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IXBH5N160G

产品分类: IGBT单管
厂牌: IXYS
产品描述: 68W 4.9V 独立式 7.2V@ 15V,3A 5.7A TO-247AD 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: ZT-IXBH5N160G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS IGBT单管 IXBH5N160G

IXBH5N160G概述

    高压BIMOSFET技术手册解析

    1. 产品简介


    本手册介绍了两种高压BIMOSFET(IXBP 5N160 G 和 IXBH 5N160 G),这些产品属于IXYS Semiconductor GmbH公司制造的BIMOSFET系列。它们是具有高电压特性的单片双极型MOS晶体管,适用于多种功率转换应用,如开关模式电源供应器、直流-直流变换器、谐振变换器等。这类器件不仅可以用作传统高压MOSFET的替代品,而且具有更低的电压降,支持MOSFET兼容控制,特别适合高频操作。此外,这些产品也支持反向导通能力,使其在电路设计中更为灵活多变。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:VCES(最高耐受电压)为1600V,最大集电极电流IC25在25℃时为5.7A,在90℃时为3.5A。
    - 工作参数:VGE(th)(门极开启阈值电压)范围为3.5V至5.5V,VCE(sat)(饱和电压)最大值为7.2V。
    - 开关时间特性:td(on)(导通延迟时间)为140ns,tr(上升时间)为200ns,td(off)(关断延迟时间)为120ns,tf(下降时间)为70ns。
    - 其他特性:Cies(输入电容)为325pF,Qgon(栅极充电电荷)为26nC,VF(反向恢复电压)为6V,热阻RthJC为1.85K/W。

    3. 产品特点和优势


    - 高电压耐受能力:最大耐压达1600V,能够满足高电压应用需求。
    - 低导通损耗:具有较低的饱和电压,确保运行效率更高。
    - 快速开关性能:拥有较快的开关时间和极低的反向恢复时间,非常适合高频应用。
    - 反向导通能力:提供反向导通路径,增强电路设计灵活性。
    - 行业标准封装:采用TO-220AB和TO-247AD封装,易于安装与集成,符合UL94V-0标准,确保了更高的安全性能。

    4. 应用案例和使用建议


    这类高压BIMOSFET广泛应用于需要高电压、高效率、快速开关的应用中,例如开关模式电源、直流-直流变换器等。在具体应用时,用户需根据实际负载条件选择合适的驱动电路,以确保器件能在最佳状态下工作。同时,应注意散热管理,避免因过热导致性能下降或损坏。

    5. 兼容性和支持


    这些产品与大部分现有的高压MOSFET控制系统兼容,便于集成到现有系统中。IXYS Semiconductor GmbH提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决安装和调试过程中可能遇到的问题。此外,对于更复杂的应用需求,厂商还提供了专业的技术支持团队,协助用户进行定制化开发。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何正确连接BIMOSFET?
    A:参照产品手册,正确连接引脚(Anode, Cathode, Gate)。确保所有连接点牢固,防止接触不良。

    - Q:遇到过热问题怎么办?
    A:使用合适的散热器,并确保良好的空气流通,避免长时间超负荷运行。

    - Q:如何判断是否已经损坏?
    A:通过测试工具检查VGE、VCE和ICE等关键参数,如果出现异常则可能是损坏的表现。

    7. 总结和推荐


    总的来说,IXBP 5N160 G 和 IXBH 5N160 G 高压BIMOSFET凭借其卓越的电气特性、快速的开关性能及广泛的适用范围,成为了高功率转换领域的理想选择。尽管成本稍高于普通MOSFET,但其高性能带来的长期效益足以证明其投资价值。因此,强烈推荐在对高效能、可靠性和灵活性要求较高的应用中使用这一系列器件。

IXBH5N160G参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 7.2V@ 15V,3A
最大集电极发射极饱和电压 4.9V
配置 独立式
集电极电流 5.7A
最大功率耗散 68W
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IXBH5N160G厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXBH5N160G数据手册

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IXBH5N160G封装设计

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