体管,广泛应用于模拟电路、开关电路和放大电路等领域。这种晶体管以其高可靠性、稳定的性能和广泛的应用范围而著称。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-基极击穿电压 \( V{(\text{BR})\text{CBO}} \): 75 V
    - 集电极-发射极击穿电压 \( V{(\text{BR})\text{CEO}} \): 40 V
    - 发射极-基极击穿电压 \( V{(\text{BR})\text{EBO}} \): 6 V
    - 最大集电极电流 \( IC \): 0.6 A
    - 最大集电极耗散功率 \( P{C} \): 625 mW
    - 热阻 \( \theta{JA} \): 200 \( \Omega / W \)

    - 电气特性
    - 电流增益 \( h{FE}(1) \): 100~300 ( \( V{CE}=10V, IC=150mA \) )
    - 电流增益 \( h{FE}(2) \): 40 ( \( V{CE}=10V, IC=0.1mA \) )
    - 电流增益 \( h{FE}(3) \): 42 ( \( V{CE}=10V, IC=500mA \) )
    - 饱和压降 \( V{CE(sat)}(1) \): 0.6 V ( \( IC=500mA, IB=50mA \) )
    - 饱和压降 \( V{CE(sat)}(2) \): 0.3 V ( \( IC=150mA, IB=15mA \) )
    - 基极-发射极饱和电压 \( V{BE(sat)} \): 1.2 V ( \( IC=500mA, IB=50mA \) )
    - 开关时间 \( td \): 10 ns
    - 上升时间 \( tr \): 25 ns
    - 存储时间 \( tS \): 225 ns
    - 下降时间 \( tf \): 60 ns
    - 转换频率 \( fT \): 300 MHz ( \( V{CE}=20V, IC=20mA \) )

    产品特点和优势


    2N2222A晶体管具备以下显著特点:
    - 高电流增益:不同工作条件下具有高电流增益,适用于需要稳定电流输出的场合。
    - 低饱和电压:在高电流状态下,仍能保持较低的饱和电压,适合用于高速开关应用。
    - 快速开关特性:具备快速的开关时间和转换频率,适合作为高频信号处理的开关元件。
    - 良好的热稳定性:具备较高的热稳定性,能在较宽的工作温度范围内保持性能稳定。

    应用案例和使用建议


    2N2222A晶体管广泛应用于各类模拟和数字电路中,例如:
    - 音频放大器:利用其稳定的增益特性实现高质量音频信号的放大。
    - 开关电源:由于其低饱和电压和快速开关特性,适合作为开关电源中的开关元件。
    - 逻辑电路:利用其快速的开关时间和高电流增益,作为逻辑门电路的关键组件。
    使用建议:
    - 在设计高电流应用时,应注意散热问题,确保集电极耗散功率不超过最大额定值。
    - 在高频信号处理中,应特别注意输入信号的上升时间和下降时间,以避免信号失真。

    兼容性和支持


    - 兼容性:2N2222A晶体管采用TO-92封装,易于与其他标准组件兼容。
    - 技术支持:深圳华轩阳电子有限公司提供全面的技术支持和售后服务,包括产品选型指导和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - Q: 晶体管在高温下性能不稳定?
    - A: 确保晶体管工作温度不超过其最大额定值,并采用适当的散热措施。

    - Q: 晶体管在高电流下过热?
    - A: 适当降低电流负载,或者增加外部散热装置以提高热效率。

    总结和推荐


    总体而言,2N2222A晶体管具备出色的电气特性和广泛的适用性,是模拟电路和数字电路中理想的半导体元件选择。其高电流增益、低饱和电压和快速开关特性使其成为许多应用中的理想选择。鉴于其高性能和广泛应用范围,强烈推荐在上述领域中使用2N2222A晶体管。需要注意的是,在进行涉及生命安全的应用时,请务必先咨询专业代表并遵循相关指南。

2N2222A参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 -
集电极电流 -
最大集电极发射极饱和电压 -
配置 -
集电极截止电流 -
晶体管类型 -
最大功率耗散 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
通用封装 TO-92

2N2222A厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

2N2222A数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 三极管(BJT) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 2N2222A 2N2222A数据手册

2N2222A封装设计

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