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IXXH75N60C3D1

产品分类: IGBT单管
厂牌: IXYS
产品描述: 750KW 1.85V 600V 150A TO-247AD 通孔安装
供应商型号: IXXH75N60C3D1
供应商: 国内现货
标准整包数: 300
IXYS IGBT单管 IXXH75N60C3D1

IXXH75N60C3D1概述

    XPTTM 600V IGBT with GenX3TM Diode

    1. 产品简介


    XPTTM 600V IGBT(带GenX3TM续流二极管) 是一款专为20至60 kHz开关频率设计的极端轻度穿通型IGBT产品,型号为IXXH75N60C3D1。它采用国际标准封装TO-247,并具备优秀的性能和可靠性,主要适用于功率逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电路(PFC)、电池充电器、焊接设备和灯具镇流器等应用场景。
    这款IGBT芯片额定电压为600V,具有强大的短路能力和雪崩耐受能力,是一款性能卓越的高压高速开关器件。

    2. 技术参数


    以下是XPTTM 600V IGBT的主要技术规格:
    - 额定电压(VCES):600V
    - 集电极电流(Ic):75A @ TC = 110°C,150A @ TC = 25°C
    - 饱和压降(VCE(sat)):≤2.3V @ Ic = 60A, VGE = 15V
    - 关断时间(td(off)):90–130ns
    - 导通时间(td(on)):33ns
    - 反向恢复时间(trr):100ns @ 100°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +175°C
    - 最大功率耗散(PC):750W @ TC = 25°C
    - 热阻抗(RthJC):0.20°C/W
    - 工作环境温度(TJ):-55°C 至 +175°C
    - 焊接最高温度(TL):300°C
    - 封装尺寸:TO-247
    续流二极管参数:
    - 反向恢复峰值电流(IRM):4A @ TJ = 100°C
    - 反向恢复时间(trr):100ns @ TJ = 100°C
    - 反向电压(VF):2.7V @ IF = 30A, VGE = 0V

    3. 产品特点和优势


    特点:
    - 针对20-60 kHz高频开关进行了优化;
    - 具有方波区域安全工作区(RBSOA),增强安全性;
    - 内置高性能续流二极管,提供快速反向恢复性能;
    - 支持短路保护和高能雪崩耐受能力;
    - 符合国际标准的TO-247封装,易于安装和维护。
    优势:
    - 极高的功率密度,支持广泛的工作温度范围(-55°C 至 +175°C);
    - 基于175°C的高热稳定性,确保长期运行可靠性;
    - 硬质封装设计,抗冲击能力强,适用于严苛的应用环境;
    - 低门极驱动需求,降低系统复杂度和功耗。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    - 工业电源:用于制造设备如逆变器和电池充电器。
    - 消费类电子产品:适配各种家电,如照明控制器、暖风机等。
    - 绿色能源:适合风能、太阳能系统中的功率转换器。
    使用建议:
    1. 确保模块安装时遵循推荐的扭矩值(Md = 1.13Nm),避免过紧或松动导致失效;
    2. 使用时注意限制输入瞬态电压(VGEM),避免损坏门极驱动;
    3. 在高频操作条件下,优先选用较低门极电阻(RG)以减少开关损耗;
    4. 如需更高效率,建议使用带有散热片的设计以改善热管理。

    5. 兼容性和支持


    该产品采用通用的TO-247封装,可与多数主流门极驱动器配合使用,例如IXYS系列IGBT驱动器。同时,IXYS公司提供了详细的技术文档和全面的支持服务,包括在线技术支持、现场调试和维修中心。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开启后无响应 | 检查门极驱动电路连接,确保驱动电压符合要求(15V)。 |
    | 热失控现象 | 增加散热装置,降低环境温度或改进散热设计。 |
    | 导通时间延迟 | 减小门极电阻(RG)以提升开关速度。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    XPTTM 600V IGBT(IXXH75N60C3D1)凭借其优异的开关特性和高可靠性,在多个行业中表现出色。它在宽温范围内工作的能力,使其成为工业、绿色能源及消费电子领域的理想选择。
    推荐意见:
    此款IGBT非常值得推荐,尤其对于需要高性能开关元件的应用场景。不过,由于其较高的电流和电压规格,建议根据具体应用设计良好的散热和驱动系统以充分发挥其潜力。
    最终结论:
    强烈推荐!

IXXH75N60C3D1参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 600V
最大集电极发射极饱和电压 1.85V
配置 -
集电极电流 150A
最大功率耗散 750KW
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXXH75N60C3D1厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXXH75N60C3D1数据手册

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IXXH75N60C3D1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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600+ ¥ 31.13
1200+ ¥ 31.13
2400+ ¥ 31.13
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