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IXYH12N250CV1HV

产品分类: IGBT单管
厂牌: IXYS
产品描述: 4.5V@ 15V,12A 28A TO-247 通孔安装
供应商型号: 238-IXYH12N250CV1HV-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
IXYS IGBT单管 IXYH12N250CV1HV

IXYH12N250CV1HV概述

    XPTTM 高压 IGBT 产品技术手册

    1. 产品简介


    XPTTM IGBT(绝缘栅双极型晶体管)系列,结合了IGBT与反向二极管,为各种高功率应用提供了高性能解决方案。其主要应用于开关模式电源、不间断电源系统(UPS)、激光发生器、电容放电电路以及交流开关等领域。XPTTM IGBT采用先进的技术设计,具备高电压承载能力和低饱和电压,使得它在高压大电流环境中表现出色。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VCEO):最大2500V
    - 连续电流 (IC):在25°C时可达28A,110°C时为12A
    - 峰值电流 (IF):1ms脉冲条件下,在110°C时可达14A
    - 最大集电极功耗 (PC):在25°C时为310W
    - 最大结温 (TJ):-55°C至+175°C
    - 封装形式:TO-247HV 和 TO-268HV

    3. 产品特点和优势


    - 高电压承载能力:最高可达2500V,适用于高压应用环境。
    - 低饱和电压:典型值仅为4.50V,提高能效。
    - 高电流处理能力:在高温条件下仍保持出色的电流处理能力。
    - 低门极驱动需求:简化驱动电路设计。
    - 高功率密度:适合紧凑型设计。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关模式电源:通过优化电路布局,减少寄生电感,降低损耗。
    - 不间断电源系统(UPS):确保系统稳定运行,提升电池寿命。
    - 激光发生器:精确控制电流输出,确保激光输出稳定。
    - 电容放电电路:快速充电和放电能力,提高效率。
    使用建议:
    - 在高功率应用中,建议优化散热设计以确保IGBT长期稳定运行。
    - 在复杂电磁环境下,增加滤波措施,避免信号干扰。

    5. 兼容性和支持


    XPTTM IGBT支持多种封装形式,与现有的电路设计具有良好的兼容性。IXYS公司提供详尽的技术文档和及时的技术支持,确保用户在使用过程中能够得到充分的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热保护启动 | 检查散热设计,必要时增加散热片。 |
    | 开关频率过高 | 调整驱动电路,降低开关频率。 |
    | 饱和电压偏高 | 检查门极驱动电压是否合适,调整驱动条件。 |

    7. 总结和推荐


    XPTTM IGBT凭借其高电压承载能力、低饱和电压和高电流处理能力,在高压大电流应用领域具有显著的优势。其广泛的应用范围和优秀的性能使其成为众多工程师的选择。尽管初期投入可能较高,但从长远来看,其优异的表现和可靠性能够显著降低总体成本。强烈推荐在需要高性能IGBT的应用中考虑使用XPTTM IGBT。

IXYH12N250CV1HV参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 4.5V@ 15V,12A
最大集电极发射极饱和电压 -
配置 -
集电极电流 28A
最大功率耗散 -
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXYH12N250CV1HV厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXYH12N250CV1HV数据手册

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IXYS IGBT单管 IXYS IXYH12N250CV1HV IXYH12N250CV1HV数据手册

IXYH12N250CV1HV封装设计

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