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IXGT6N170A

产品分类: IGBT单管
厂牌: IXYS
产品描述: 75KW 5.5V 独立式 7V@ 15V,3A 6A TO-268AA 贴片安装 16.05mm*14mm*5.1mm
供应商型号: IXGT6N170A-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
IXYS IGBT单管 IXGT6N170A

IXGT6N170A概述

    # 高压IGBT产品技术手册:IXGH6N170 和 IXGT6N170

    产品简介


    IXGH6N170 和 IXGT6N170 是由IXYS公司生产的一系列高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。这些IGBT具有高电压和大电流的特点,广泛应用于各种电力转换系统,如不间断电源(UPS)、电机驱动、直流伺服和机器人驱动、直流斩波器、开关模式及谐振模式电源供应器等。

    技术参数


    以下是根据技术手册整理的主要技术规格和性能参数:
    最大额定值
    - 最高集电极-发射极电压 (VCES):1700V
    - 最大集电极电流 (IC):12A(TC = 25°C),6A(TC = 90°C)
    - 最大峰值电流 (ICM):24A
    - 最大短时过载安全操作区域 (SSOA):12A
    - 最大结温 (TJ):-55°C 到 +150°C
    - 最大壳温 (Tstg):-55°C 到 +150°C
    - 最大引线温度 (TL):300°C
    - 最大焊接温度 (TSOLD):260°C(从外壳0.062英寸处1.6毫米,持续10秒)
    特征值
    - 集电极-发射极击穿电压 (BVCES):≥ 1700V
    - 门限电压 (VGE(th)):3.0V 到 5.0V
    - 饱和电压 (VCE(sat)):≤ 4.0V
    - 输入电容 (Cies):330pF
    - 输出电容 (Coes):23pF
    - 反向恢复电容 (Cres):6pF
    - 栅极电荷 (Qg):20.0nC
    动态参数
    - 开通时间 (td(on)):40ns
    - 上升时间 (tri):36ns
    - 关断时间 (td(off)):250ns 至 500ns
    - 关断恢复时间 (tfi):290ns 至 500ns
    - 导通能量 (Eon):0.5mJ
    - 关断能量 (Eoff):1.5mJ 至 2.5mJ

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:这些IGBT采用国际标准封装,方便在不同设备中集成使用。
    - 高功率密度:能够在紧凑的空间内提供较高的功率输出。
    - 低门极驱动要求:能够以较低的门极驱动电压和电流实现高效控制。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 不间断电源 (UPS):IXGH6N170 和 IXGT6N170 在UPS系统中用于高效地管理电池充电和放电过程。
    - 电机驱动:在电机驱动系统中,它们可以用于调节电流,确保电机平稳运行。
    使用建议
    - 散热设计:由于高功率密度,需要良好的散热设计以避免热失控。建议使用散热片或其他冷却装置。
    - 门极驱动电路:为了获得最佳性能,应选择适当的门极驱动电路以降低门极驱动要求。

    兼容性和支持


    这些IGBT兼容常见的电源转换系统和其他电子元件,IXYS公司提供了全面的技术支持和售后服务,包括详细的使用指南和技术文档。

    常见问题与解决方案


    问题一:高结温导致器件失效
    解决方案:确保良好的散热设计,必要时使用外部冷却装置。
    问题二:开关损耗过高
    解决方案:优化门极驱动电路,减少开关损耗。使用较低门极驱动电压可以显著减少开关损耗。

    总结和推荐


    IXGH6N170 和 IXGT6N170 以其高电压耐受能力和高功率密度成为市场上非常受欢迎的产品。其低门极驱动要求和广泛的适用范围使其非常适合各种电力转换应用。对于需要高可靠性和高性能的用户,强烈推荐使用这些IGBT。

IXGT6N170A参数

参数
最大功率耗散 75KW
VCEO-集电极-发射极最大电压 7V@ 15V,3A
最大集电极发射极饱和电压 5.5V
配置 独立式
集电极电流 6A
长*宽*高 16.05mm*14mm*5.1mm
通用封装 TO-268AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXGT6N170A厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXGT6N170A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS IGBT单管 IXYS IXGT6N170A IXGT6N170A数据手册

IXGT6N170A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 14.9032 ¥ 124.7212
30+ $ 9.0934 ¥ 76.1005
510+ $ 7.6506 ¥ 64.0262
库存: 8
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