处理中...

首页  >  产品百科  >  FIO50-12BD

FIO50-12BD

产品分类: IGBT单管
厂牌: IXYS
产品描述: 200W 独立式 1.2KV 50A ISOPLUS-I4-PAC-5 贴片安装 19.91mm*5.03mm*20.88mm
供应商型号: ZT-FIO50-12BD
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS IGBT单管 FIO50-12BD

FIO50-12BD概述

    FIO 50-12BD 电子元器件技术手册

    产品简介


    FIO 50-12BD 是一款由 IXYS 公司生产的双向开关,集成了 NPT3 IGBT 和快恢复二极管(HiPerFREDTM),适用于控制交流电路中的双向电流流动。它被广泛应用于矩阵转换器、备用矩阵转换器和交流控制器等领域。这款产品采用 ISOPLUS i4-PACTM 封装,具有多种卓越性能,使其在高功率应用中表现出色。

    技术参数


    FIO 50-12BD 的主要技术参数如下:
    - IGBT 特性
    - 最大漏源电压 (VCES): 1200 V
    - 最大栅极发射极电压 (VGES): ± 20 V
    - 集电极电流 (IC):
    - TC = 25°C 时: 50 A
    - TC = 90°C 时: 32 A
    - 最大峰值集电极电流 (ICM): 50 A
    - 重复短路耐受能力 (VCEK): 1200 V
    - 短路安全操作区域 (SCSOA) 电流:50 A
    - 最大功耗 (Ptot): 200 W (TC = 25°C)
    - 饱和压降 (VCE(sat)):
    - TC = 25°C 时: 2.0 V
    - TC = 125°C 时: 2.3 V
    - 开关时间:
    - td(on): 85 ns
    - tr: 50 ns
    - td(off): 440 ns
    - tf: 50 ns
    - 二极管特性
    - 最大正向电流 (IF):
    - TC = 25°C 时: 48 A
    - TC = 90°C 时: 25 A
    - 正向压降 (VF):
    - TC = 25°C 时: 2.4 V
    - TC = 125°C 时: 1.8 V
    - 反向恢复时间 (trr): 150 ns
    - 热阻 (RthJC): 1.3 K/W (每个二极管)

    产品特点和优势


    FIO 50-12BD 的主要特点包括:
    - 低饱和电压: 这使得 IGBT 在高电流条件下具有更高的效率。
    - 正温度系数: 有助于并联使用多个器件,提高系统可靠性。
    - 快速开关: 适合高频和高功率应用。
    - 短尾电流: 优化了谐振电路中的性能。
    - 快恢复二极管: 减少了反向恢复损耗,提高了系统的整体效率。
    - ISOPLUS i4-PACTM 封装: 提供隔离背表面,减少耦合电容,增强抗干扰性能,增加散热能力。
    这些特点使得 FIO 50-12BD 在电力电子和工业自动化领域的应用中表现出色,尤其是在需要高效能和高可靠性的场景下。

    应用案例和使用建议


    FIO 50-12BD 适用于以下应用场景:
    - 矩阵转换器: 实现电力变换和控制。
    - 备用矩阵转换器: 提供冗余和故障保护。
    - 交流控制器: 控制电动机和其他交流负载。
    使用建议:
    - 散热管理: 由于其高功耗,良好的散热设计至关重要。使用合适的散热片和热管理策略,确保其工作温度不超过额定值。
    - 驱动电路设计: 使用适当的栅极电阻 (RG),以确保 IGBT 的开关速度和稳定性。根据实际需求调整 RG 值。
    - 防干扰措施: 由于耦合电容较低,可以减少电磁干扰对系统的影响,但仍需考虑适当的布线和屏蔽。

    兼容性和支持


    FIO 50-12BD 与各种标准电路和设备兼容,且具备 ISOPLUS i4-PACTM 封装,易于集成到现有系统中。IXYS 提供全面的技术支持,包括设计咨询和故障排查服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关频率过高导致器件过热。
    - 解决方案: 使用更大面积的散热片或水冷系统进行散热,适当降低开关频率。
    - 问题: 正向压降过高影响系统效率。
    - 解决方案: 确保 IGBT 和二极管工作在合适的温度范围内,优化驱动电路设计,减少正向压降。
    - 问题: 电流超过最大额定值导致损坏。
    - 解决方案: 使用合适的过流保护机制,如熔断器或限流电阻,避免电流超过器件额定值。

    总结和推荐


    FIO 50-12BD 是一款高性能的双向开关,特别适用于高功率和高频率的应用场景。其低饱和电压、快速开关特性和高可靠性使其成为许多电力电子应用的理想选择。尽管价格较高,但其出色的性能和高可靠性使其在复杂和关键的电力转换系统中表现出色。因此,强烈推荐在需要高效和高可靠性的应用中使用 FIO 50-12BD。

FIO50-12BD参数

参数
配置 独立式
集电极电流 50A
最大功率耗散 200W
VCEO-集电极-发射极最大电压 1.2KV
最大集电极发射极饱和电压 -
长*宽*高 19.91mm*5.03mm*20.88mm
通用封装 ISOPLUS-I4-PAC-5
安装方式 贴片安装

FIO50-12BD厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

FIO50-12BD数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS IGBT单管 IXYS FIO50-12BD FIO50-12BD数据手册

FIO50-12BD封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 6.3145 ¥ 52.9154
库存: 0
起订量: 11 增量: 24
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
2MBI100VA-060-50 ¥ 0
2MBI150VA-060-50 ¥ 211.875
2MBI200VA-060-50 ¥ 240.125
5302DG-AA3-R ¥ 0.2782
AOK20B135E1 ¥ 0
AOK30B120D2 ¥ 25.4542
AOK30B60D1 ¥ 18.252
AOK40B120H1 ¥ 20.7581
AOK60B60D1 ¥ 30.2728
AOT10B60D ¥ 9.5665