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2SB798

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: SHIKUES/台湾时科
产品描述: PNP 100nA 1A SOT-89-3 贴片安装
供应商型号: 14M-2SB798 SOT-89
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1000
SHIKUES/台湾时科 三极管(BJT) 2SB798

2SB798概述

    电子元器件产品技术手册解析

    产品简介


    本文将对一款型号为2SB798的晶体管进行详细的介绍和技术参数解析。这款晶体管主要用于各种电气和电子电路中的开关和放大功能。它是一种PNP型硅基通用晶体管,适用于广泛的工业应用,如控制电路、电源管理和信号处理等。

    技术参数


    以下是该产品的技术规格和性能参数:
    - 最大额定值
    - 集电极-发射极电压 (IB=0): \( V{CEO} = 25 \, \text{V} \)
    - 集电极-基极电压 (IE=0): \( V{CBO} = 30 \, \text{V} \)
    - 发射极-基极电压 (IC=0): \( V{EBO} = 6 \, \text{V} \)
    - 集电极电流: \( IC = 1.0 \, \text{A} \)
    - 总耗散功率 (TA=25℃): \( P{tot} = 1 \, \text{W} \)
    - 结温: \( T{jM} = 150 \, \text{℃} \)
    - 存储温度: \( T{STG} = -55 \sim 150 \, \text{℃} \)
    - 电气特性 (除非另有说明,TA=25℃)
    - 集电极-发射极击穿电压 \( V(BR){CEO} \): \( IC = 2 \, \text{mA}, IB = 0 \), 最大值 \( 25 \, \text{V} \)
    - 集电极-基极击穿电压 \( V(BR){CBO} \): \( IC = 100 \, \mu\text{A}, IE = 0 \), 最大值 \( 30 \, \text{V} \)
    - 发射极-基极击穿电压 \( V(BR){EBO} \): \( IE = 100 \, \mu\text{A}, IC = 0 \), 最大值 \( 6 \, \text{V} \)
    - 前向电流传输比 \( h{FE} \):
    - DL: \( V{CE} = 1 \, \text{V}; IC = 100 \, \text{mA} \),最小值 \( 135 \),最大值 \( 270 \)
    - DK: \( V{CE} = 1 \, \text{V}; IC = 100 \, \text{mA} \),最小值 \( 200 \),最大值 \( 400 \)
    - 集电极-基极电流 \( I{CBO} \): \( V{CB} = 35 \, \text{V}, IE = 0 \),最大值 \( 100 \, \text{nA} \)
    - 集电极-发射极饱和电压 \( V{CE(sat)} \): \( IC = 800 \, \text{mA}, IB = 80 \, \text{mA} \),最大值 \( 0.5 \, \text{V} \)
    - 特征频率 \( fT \): \( IC = 50 \, \text{mA}, V{CE} = 10 \, \text{V}, f = 100 \, \text{MHz} \),最小值 \( 200 \, \text{MHz} \)
    - 封装尺寸
    - SOT-89 封装
    - 尺寸:
    - A: 1.4 mm 至 1.6 mm
    - b: 0.35 mm 至 0.55 mm
    - b1: 0.4 mm 至 0.65 mm
    - b2: 1.6 mm
    - c: 0.35 mm 至 0.45 mm
    - D: 4.4 mm 至 4.6 mm
    - E: 2.35 mm 至 2.55 mm
    - e: 1.5 mm
    - e1: 3 mm
    - HE: 4.15 mm
    - L: 2.7 mm
    - LE: 1.0 mm
    - α: 5°

    产品特点和优势


    2SB798 晶体管具备以下显著特点和优势:
    - 高耐压和电流能力:其集电极-发射极电压高达25V,集电极电流达1.0A,使得其在高压和高电流的应用环境中表现优异。
    - 宽工作温度范围:存储温度范围宽广,从-55℃到150℃,适用于极端环境下的应用。
    - 良好的电流传输比:前向电流传输比 \( h{FE} \) 的最小值为135,适合需要高增益的应用场景。
    - 紧凑封装:采用SOT-89封装,体积小巧,方便集成到各类电路板设计中。

    应用案例和使用建议


    根据手册中的应用场景和示例,可以将其应用于各种需要高电流和高耐压的电路中,例如电源管理模块、电机驱动器和控制系统等。为了最大化其性能,建议采取以下措施:
    - 确保电路布局合理,避免过热,特别是在高电流工作时。
    - 使用散热片或散热器以提高热管理效果。
    - 在高频应用中考虑特征频率的影响,确保稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    2SB798晶体管在SOT-89封装下具有良好的通用性,可与其他类似封装的电子元器件兼容。厂家提供了全面的技术支持和售后服务,包括详细的安装指南和技术咨询,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的常见问题及其解决方案:
    - 问题:晶体管过热
    - 解决方案:增加散热片或散热器,调整电路布局以改善热管理。
    - 问题:性能不稳定
    - 解决方案:检查输入电压和电流是否符合规格要求,确认接线正确无误。
    - 问题:电路噪音
    - 解决方案:增加滤波电容,优化电路设计以减少噪声干扰。

    总结和推荐


    综上所述,2SB798晶体管凭借其出色的电气特性和广泛的工作温度范围,在多个应用领域表现出色。其高耐压、高电流能力和紧凑的封装使其成为多种工业应用的理想选择。如果您的项目需要高性能、可靠且易于集成的晶体管,强烈推荐使用2SB798。对于需要详细技术支持的用户,建议联系厂商获取更深入的支持服务。

2SB798参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 -
晶体管类型 PNP
集电极截止电流 100nA
VEBO-最大发射极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
最大功率耗散 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极电流 1A
配置 -
通用封装 SOT-89-3
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

2SB798数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
SHIKUES/台湾时科 三极管(BJT) SHIKUES/台湾时科 2SB798 2SB798数据手册

2SB798封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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3000+ ¥ 0.12
44000+ ¥ 0.1165
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