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UJ3N120035K3S

产品分类: 结型场效应管(JFET)
产品描述: 429W 429W 20V 1个N沟道 1.2KV 45mΩ 63A 独立式 2.145nF@100V 1.2KV TO-247-3 通孔安装
供应商型号: DV-30151484
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
UNITED SILICON CARBIDE 结型场效应管(JFET) UJ3N120035K3S

UJ3N120035K3S概述

    35mW - 1200V SiC Normally-On JFET | UJ3N120035K3S

    产品简介


    United Silicon Carbide, Inc. 的 UJ3N120035K3S 是一款高性能的碳化硅(SiC)常开结型场效应晶体管(JFET)。这款器件具有超低导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG),使其适用于低导通损耗和低开关损耗的应用场合。其常开特性及在零栅源电压(VGS = 0 V)时的低导通电阻(RDS(ON))使得它特别适合用于过电流保护电路以及分压操作。该产品广泛应用于过电流保护电路、直流-交流逆变器、开关模式电源、功率因数校正模块、电机驱动和感应加热等领域。

    技术参数


    - 额定参数:
    - 最大漏源电压 (VDS): 1200 V
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 63 A
    - 最大功率耗散 (Ptot): 185 W
    - 最大结温 (TJ,max): 175°C
    - 最大储存温度 (TSTG): -55°C 至 175°C
    - 最大门-源电压 (VGS): ±20 V
    - 低栅极电荷 (QG): 235 nC
    - 低输入电容 (Ciss): 2145 pF
    - 低输出电容 (Coss): 180 pF
    - 低反向传输电容 (Crss): 172 pF
    - 典型性能:
    - 导通电阻 (RDS(on)): 35 mΩ(在 VGS = 2V, ID = 20A 时)
    - 开启延时时间 (td(on)): 25 ns
    - 关闭延时时间 (td(off)): 48 ns
    - 热阻 (RqJC): 0.27 °C/W
    - 有效输出电容 (Coss): 105 pF
    - 额定结温 (TJ): 175°C

    产品特点和优势


    UJ3N120035K3S 具有以下几个显著的特点和优势:
    - 极快的开关速度: 不受温度影响的超快速开关特性使其在高频率应用中表现出色。
    - 低导通电阻: RDS(ON)仅为 35 mΩ,大大降低了导通损耗。
    - 低栅极电荷: QG为235 nC,有助于降低驱动损耗。
    - 高温性能优越: 在高达175°C的温度下仍能保持稳定性能,适用于严苛的工作环境。
    - 符合RoHS标准: 确保环保合规。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: UJ3N120035K3S 广泛应用于各种电源转换和控制设备中,如开关电源、功率因数校正模块、电机驱动系统和感应加热装置。例如,在开关电源中,它可以有效地减少开关损耗并提高效率。
    - 使用建议:
    - 在设计中考虑使用适当的散热措施,以保证器件在高温环境下的稳定运行。
    - 选用合适的外部电阻(RG)来限制峰值电流,从而减少关断时的能量损耗。
    - 结合其他电子元件进行合理布局,以最大限度地减小寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性: UJ3N120035K3S 与多种高压功率半导体和其他器件兼容,可以方便地集成到现有的电路设计中。
    - 支持: United Silicon Carbide, Inc. 提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线资料库和客户支持团队,以帮助用户解决问题和提供技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 如何降低导通电阻?
    - 解决方案: 通过优化栅极驱动电压(VGS)和电流(ID),选择合适的外部电阻(RG)来实现。

    - 问题2: 如何提高开关速度?
    - 解决方案: 使用低电容、低杂散电感的布局设计,并确保充足的散热措施。

    总结和推荐


    UJ3N120035K3S 以其出色的性能、可靠的高温稳定性以及广泛的适用性,成为开关电源和功率转换应用的理想选择。对于需要高效率和可靠性的应用场合,强烈推荐使用 UJ3N120035K3S。然而,由于其严格的温度和电流要求,建议在使用前仔细阅读技术手册并遵循相关规范。

UJ3N120035K3S参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
Idss-不同Vds(Vgs=0)时的漏极电流 -
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 429W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ
Id-连续漏极电流 63A
最大功率 429W
Vgs-栅源极电压 -
击穿电压 1.2KV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.145nF@100V
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

UJ3N120035K3S厂商介绍

United Silicon Carbide(USC)是一家领先的半导体公司,专注于碳化硅(SiC)半导体技术的研发和生产。USC的主营产品包括碳化硅基的功率器件和射频器件,这些产品广泛应用于电力电子、电动汽车、可再生能源、工业自动化和通信等领域。

碳化硅功率器件因其高效率、耐高温和耐高压的特性,在电动汽车的充电和驱动系统中尤为重要。射频器件则因其在高频应用中的性能优势,被广泛应用于5G通信基站、**系统和**通信等领域。

USC的优势在于其先进的碳化硅材料技术和制造工艺,这使得公司能够提供高性能、高可靠性的半导体产品。此外,USC还拥有强大的研发团队和专利技术,能够不断推动碳化硅技术的发展和创新。通过与全球合作伙伴的紧密合作,USC致力于为客户提供定制化的解决方案,以满足不断变化的市场需求。

UJ3N120035K3S数据手册

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UNITED SILICON CARBIDE 结型场效应管(JFET) UNITED SILICON CARBIDE UJ3N120035K3S UJ3N120035K3S数据手册

UJ3N120035K3S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 30.6772 ¥ 261.6762
3+ $ 29.505 ¥ 251.6779
10+ $ 27.6271 ¥ 235.6591
25+ $ 25.308 ¥ 215.8775
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