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AS4C4M16SA-6TINTR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: ALLIANCE MEMORY
产品描述: 64Mb (4M x 16) 4Mx16 3V 75mA 3.6V 166MHz Parallel 16bit TSOP-54 贴片安装,黏合安装
供应商型号: FA-AS4C4M16SA-6TINTR
供应商: Avnet
标准整包数: 1000
ALLIANCE MEMORY 动态随机存储器(DRAM) AS4C4M16SA-6TINTR

AS4C4M16SA-6TINTR概述


    产品简介


    AS4C4M16SA-C&I 是一款高速CMOS同步动态随机存取存储器(SDRAM),包含64兆位的存储容量,内部配置为四个1兆字x16位的DRAM银行。它具有同步接口,所有信号均在时钟信号(CLK)的正沿注册。这款SDRAM主要用于需要高内存带宽的应用,特别适用于高性能PC等领域。

    技术参数


    - 访问时间:5.4/5.4 ns
    - 最大时钟频率:166/143 MHz
    - 存储容量:64兆位(4兆字x16位)
    - 刷新周期:4096次刷新/64毫秒
    - 驱动强度控制:可选
    - 电源电压:+3.3V ± 0.3V
    - 工作温度范围:
    - 商业级:0 ~ 70°C
    - 工业级:-40 ~ 85°C
    - 封装形式:
    - 54-Ball FBGA
    - 54-Pin TSOP II
    - 其他特性:自动刷新、自刷新、CKE电源下电模式、LVTTL接口

    产品特点和优势


    AS4C4M16SA-C&I 具有多项独特的功能和优势:
    - 快速访问时间:提供5.4/5.4 ns的快速访问时间,使数据读写操作更为高效。
    - 多种工作模式:通过编程模式寄存器,可以选择适合特定应用的最佳模式,从而最大化系统性能。
    - 多重封装选择:提供FBGA和TSOP II两种封装形式,适应不同应用需求。
    - 工业级可靠性:具备工业级的工作温度范围,使其适用于更广泛的应用环境。
    - 低功耗设计:通过CKE电源下电模式,在不需要运行时能够显著降低功耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该SDRAM可以应用于高性能PC、嵌入式系统和工业自动化设备中。例如,在一个高性能服务器中,它能够提供快速的数据读写能力,从而提升整体系统的性能。
    使用建议
    - 优化刷新策略:根据实际应用中的工作频率,合理配置刷新周期,确保数据的安全存储。
    - 选择合适的封装形式:根据具体的空间限制和散热需求,选择适合的封装形式。
    - 监控电源电压:确保供电电压在±0.3V范围内,以保证芯片的稳定运行。

    兼容性和支持


    该产品提供54-Ball FBGA和54-Pin TSOP II两种封装形式,方便不同应用的需求。制造商提供详尽的技术支持和维护服务,确保用户在使用过程中能够得到及时的帮助和指导。

    常见问题与解决方案


    - 问题:芯片无法正常启动。
    - 解决方案:检查电源电压是否在规定范围内(+3.3V ± 0.3V),并确认所有输入信号(如CLK、CS#、RAS#等)正确无误。
    - 问题:刷新周期异常。
    - 解决方案:检查并重新设置模式寄存器中的刷新周期配置,确保其符合当前应用需求。
    - 问题:数据读写错误。
    - 解决方案:检查DQ引脚的连接情况,确保没有短路或断路现象;同时,确认DQM信号用于控制输出缓冲器的状态是否正确配置。

    总结和推荐


    综上所述,AS4C4M16SA-C&I 是一款高性能的同步动态随机存取存储器,其具备快速访问时间、多样化的封装选项及良好的工业级可靠性等特点,非常适用于需要高内存带宽的应用场合。鉴于其出色的性能表现和丰富的功能特性,我们强烈推荐此款产品用于相关应用中。

AS4C4M16SA-6TINTR参数

参数
最小工作供电电压 3V
组织 4Mx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
存储容量 64Mb (4M x 16)
最大供电电流 75mA
最大时钟频率 166MHz
最大工作供电电压 3.6V
通用封装 TSOP-54
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

AS4C4M16SA-6TINTR厂商介绍

Alliance Memory是一家专注于提供广泛的半导体存储解决方案的公司,其产品包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、闪存(Flash)和可擦写可编程只读存储器(EPROM)。这些产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、医疗设备、通信设备和计算机等领域。

Alliance Memory的产品分类主要包括:
1. SRAM:提供高速、低功耗的存储解决方案,适用于需要快速数据访问的应用。
2. DRAM:提供大容量存储,适用于需要存储大量数据的应用。
3. Flash:提供非易失性存储,适用于需要在断电后保持数据的应用。
4. EPROM:提供可擦写可编程存储,适用于需要频繁更新数据的应用。

Alliance Memory的优势在于:
1. 丰富的产品线:提供多种类型的存储解决方案,满足不同客户的需求。
2. 高性能:产品具有高速、低功耗、高可靠性等特点。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化的存储解决方案。
4. 技术支持:提供专业的技术支持,帮助客户解决技术问题。

AS4C4M16SA-6TINTR数据手册

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ALLIANCE MEMORY 动态随机存储器(DRAM) ALLIANCE MEMORY AS4C4M16SA-6TINTR AS4C4M16SA-6TINTR数据手册

AS4C4M16SA-6TINTR封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ $ 2.0295 ¥ 16.7637
2000+ $ 1.98 ¥ 16.3548
4000+ $ 1.9305 ¥ 15.9459
6000+ $ 1.9 ¥ 15.6942
8000+ $ 1.8902 ¥ 15.6134
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