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IS46TR16640B-15GBLA2

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
产品描述: 1Gb (64M x 16) 64Mx16 1.425V 180mA 1.575V 667MHz Parallel 16bit BGA 贴片安装
供应商型号: IS46TR16640B-15GBLA2-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INTEGRATED SILICON SOLUTION 动态随机存储器(DRAM) IS46TR16640B-15GBLA2

IS46TR16640B-15GBLA2概述

    高性能DDR3 SDRAM技术解析:IS43/46TR系列

    产品简介


    IS43/46TR系列是Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)推出的高性能DDR3 SDRAM存储器产品,主要面向商业、工业以及汽车领域的需求。该系列提供两种配置:128MB×8位和64MB×16位,具有卓越的数据传输速率和功耗管理能力,能够满足现代嵌入式系统和消费电子设备对存储器性能的需求。
    主要功能包括:标准电压模式下支持1.5V±0.075V的工作电压,同时具备低电压选项(L)以支持1.35V的供电,兼容性出色;提供高达1066MHz的系统频率支持,通过8内部银行设计实现并发操作;内置的预取架构进一步提升了数据传输效率;灵活的CAS延迟和突发长度设置增强了应用灵活性。此外,支持自动自刷新、部分阵列自刷新和动态片上终止等功能,使其特别适合高可靠性、高性能的应用场景。

    技术参数


    | 参数 | 规格描述 |

    | 工作电压 | 标准电压:1.5V ± 0.075V;低电压选项:1.35V +0.1V,-0.067V |
    | 数据传输速率 | 最高可达1066MHz |
    | 内部银行数量 | 8个 |
    | 预取架构 | 8n位预取架构 |
    | CAS延迟(CL) | 可编程,支持多种延迟值 |
    | CAS写延迟(CWL) | 可编程,依据时钟周期调整 |
    | 突发长度 | 支持4和8字节突发 |
    | 刷新间隔 | 7.8μs(8192行刷新周期,64ms),或3.9μs(高温条件下),全温范围覆盖 |
    | 自动预充电 | 支持自动预充电到指定或所有银行 |
    | 温度范围 | 商业级(0°C至+95°C),工业级(-40°C至+95°C),汽车级A1(-40°C至+95°C),汽车级A2(-40°C至+105°C) |

    产品特点和优势


    IS43/46TR系列DDR3 SDRAM以其出色的性能表现和多样化的应用能力在市场上脱颖而出。关键优势如下:
    1. 高灵活性:支持多种配置选项和可编程参数,适应不同应用需求。
    2. 高可靠性:具备动态片上终止(Dynamic ODT)、部分阵列自刷新(Partial Array Self Refresh)等功能,提升数据完整性。
    3. 低功耗设计:提供标准电压和低电压模式选择,降低整体能耗,适合便携式设备。
    4. 广泛兼容性:支持多芯片阵列连接,满足工业和汽车市场的严格要求。

    应用案例和使用建议


    IS43/46TR系列DDR3 SDRAM适用于各类嵌入式系统,如车载娱乐系统、工业控制设备、网络通信设备等。
    - 车载娱乐系统:其宽温度范围和高可靠性使其成为车载影音系统和导航系统的理想选择。
    - 工业控制系统:支持工业级温度范围和低功耗特性,适合作为关键任务应用的存储器模块。
    使用建议:在选择具体型号时,需根据应用需求确定配置(128MB×8或64MB×16),并确保供电电压与系统匹配。此外,在进行初始化时需严格按照规范执行RESET和初始化序列,避免因电压不稳导致启动失败。

    兼容性和支持


    IS43/46TR系列支持多种封装形式(78球或96球BGA),以适配不同的PCB布局需求。此外,ISSI提供了详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够快速完成产品集成和调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:初始化失败
    - 原因:电源上升时间不符合要求或RESET信号未正确配置。
    - 解决办法:确保电源按顺序平稳上升,且RESET信号保持至少200us的低电平。
    2. 问题:读写不稳定
    - 原因:信号阻抗匹配不良或OCD设置不当。
    - 解决办法:检查并优化板级信号阻抗,确认ODT功能已正确启用。

    总结和推荐


    IS43/46TR系列DDR3 SDRAM凭借其高性能、高可靠性以及广泛的适用性,在嵌入式系统领域占据重要地位。无论是在工业还是汽车领域,该系列产品均表现出色。因此,推荐在需要高性能存储器的项目中优先考虑IS43/46TR系列作为首选解决方案。
    更多详细信息请参考ISSI官方网站(www.issi.com)。

IS46TR16640B-15GBLA2参数

参数
最大供电电流 180mA
最大时钟频率 667MHz
最大工作供电电压 1.575V
最小工作供电电压 1.425V
组织 64Mx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
存储容量 1Gb (64M x 16)
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 托盘

IS46TR16640B-15GBLA2厂商介绍

Integrated Silicon Solution(ISS)是一家全球领先的半导体公司,专注于设计和制造高性能的模拟、混合信号和数字集成电路。公司的产品广泛应用于多个领域,包括工业、汽车、医疗、通信和消费电子等。

主营产品分类:
1. 电源管理:包括电源转换器、电源监控器和电池管理芯片。
2. 接口:包括USB、以太网、串行通信接口等。
3. 传感器:包括温度、湿度、压力等传感器。
4. 音频/视频:包括音频放大器、视频处理器等。
5. 微控制器:包括8位、16位和32位微控制器。

应用领域:
1. 工业自动化:如电机控制、传感器接口等。
2. 汽车电子:如车载信息娱乐系统、安全系统等。
3. 医疗设备:如病人监护仪、诊断设备等。
4. 通信设备:如基站、路由器、交换机等。
5. 消费电子:如智能手机、平板电脑、智能家居等。

Integrated Silicon Solution的优势:
1. 强大的研发能力:拥有一支经验丰富的研发团队,不断推出创新产品。
2. 高品质产品:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
3. 广泛的应用领域:产品覆盖多个市场,满足不同客户的需求。
4. 良好的客户服务:提供技术支持和定制解决方案,帮助客户实现项目成功。

IS46TR16640B-15GBLA2数据手册

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INTEGRATED SILICON SOLUTION 动态随机存储器(DRAM) INTEGRATED SILICON SOLUTION IS46TR16640B-15GBLA2 IS46TR16640B-15GBLA2数据手册

IS46TR16640B-15GBLA2封装设计

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