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NGW75T60H3DF-VB

产品分类: IGBT单管
产品描述: IGBT;TO247,650V,75A;VCEsat_1.8V@VGE=±30V;Vth=4-6V;
供应商型号: NGW75T60H3DF-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 IGBT单管 NGW75T60H3DF-VB

NGW75T60H3DF-VB概述


    产品简介


    NGW75T60H3DF-VB 高性能 IGBT
    NGW75T60H3DF-VB 是一种适用于多种应用的高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。它具有超低的饱和电压(VCEsat),低关断损耗,高速开关能力以及高耐温特性。这些特点使其成为电源转换、电信设备、工业设备和可再生能源系统中的理想选择。
    应用领域
    - 电信行业:服务器和电信电源供应
    - 照明行业:高强度放电灯(HID)、荧光灯
    - 消费和计算:ATX 电源供应
    - 工业设备:焊接设备、电池充电器
    - 可再生能源:太阳能光伏逆变器
    - 开关模式电源:开关模式电源供应(SMPS)

    技术参数


    - 基本参数
    - 集电极-发射极电压 (VCE): 600 V
    - 最大集电极电流 (IC): 90 A (TC=25°C), 75 A (TC=100°C)
    - 门极-发射极电压 (VGE): ±30 V
    - 最大结温 (TJ): 175°C
    - 短路承受时间 (tSC): 3 μs (TC=150°C, VGE=15V, VCE≤400V)
    - 性能参数
    - 卫生电击穿电压 (BVCE): 600 V
    - 门极-源极阈值电压 (VGE(th)): 4 V (最小), 6 V (最大)
    - 关断能量 (Eoff): 0.31 mJ
    - 开启延迟时间 (td(on)): 60 ns
    - 下降时间 (tf): 30 ns
    - 内部发射极电感 (LE): 13 nH
    - 动态参数
    - 输入电容 (Cies): 4600 pF
    - 输出电容 (Coes): 235 pF
    - 反向转移电容 (Cres): 72 pF
    - 热阻参数
    - 结至环境的最大热阻 (RthJA): 40 °C/W
    - 结至外壳的最大热阻 (RthJC): 0.5 °C/W

    产品特点和优势


    1. 超低饱和电压 (VCEsat):确保更低的导通损耗。
    2. 低关断损耗:有助于提高效率。
    3. 高速开关能力:提高系统整体响应速度。
    4. 高耐温特性:最高结温可达175°C,适用于高温环境。
    5. 低门极电荷 (Qg):减少门极驱动功率需求。
    6. 雪崩能量额定值 (UIS):保证可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电信设备:用于服务器和电信电源供应,因其能够处理高电流和高温度环境。
    - 可再生能源系统:如太阳能光伏逆变器,因能承受高温并提供高效的电力转换。
    - 工业设备:例如焊接设备,能承受瞬间大电流且具备高耐温特性。
    使用建议
    1. 散热设计:由于该IGBT在高温下仍能工作,合理设计散热系统非常重要,以防止过热。
    2. 驱动电路设计:为减少门极电荷,可以使用专用的驱动电路。
    3. 短路保护:确保短路保护机制能够快速响应,以保护IGBT免受损坏。

    兼容性和支持


    该产品与大多数标准IGBT驱动电路兼容。VBsemi 提供详细的技术文档和支持,以便客户能够顺利集成该IGBT到其系统中。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何避免过热?
    - 答:合理设计散热系统,确保IGBT的结温不超过175°C。
    2. 问:如何正确驱动IGBT?
    - 答:使用专为IGBT设计的驱动电路,并注意门极电压和电流的要求。
    3. 问:如何测试雪崩能量额定值 (UIS)?
    - 答:按照技术手册中的测试方法进行,确保测试条件符合规定。

    总结和推荐


    NGW75T60H3DF-VB 是一款具有高可靠性和高性能的IGBT,特别适合于电信、可再生能源和工业领域的应用。其超低饱和电压和高速开关特性使其成为市场上极具竞争力的产品。强烈推荐在高电流和高温环境下使用的应用场合中使用此产品。

NGW75T60H3DF-VB参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 -
配置 -
集电极电流 -
最大功率耗散 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 -
通用封装 TO-247

NGW75T60H3DF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NGW75T60H3DF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 IGBT单管 VBSEMI/微碧半导体 NGW75T60H3DF-VB NGW75T60H3DF-VB数据手册

NGW75T60H3DF-VB封装设计

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