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IXYJ20N120C3D1

产品分类: IGBT单管
厂牌: IXYS
产品描述: 105W 4V 独立式 3.4V@ 15V,20A 21A TO-247-3 通孔安装 16.13mm*5.21mm*21.34mm
供应商型号: ZT-IXYJ20N120C3D1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS IGBT单管 IXYJ20N120C3D1

IXYJ20N120C3D1概述

    高速IGBT电子元器件技术手册解析

    产品简介


    IXYJ20N120C3D1是一款由IXYS公司生产的高速绝缘栅双极晶体管(IGBT),适用于20至50kHz的开关频率应用。这款IGBT具备多项独特的设计和功能,如低切换损耗优化、直接铜键合基板上的硅芯片以及正温度系数的Vce(sat),使其在电力转换器、不间断电源系统(UPS)、电机驱动装置、开关模式电源(SMPS)及功率因数校正电路(PFC)等领域具有广泛的应用前景。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | VCES(集电极-发射极电压) | 1200V 1200V |
    | VGE(th)(门极开启电压) | 3.0V | 5.0V
    | ICM(最大电流) | 21A | 9A | 15A |
    | RBSOA(雪崩耐量) | 400mJ | 84A
    | EAS(短路耐量) | 400mJ
    | Ptot(总功耗) | 105W
    | Tj,max(最大结温) | 150°C
    此外,IGBT还具有以下特性:
    - 门极电容:典型值为9.0nC
    - 开启时间:典型值为20ns
    - 关闭时间:典型值为90ns
    - 传输电导:典型值为11.5S

    产品特点和优势


    IXYJ20N120C3D1具有以下显著的特点和优势:
    - 低切换损耗:专门针对低切换损耗进行优化。
    - 集成式隔离表面:提供了更高的可靠性和更简单的安装。
    - 正温度系数的Vce(sat):有助于防止热失控,提高系统的稳定性。
    - 高电流密度:可承受高电流,适用于大功率应用。
    这些特点使得这款IGBT在高频率电力转换应用中表现出色,具备市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    IXYJ20N120C3D1已被广泛应用于各种高性能电力转换系统中,如高频率电源逆变器、不间断电源系统、电机驱动装置、开关模式电源及功率因数校正电路等。根据技术手册提供的应用场景和测试结果,我们建议用户在选择应用时应注意以下几点:
    - 在设计电路时要充分考虑IGBT的开关特性,以确保其能在规定的频率范围内正常工作。
    - 考虑散热问题,尤其是在高电流和高频环境下工作时,以避免IGBT过热。
    - 尽量减少门极驱动的复杂度,以降低功耗和成本。

    兼容性和支持


    IXYJ20N120C3D1采用ISO TO-247封装,兼容大多数标准电源模块。同时,IXYS公司提供全面的技术支持,包括详细的安装指南、常见问题解答和技术咨询等服务,确保客户能获得最佳的使用体验。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册中的常见问题和解决方案,以下是几个可能遇到的问题及其解决方法:
    - 问题:IGBT在运行时出现过热现象。
    - 解决方案:检查散热设计,确保IGBT的外壳温度不超过规定值,必要时可以添加额外的散热片。
    - 问题:电路中IGBT的门极信号不稳定。
    - 解决方案:确认门极驱动器输出信号的幅度和频率符合要求,检查是否有噪声干扰,增加滤波电容。

    总结和推荐


    IXYJ20N120C3D1凭借其优化的低切换损耗、集成的隔离表面、正温度系数的Vce(sat)等特点,在多种高频率电力转换应用中展现出卓越的性能。结合其广泛的兼容性和强大的技术支持,我们强烈推荐此款IGBT用于各类高性能电力转换系统的设计和开发中。

IXYJ20N120C3D1参数

参数
配置 独立式
集电极电流 21A
最大功率耗散 105W
VCEO-集电极-发射极最大电压 3.4V@ 15V,20A
最大集电极发射极饱和电压 4V
长*宽*高 16.13mm*5.21mm*21.34mm
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXYJ20N120C3D1厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXYJ20N120C3D1数据手册

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IXYS IGBT单管 IXYS IXYJ20N120C3D1 IXYJ20N120C3D1数据手册

IXYJ20N120C3D1封装设计

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