处理中...

首页  >  产品百科  >  2SD1000K

2SD1000K

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: SHIKUES/台湾时科
产品描述: NPN 100nA 800mA SOT-89-3
供应商型号: 2SD1000KSOT-89
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1000
SHIKUES/台湾时科 三极管(BJT) 2SD1000K

2SD1000K概述

    2SD1000 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor 技术手册

    产品简介


    2SD1000 是一款适用于开关和放大器应用的 NPN 硅外延平面晶体管。特别适合音频驱动阶段(AF-driver stages)和低功率输出阶段。这种晶体管因其高可靠性、稳定的工作性能以及广泛的应用范围,在市场上具有较高的竞争力。

    技术参数


    以下是 2SD1000 的主要技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值(Ta = 25°C)
    - 集电极-基极电压:VCBO = 40V
    - 集电极-发射极电压:VCEO = 25V
    - 发射极-基极电压:VEBO = 6V
    - 集电极电流:IC = 0.8A
    - 功率耗散:Ptot = 625mW
    - 结温:Tj = 150°C
    - 存储温度范围:TStg = -55°C 至 +150°C
    - 特性(Ta = 25°C)
    - 直流电流增益 (hFE)
    - VCE = 1V, IC = 5mA: 120
    - VCE = 1V, IC = 100mA: 200
    - VCE = 1V, IC = 800mA: 45
    - 集电极-基极截止电流:ICBO < 100nA
    - 发射极-基极截止电流:IEBO < 100nA
    - 集电极-基极击穿电压:V(BR)CBO = 40V
    - 集电极-发射极击穿电压:V(BR)CEO = 25V
    - 发射极-基极击穿电压:V(BR)EBO = 6V
    - 饱和电压(集电极-发射极)
    - IC = 800mA, IB = 80mA: VCE(sat) ≤ 0.5V
    - 饱和电压(基极-发射极)
    - IC = 800mA, IB = 80mA: VBE(sat) ≤ 1.2V
    - 增益带宽积:fT = 100MHz(VCE = 10V, IC = 50mA)
    - 集电极-基极电容:COB = 9pF(VCB = 10V, f = 1MHz)

    产品特点和优势


    - 高可靠性和稳定性:2SD1000 在多种应用条件下表现出色,确保长期稳定的性能。
    - 多功能性:适用于开关和放大器应用,特别是音频驱动阶段和低功率输出阶段。
    - 卓越的电流增益性能:提供不同的电流增益选项,以适应各种应用场景的需求。
    - 低饱和电压:较低的饱和电压有助于提高电路的整体效率。

    应用案例和使用建议


    - 音频驱动阶段:由于其出色的音频驱动性能,2SD1000 可用于音频放大器的前级驱动。为了达到最佳效果,建议优化电源供应,确保供电电压稳定。
    - 低功率输出阶段:在需要低功耗的应用中,2SD1000 可以有效降低能耗。建议根据具体需求调整偏置电阻,确保晶体管工作在最佳状态。
    - 开关应用:在开关应用中,2SD1000 的低饱和电压和高开关速度可显著提高电路的效率。建议确保驱动信号的波形质量,以实现快速切换。

    兼容性和支持


    - 封装:SOT-89 封装形式,方便安装和焊接。
    - 制造商支持:提供详细的技术文档和支持服务,以帮助用户解决问题并优化设计。

    常见问题与解决方案


    - 问题:晶体管工作时发热严重。
    - 解决方法:检查散热措施是否充分,适当增加散热片或使用散热胶。
    - 问题:饱和电压过高。
    - 解决方法:优化偏置电路,减少驱动电流,确保晶体管在最佳状态下工作。
    - 问题:噪声较大。
    - 解决方法:检查电路布局,确保接地良好,减少外部干扰。

    总结和推荐


    2SD1000 NPN 硅外延平面晶体管是一款高性能的产品,适用于多种应用场景,特别是在音频驱动和低功率输出方面表现出色。其优异的电流增益性能和低饱和电压使其成为设计师的理想选择。我们强烈推荐此产品,特别是在需要高可靠性和稳定性的场合。

2SD1000K参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
最大集电极发射极饱和电压 -
最大功率耗散 -
晶体管类型 NPN
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
集电极截止电流 100nA
配置 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
集电极电流 800mA
通用封装 SOT-89-3

2SD1000K数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
SHIKUES/台湾时科 三极管(BJT) SHIKUES/台湾时科 2SD1000K 2SD1000K数据手册

2SD1000K封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 0.1633
3000+ ¥ 0.1576
70000+ ¥ 0.1463
库存: 15000
起订量: 1000 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 163.3
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
1214-110V ¥ 2707.0919
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AUA ¥ 310.2704
2N2222AUA ¥ 200.5286
2N2222AUB ¥ 338.8957