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IXYH30N120C3D1

产品分类: IGBT单管
厂牌: IXYS
产品描述: IXYS IGBT, 最大 1200 V, 最大 66 A
供应商型号: IXYH30N120C3D1
供应商: 国内现货
标准整包数: 360
IXYS IGBT单管 IXYH30N120C3D1

IXYH30N120C3D1概述

    IXYH30N120C3D1 高速IGBT技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:IXYH30N120C3D1是一款1200V XPTTM IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,适用于频率范围为20-50kHz的开关应用。它集成了一个优化的反并联超快二极管,使其在高频逆变器和其他电源转换应用中表现出色。
    主要功能:
    - 低开关损耗优化设计
    - 正温度系数的Vce(sat)
    - 可用于大电流处理的应用场合
    - 符合国际标准封装
    应用领域:
    - 高频功率逆变器
    - 不间断电源(UPS)
    - 电机驱动
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 功率因数校正电路(PFC)
    - 电池充电器
    - 焊接机
    - 灯泡镇流器

    2. 技术参数


    - 电压额定值:
    - VCES: 1200V
    - VCGR: 1200V
    - VGE(th): 3.0 ~ 5.0V
    - VCE(sat): ≤3.3V (典型值)

    - 电流额定值:
    - ICM: 133A(1ms脉冲宽度)
    - IC: 30A(TC = 110°C)

    - 其他特性:
    - 最高结温 (TJ): -55 ~ +150°C
    - 最大栅极电压 (VGES): ±20V
    - 负载条件下的热阻 (RthJC): 0.90°C/W
    - 栅极电荷 (Qg(on)): 69nC
    - 输入容抗 (Cies): 1640pF
    - 输入电导 (gfs): 10 ~ 17S (IC = 30A, VCE = 10V)

    3. 产品特点和优势


    特点:
    - 优化低开关损耗
    - 方形反向偏置安全工作区 (RBSOA)
    - 正温度系数的Vce(sat),提高系统可靠性
    - 内置反并联超快二极管,减少外部组件
    - 雪崩耐受能力
    - 高电流处理能力
    - 国际标准封装,便于安装
    优势:
    - 高功率密度
    - 低门极驱动要求,易于控制
    - 适用于高频率开关应用,显著降低能耗

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 在高频逆变器中替代传统的硅基IGBT,显著提升能效
    - 在电机驱动中提供更快的响应速度,减少开关损耗
    - 在不间断电源中实现高效能源转换,减少能耗
    使用建议:
    - 在高压高电流环境下使用时,需要确保良好的散热设计,以避免过热
    - 在高频切换应用中,注意选择合适的栅极电阻,以优化开关速度和降低损耗
    - 定期检查IGBT的工作状态,及时替换故障部件

    5. 兼容性和支持


    - 该产品与各种主流电路板和控制器兼容,可方便集成到现有系统中
    - 厂商提供详细的技术文档、应用指南及技术支持服务

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 检查栅极电阻值,调整至最优设置 |
    | 热管理不佳 | 使用散热片或散热器,确保良好的热传导路径 |
    | 性能不稳定 | 重新校准输入电压和电流,确保输入信号稳定 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,IXYH30N120C3D1高速IGBT凭借其优秀的性能指标和广泛的应用范围,在高频开关应用中表现出色。其优化的低开关损耗和高功率密度使其成为多种电力电子系统的理想选择。我们强烈推荐此产品给需要高性能IGBT的应用工程师和设计师。
    这份技术手册涵盖了IXYH30N120C3D1高速IGBT的所有关键信息,旨在帮助工程师和技术人员更好地理解和应用该产品。希望这些内容对您有所帮助。

IXYH30N120C3D1参数

参数
集电极电流 66A
最大功率耗散 416W
VCEO-集电极-发射极最大电压 3.3V@ 15V,30A
最大集电极发射极饱和电压 3.7V
配置 独立式
16.26mm(Max)
5.3mm(Max)
21.46mm(Max)
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXYH30N120C3D1厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXYH30N120C3D1数据手册

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IXYS IGBT单管 IXYS IXYH30N120C3D1 IXYH30N120C3D1数据手册

IXYH30N120C3D1封装设计

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720+ ¥ 93.3619
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