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AS4C256M16D3LB-12BCNTR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: ALLIANCE MEMORY
产品描述: 4Gb (256M x 16) 1.283V 1.45V 800MHz Parallel 贴片安装,黏合安装
供应商型号: ZT-AS4C256M16D3LB-12BCNTR
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ALLIANCE MEMORY 动态随机存储器(DRAM) AS4C256M16D3LB-12BCNTR

AS4C256M16D3LB-12BCNTR概述

    # AS4C256M16D3LB-12BCN 技术手册

    产品简介


    AS4C256M16D3LB-12BCN 是一款高性能DDR3L SDRAM(Double Data Rate 3 Low-Voltage Synchronous Dynamic Random Access Memory)芯片。它具有256Mb的存储容量,每块芯片拥有16位的数据宽度,支持多达8个内部银行,能够实现并发操作。这款内存芯片特别适用于商业温度范围内的多种应用场合,包括消费电子产品、工业控制系统和网络设备等。

    技术参数


    以下是AS4C256M16D3LB-12BCN的主要技术规格:
    主要规格
    - 存储密度:4Gb
    - 组织方式:32M x 16位 x 8个银行
    - 封装形式:96球FBGA
    - 电源电压:VDD, VDDQ = 1.35V(1.283V至1.45V)
    - 备份兼容性:1.5V ± 0.075V
    - 数据速率:1600Mbps
    - 页面大小:2KB
    - 行地址:A0至A14
    - 列地址:A0至A9
    - 突发长度(BL):8和4带突发截断(BC)
    - 突发类型(BT):顺序和交错
    - CAS延迟(CL):5、6、7、8、9、10、11
    - CAS写延迟(CWL):5、6、7、8
    - 预充电:每个突发访问支持自动预充电选项
    - 驱动强度:RZQ/7、RZQ/6(RZQ = 240Ω)
    工作条件
    - 刷新周期:平均刷新周期为7.8μs(0°C 至 +85°C),3.9μs(+85°C 至 +95°C)
    - 工作温度范围:商业级 0°C 至 +95°C

    产品特点和优势


    - 双倍数据传输率架构:每时钟周期传输两次数据。
    - 高速数据传输:通过8位预取流水线架构实现。
    - 双向差分数据选通(DQS):用于接收端捕获数据。
    - 内置DLL:同步数据选通信号和时钟信号对齐。
    - 多用途寄存器(MPR):用于读取预定义模式。
    - 动态ZQ校准:用于DQ驱动和ODT(On-Die Termination)控制。

    应用案例和使用建议


    AS4C256M16D3LB-12BCN 可广泛应用于消费电子、工业控制系统和网络设备等领域。以下是几个典型的应用场景及建议:
    典型应用场景
    - 消费电子:智能手机、平板电脑等便携式设备。
    - 工业控制系统:工业自动化设备、机器人等。
    - 网络设备:路由器、交换机等。
    使用建议
    - 优化建议:为了确保最佳性能,应尽量避免高频率的读写操作和快速切换。特别是在执行批量读写操作时,建议采用突发模式以提高效率。
    - 注意事项:保持电源电压稳定且在规定范围内,避免输入信号超过绝对最大额定值。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与其他标准DDR3L SDRAM兼容,可以轻松集成到现有的硬件系统中。
    - 支持和维护:制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,确保用户在使用过程中获得必要的帮助。详细的初始化和自检程序也包含在技术手册中,以方便用户进行设备配置和调试。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册中的常见问题列表,以下是几个用户可能遇到的问题及其解决方案:
    问题1:初始化失败
    解决方案:检查电源电压和时钟信号是否符合要求。确保在设备复位期间保持RESET信号低电平,并遵循正确的初始化序列。
    问题2:无法进入自刷新模式
    解决方案:检查并设置适当的模式寄存器。确保CWL设置正确,并在自刷新之前先发出一个REF命令。
    问题3:信号异常
    解决方案:检查信号线连接是否正确。对于高速信号,应确保接地良好并尽可能减少噪声干扰。

    总结和推荐


    AS4C256M16D3LB-12BCN 作为一款高性能的DDR3L SDRAM芯片,具有显著的优点,如优秀的性能、可靠性以及广泛的适用性。无论是在消费电子还是工业应用领域,都是一款值得推荐的优秀产品。在选择内存解决方案时,用户可以充分信赖其提供的稳定性和优异表现。

AS4C256M16D3LB-12BCNTR参数

参数
接口类型 Parallel
存储容量 4Gb (256M x 16)
最大供电电流 -
最大时钟频率 800MHz
最大工作供电电压 1.45V
最小工作供电电压 1.283V
组织 -
数据总线宽度 -
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

AS4C256M16D3LB-12BCNTR厂商介绍

Alliance Memory是一家专注于提供广泛的半导体存储解决方案的公司,其产品包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、闪存(Flash)和可擦写可编程只读存储器(EPROM)。这些产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、医疗设备、通信设备和计算机等领域。

Alliance Memory的产品分类主要包括:
1. SRAM:提供高速、低功耗的存储解决方案,适用于需要快速数据访问的应用。
2. DRAM:提供大容量存储,适用于需要存储大量数据的应用。
3. Flash:提供非易失性存储,适用于需要在断电后保持数据的应用。
4. EPROM:提供可擦写可编程存储,适用于需要频繁更新数据的应用。

Alliance Memory的优势在于:
1. 丰富的产品线:提供多种类型的存储解决方案,满足不同客户的需求。
2. 高性能:产品具有高速、低功耗、高可靠性等特点。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化的存储解决方案。
4. 技术支持:提供专业的技术支持,帮助客户解决技术问题。

AS4C256M16D3LB-12BCNTR数据手册

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AS4C256M16D3LB-12BCNTR封装设计

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