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IXBL60N360

产品分类: IGBT单管
厂牌: IXYS
产品描述: 3.6KV 92A ISOPLUS-I5-PAK-3 贴片安装,通孔安装 20.29mm*5.21mm*26.42mm
供应商型号: ZT-IXBL60N360
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS IGBT单管 IXBL60N360

IXBL60N360概述


    产品简介


    IXBL60N360是一款高性能的高电压、高频功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于BiMOSFET系列。它集成了硅芯片直接铜键合(DCB)基底和电隔离表面,使其具有出色的电气隔离性能。这款产品广泛应用于开关电源、不间断电源(UPS)、激光发电机、电容器放电电路和交流开关等领域。

    技术参数


    以下是IXBL60N360的主要技术参数:
    - 最大额定值:
    - 集电极-发射极击穿电压 (VCES): 3600V (TJ = 25°C 到 150°C)
    - 集电极-栅极击穿电压 (VCGR): 3600V (TJ = 25°C 到 150°C, RGE = 1MΩ)
    - 栅极-源极电压 (VGES): 持续 ±20V
    - 栅极-源极瞬态电压 (VGEM): ±30V
    - 集电极电流 (IC):
    - 25°C (TC) 时:92A
    - 110°C (TC) 时:36A
    - 最大单脉冲峰值电流 (ICM): 720A (TC = 25°C)
    - 峰值短路安全工作区 (SSOA): VGE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 4.7Ω,ICM = 480A
    - 非重复性单脉冲安全工作区 (SCSOA): 10μs 冲击电压 ≤ 1500V
    - 最大功率耗散 (PC): 417W (TC = 25°C)
    - 结温 (TJ): -55°C 到 +150°C
    - 结温最高值 (TJM): 150°C
    - 存储温度范围 (Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 最大引脚焊接温度 (TL): 300°C
    - 焊接塑料体最高温度 (TSOLD): 260°C
    - 安装力(带有夹子)(FC): 30..170 / 7..36 N/lb
    - 特征值:
    - 集电极-发射极击穿电压 (BVCES): 3600V (IC = 250μA, VGE = 0V)
    - 栅极-源极开启电压 (VGE(th)): 3.0V 至 5.0V (IC = 250μA, VCE = VGE)
    - 发射极漏电流 (ICES): 25μA (VCE = 3000V, VGE = 0V),TJ = 100°C 时为 125μA
    - 栅极漏电流 (IGES): ±200nA (VCE = 0V, VGE = ±20V)
    - 输出饱和电压 (VCE(sat)):
    - IC = 60A, VGE = 15V 时为 2.8V 至 3.4V
    - TJ = 125°C 时为 3.4V
    - 反向二极管正向压降 (VF): 5.0V (IF = 60A, VGE = 0V)
    - 动态特性:
    - 反向恢复时间 (trr): 1.95μs (IF = 30A, VGE = 0V, -diF/dt = 150A/μs, VR = 100V, VGE = 0V)
    - 反向阻断电流 (IRM): 78A
    - 反向阻断电荷 (QRM): 75.7μC

    产品特点和优势


    - 低门驱动需求:得益于其高频率操作能力和优化的驱动特性,IXBL60N360显著降低了对门驱动的需求,提高了系统的能效。
    - 高功率密度:这款MOSFET的紧凑设计和卓越的热管理能力,确保了更高的功率密度,特别适用于需要高效能转换的应用场合。
    - 高可靠性:集成的电隔离特性使得该产品能够承受高达4000V的电气隔离电压,适用于高电压和高频环境。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:适用于需要高效能转换和精确控制的应用场合。可以用于设计高效的DC-DC转换器或AC-DC整流器。
    - 不间断电源 (UPS):作为UPS系统的核心组件,IXBL60N360能够提供可靠的电力转换和保护。
    - 激光发电机:利用其高频操作特性和高电压耐受能力,IXBL60N360在激光发电机中表现优异,确保系统的稳定运行。
    使用建议:
    - 散热管理:为了确保最佳性能和可靠性,在使用过程中需要良好的散热设计。建议使用高质量的散热片和热界面材料来提高热传导效率。
    - 电路布局优化:尽量缩短栅极和源极之间的走线长度,以减少寄生电感并改善开关速度。
    - 过载保护:建议在电路中加入适当的过载保护措施,例如熔断器或快速熔丝,以防止过载损坏器件。

    兼容性和支持


    IXBL60N360具有广泛的兼容性,可以与其他标准MOSFET和IGBT产品一起使用。IXYS公司提供了详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够在整个产品生命周期内获得必要的帮助和技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确保正确的门驱动电压?
    - 答: 根据手册中的技术规格,IXBL60N360的推荐门驱动电压为±20V。使用合适的门驱动器或控制器来确保门驱动信号满足要求。
    2. 问:如何避免热失控?
    - 答: 在进行高功率测试或长时间连续工作时,确保良好的散热设计,使用热沉或其他冷却方法,防止器件因过热而损坏。
    3. 问:反向恢复时间较长会带来什么影响?
    - 答: 较长的反向恢复时间会导致能量损失增加,影响转换效率。在设计时应考虑使用外部二极管或选择具有更短反向恢复时间的器件。

    总结和推荐


    综上所述,IXBL60N360是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,具备低门驱动需求、高功率密度和高电气隔离等优点。无论是用于开关电源、不间断电源还是其他高压高频应用场合,IXBL60N360都能表现出色。对于需要高效率和高可靠性的应用,强烈推荐使用IXBL60N360。

IXBL60N360参数

参数
最大功率耗散 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 3.6KV
最大集电极发射极饱和电压 -
配置 -
集电极电流 92A
长*宽*高 20.29mm*5.21mm*26.42mm
通用封装 ISOPLUS-I5-PAK-3
安装方式 贴片安装,通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IXBL60N360厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXBL60N360数据手册

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IXYS IGBT单管 IXYS IXBL60N360 IXBL60N360数据手册

IXBL60N360封装设计

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