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2N5551

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: 200mV@ 50mA,5mA NPN 350mW 6V 50nA 60V 160V 600mA TO-226,TO-92 通孔安装
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) 2N5551

2N5551概述

    MMBT5551 NPN通用型放大器:技术深度解析

    产品简介


    MMBT5551 是一款设计用于高压放大器和气体放电显示驱动器的 NPN 通用型晶体管。作为一款高性能半导体器件,它广泛应用于需要高电流处理能力和稳定性能的场景,例如音频放大器、通信设备以及消费类电子产品。其主要功能是作为信号放大器,通过增强输入信号的功率来驱动后续电路。此外,MMBT5551 支持直流和交流信号的放大,是一款多用途的电子元件。

    技术参数


    以下是 MMBT5551 的关键技术规格及性能指标:
    | 参数名称 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO) | — | 160 | V |
    | 集电极-基极击穿电压 (V(BR)CBO) | — | 180 | V |
    | 发射极-基极击穿电压 (V(BR)EBO) | — | 6.0 | V |
    | 集电极截止电流 (ICBO) | — | 50 nA (TA=25℃) | A |
    | 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)) | 0.15 | 0.20 | V |
    | 小信号电流增益 (Hfe) | 50 | 250 | — |
    | 输出电容 (Cobo) | — | 6.0 | pF |
    | 输入电容 (Cibo) | — | 20 | pF |
    此外,该器件的绝对最大额定值包括:集电极-发射极电压 (VCEO) 为 160 V,工作温度范围为 -55 至 +150 ℃。热阻参数 RJA 为 357 ℃/W,总功耗 PD 为 350 mW,具有良好的散热性能。

    产品特点和优势


    1. 环保设计:支持无铅 (Pb-Free)、无卤化物以及 RoHS 标准,符合严格的环境保护要求。
    2. 卓越性能:在高频和低频条件下均表现出优异的增益带宽积(fT = 100 MHz)和噪声系数(NF = 8.0 dB)。
    3. 广泛适用性:适用于多种环境和电路需求,涵盖工业、汽车和消费类电子领域。
    4. 稳定性强:能够在极端温度范围内保持性能稳定,提供可靠的操作保证。

    应用案例和使用建议


    MMBT5551 在各类放大电路和显示驱动电路中有着广泛应用,例如音频功放、LED 显示屏驱动器以及电信设备接口模块。使用建议如下:
    1. 环境控制:确保电路设计具备适当的散热措施,以避免高温对性能的影响。
    2. 信号匹配:根据具体应用需求合理调整输入输出阻抗匹配,以获得最佳信号传递效果。
    3. 负载选择:为确保安全运行,建议设计中包含保护电路,如过压保护二极管等。

    兼容性和支持


    MMBT5551 采用 SOT-23-3 封装,外形小巧便于集成,支持与其他标准接口芯片配合使用。安森美(onsemi)提供详尽的技术文档和支持服务,包括 PDF 数据手册、应用指南以及在线技术支持,便于客户快速上手和开发。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 输出电流不足 | 检查电源电压和负载电阻设置是否正确。 |
    | 噪声较大 | 优化电路设计,减少干扰源。 |
    | 温度过高导致器件损坏 | 加装散热片或风扇进行强制散热。 |

    总结和推荐


    综上所述,MMBT5551 是一款高性能且多功能的晶体管产品,其环保设计、稳定的电气性能以及广泛的适用范围使其成为众多电子设计的理想选择。特别是在需要放大功能的复杂电路中,MMBT5551 的表现尤为出色。因此,强烈推荐此产品给寻求高品质半导体元件的设计工程师和技术采购人员。

2N5551参数

参数
最大功率耗散 350mW
VCBO-最大集电极基极电压 60V
集电极电流 600mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 200mV@ 50mA,5mA
配置 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 160V
VEBO-最大发射极基极电压 6V
晶体管类型 NPN
集电极截止电流 50nA
最大集电极发射极饱和电压 0.2@ 5mA,50mA
通用封装 TO-226,TO-92
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 散装

2N5551厂商介绍

Fairchild Semiconductor(费尔柴尔德半导体)是一家历史悠久的美国半导体公司,成立于1957年,总部位于加利福尼亚州。该公司专注于设计、制造和销售各种模拟、混合信号和功率管理集成电路(ICs)。Fairchild的产品广泛应用于工业、汽车、计算机、通信和消费电子等领域。

主营产品分类包括:
1. 电源管理:提供电源转换、电源分配和电源保护解决方案。
2. 信号管理:包括放大器、接口、数据转换器等,用于信号处理和传输。
3. 移动和无线:为移动设备提供电源管理和信号处理解决方案。
4. 工业:提供工业控制系统和自动化所需的半导体产品。
5. 汽车:为汽车电子系统提供高性能的半导体解决方案。

Fairchild Semiconductor的优势在于:
1. 技术创新:拥有强大的研发能力,不断推出创新产品。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同市场和应用需求。
3. 质量控制:严格的质量管理体系,确保产品的可靠性和稳定性。
4. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

2N5551数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N5551 2N5551数据手册

2N5551封装设计

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