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KSA1182YMTF

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: PNP 100nA 30V 500mA SOT-23-3 贴片安装
供应商型号: SEU-KSA1182YMTF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) KSA1182YMTF

KSA1182YMTF概述

    KSA1182 PNP Epitaxial Silicon Transistor 技术手册

    产品简介


    KSA1182是一款PNP双极型晶体管,属于低频功率放大器系列,主要用于提供电压增益和电流增益。它主要用于模拟电路设计,适用于多种电子设备,如音频放大器、信号调节电路等。作为KSC2859的补充产品,KSA1182能够满足多种应用需求,特别是在需要高增益和稳定性的情况下表现尤为出色。

    技术参数


    KSA1182的主要技术参数如下表所示:
    | 参数 | 电气特性 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VCBO | 集电极-基极电压 | -35 | V |
    | VCEO | 集电极-发射极电压 | -30 | V |
    | VEBO | 发射极-基极电压 | -5 | V |
    | IC | 集电极电流 | -500 | mA |
    | PC | 集电极耗散功率 | 150 | mW |
    | TJ | 结温 | 150 | °C |
    | TSTG | 存储温度范围 -55 150 | °C |
    | hFE1 | 电流增益 | VCE=-1V, IC=-100mA | 70 | 120 | 240
    | hFE2 | 电流增益 | VCE=-6V, IC=-400mA | 25 | 240
    | VCE(sat) | 集电极-发射极饱和电压 | IC=-100mA, IB=-10mA| -0.1 | -0.25 V |
    | VBE(on) | 基极-发射极开启电压 | VCE=-1V, IC=-100mA | -0.8 | -1.0 V |
    | fT | 电流增益带宽积 | VCE=-6V, IC=-20mA 200 | MHz |
    | Cob | 输出电容 | VCB=-6V, IE=0, f=1MHz 13 | pF |

    产品特点和优势


    KSA1182具有以下显著特点和优势:
    - 宽广的工作温度范围:-55°C 至 +150°C,适应多种环境下的使用需求。
    - 高增益特性:静态电流增益 hFE 在不同测试条件下可达到70至240,提供稳定的电流放大效果。
    - 低饱和电压:集电极-发射极饱和电压仅为-0.25V,减少了功耗,提高了效率。
    - 高带宽性能:电流增益带宽积高达200 MHz,适合处理高频信号。
    - 输出电容低:13 pF 的输出电容有助于减少信号失真。

    应用案例和使用建议


    KSA1182广泛应用于音频放大器、信号调理电路和电源管理等领域。以下是几个典型的应用案例和建议:
    - 音频放大器:在音频放大器的设计中,选择合适的偏置电压和负载电阻来实现最佳音质。
    - 信号调理电路:通过优化偏置网络确保晶体管稳定工作。
    - 电源管理:选择适当的散热器以保证器件在高功率工作时的热稳定性。

    兼容性和支持


    KSA1182与市面上主流的电子元件具有良好的兼容性,适用于各类电子系统。ON Semiconductor 提供详细的技术支持文档和应用指南,帮助客户快速集成到设计方案中。如果在使用过程中遇到任何问题,可以联系技术支持团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    根据手册提供的信息,整理了一些常见问题及解决方案:
    - 问:如何正确接线?
    答:按照器件引脚图正确连接各端子,确保基极、发射极和集电极分别连接到正确的电路节点。

    - 问:晶体管发热严重怎么办?
    答:合理布置散热片,或者增加外部风扇来改善散热效果,避免因过热导致器件损坏。

    - 问:晶体管电流不稳定怎么办?
    答:检查电路偏置网络,调整电阻值以保证基极电流和发射极电流的稳定性。

    总结和推荐


    KSA1182 PNP晶体管以其出色的性能和可靠性成为众多应用的理想选择。尤其适用于需要高增益、低饱和电压和高带宽的场景。其广泛的应用范围和良好的兼容性使其成为市场上的一款值得推荐的产品。如果你正在寻找一款可靠的PNP晶体管用于关键的电子系统,KSA1182无疑是一个明智的选择。

KSA1182YMTF参数

参数
最大功率耗散 -
晶体管类型 PNP
集电极截止电流 100nA
VEBO-最大发射极基极电压 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
集电极电流 500mA
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 10mA,100mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 30V
配置 -
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
包装方式 散装

KSA1182YMTF厂商介绍

Fairchild Semiconductor(费尔柴尔德半导体)是一家历史悠久的美国半导体公司,成立于1957年,总部位于加利福尼亚州。该公司专注于设计、制造和销售各种模拟、混合信号和功率管理集成电路(ICs)。Fairchild的产品广泛应用于工业、汽车、计算机、通信和消费电子等领域。

主营产品分类包括:
1. 电源管理:提供电源转换、电源分配和电源保护解决方案。
2. 信号管理:包括放大器、接口、数据转换器等,用于信号处理和传输。
3. 移动和无线:为移动设备提供电源管理和信号处理解决方案。
4. 工业:提供工业控制系统和自动化所需的半导体产品。
5. 汽车:为汽车电子系统提供高性能的半导体解决方案。

Fairchild Semiconductor的优势在于:
1. 技术创新:拥有强大的研发能力,不断推出创新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同市场和应用需求。
3. 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

KSA1182YMTF数据手册

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSA1182YMTF KSA1182YMTF数据手册

KSA1182YMTF封装设计

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