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IS43TR16512B-125KBL

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
产品描述: 8Gb (512M x 16) 512Mx16 1.425V 350mA 1.575V 800MHz Parallel 16bit BGA 贴片安装
供应商型号: 870-43TR16512B125KBL
供应商: Mouser
标准整包数: 1
INTEGRATED SILICON SOLUTION 动态随机存储器(DRAM) IS43TR16512B-125KBL

IS43TR16512B-125KBL概述

    IS43/46TR16512B, IS43/46TR16512BL, IS43/46TR81024B, IS43/46TR81024BL DDR3 SDRAM 技术手册

    产品简介


    IS43/46TR16512B 和 IS43/46TR16512BL 是由 Integrated Silicon Solution, Inc. 生产的高速 DDR3 SDRAM。这些器件提供 512Mb 的容量(1Gx8 或 512Mx16 配置),并具有高达 2133 Mbps 的数据传输速率。它们广泛应用于各种领域,如服务器、存储系统、工业控制和汽车电子系统。

    技术参数


    - 标准电压: VDD 和 VDDQ = 1.5V ± 0.075V
    - 低电压: VDD 和 VDDQ = 1.35V +0.1V, -0.067V
    - 高速数据传输: 最高可达 933 MHz
    - 内部银行数量: 8 个,支持并发操作
    - 预取架构: 8n-bit 预取
    - 可编程 CAS 延迟: 可编程
    - 可编程附加延迟: 0, CL-1, CL-2
    - 可编程 CAS 写入延迟: 基于 tCK
    - 可编程突发长度: 4 和 8
    - 可编程突发序列: 顺序或交错
    - 自动自刷新: 支持
    - 自刷新温度: 支持
    - 刷新间隔:
    - 7.8 μs (8192 周期/64 ms),温度范围 -40°C 到 85°C
    - 3.9 μs (8192 周期/32 ms),温度范围 85°C 到 95°C
    - 1.95 μs (8192 周期/16 ms),温度范围 95°C 到 105°C
    - 0.97 μs (8192 周期/8 ms),温度范围 105°C 到 115°C
    - 部分阵列自刷新
    - 异步复位引脚
    - TDQS 支持: 仅 x8 设备
    - OCD 支持: 支持
    - 动态 ODT: 支持
    - 驱动强度: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
    - 写校准: 支持
    - DLL 关闭模式下的最高频率: 200 MHz
    - 工作温度范围:
    - 商用级: TC = 0°C 至 +95°C
    - 工业级: TC = -40°C 至 +95°C
    - 汽车级, A1: TC = -40°C 至 +95°C
    - 汽车级, A2: TC = -40°C 至 +105°C
    - 汽车级, A25: TC = -40°C 至 +115°C

    产品特点和优势


    这些 DDR3 SDRAM 具有多项独特的功能,使其在高性能应用中表现出色。具体包括:
    - 多银行并发操作:提高了内存访问效率。
    - 高频率支持:数据传输速率最高可达 933 MHz。
    - 多种配置选项:支持多种配置和引脚布局,增加了灵活性。
    - 多种电源选项:支持标准电压和低电压运行,适应不同应用场景。
    - 多种温度范围:适用于广泛的工业和汽车应用。

    应用案例和使用建议


    这些器件可以用于多种应用场合,例如:
    - 服务器和存储系统:提供高速数据处理能力。
    - 工业控制系统:可靠的高性能存储解决方案。
    - 汽车电子系统:符合汽车级温度范围要求。
    使用建议:
    - 在进行任何操作前,确保电源稳定并完成初始化程序。
    - 在多温度环境下,根据具体应用选择合适的温度范围。
    - 使用适当的配置选项以满足不同的应用需求。

    兼容性和支持


    这些 DDR3 SDRAM 器件与现有的大多数电路板设计兼容。ISSI 提供详细的技术支持文档,帮助客户解决使用过程中的问题。此外,还提供了相关的软件工具和硬件开发平台。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 如何初始化 DDR3 SDRAM?
    - 解决方案: 按照技术手册中的步骤进行初始化,确保电源稳定并执行必要的命令序列。

    - 问题: 如何设置模式寄存器?
    - 解决方案: 使用 MRS 命令,并按照手册中的说明编写正确的地址。

    总结和推荐


    IS43/46TR16512B 和 IS43/46TR16512BL 是高性能、高可靠性的 DDR3 SDRAM。它们的多功能性和广泛的应用范围使它们成为许多工业和汽车应用的理想选择。推荐在需要高性能存储解决方案的应用中使用这些器件。

IS43TR16512B-125KBL参数

参数
最大供电电流 350mA
最大时钟频率 800MHz
最大工作供电电压 1.575V
最小工作供电电压 1.425V
组织 512Mx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
存储容量 8Gb (512M x 16)
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

IS43TR16512B-125KBL厂商介绍

Integrated Silicon Solution(ISS)是一家全球领先的半导体公司,专注于设计和制造高性能的模拟、混合信号和数字集成电路。公司的产品广泛应用于多个领域,包括工业、汽车、医疗、通信和消费电子等。

主营产品分类:
1. 电源管理:包括电源转换器、电源监控器和电池管理芯片。
2. 接口:包括USB、以太网、串行通信接口等。
3. 传感器:包括温度、湿度、压力等传感器。
4. 音频/视频:包括音频放大器、视频处理器等。
5. 微控制器:包括8位、16位和32位微控制器。

应用领域:
1. 工业自动化:如电机控制、传感器接口等。
2. 汽车电子:如车载信息娱乐系统、安全系统等。
3. 医疗设备:如病人监护仪、诊断设备等。
4. 通信设备:如基站、路由器、交换机等。
5. 消费电子:如智能手机、平板电脑、智能家居等。

Integrated Silicon Solution的优势:
1. 强大的研发能力:拥有一支经验丰富的研发团队,不断推出创新产品。
2. 高品质产品:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性和稳定性。
3. 广泛的应用领域:产品覆盖多个市场,满足不同客户的需求。
4. 良好的客户服务:提供技术支持和定制解决方案,帮助客户实现项目成功。

IS43TR16512B-125KBL数据手册

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INTEGRATED SILICON SOLUTION 动态随机存储器(DRAM) INTEGRATED SILICON SOLUTION IS43TR16512B-125KBL IS43TR16512B-125KBL数据手册

IS43TR16512B-125KBL封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 22.931 ¥ 193.767
10+ $ 20.0664 ¥ 169.5611
25+ $ 19.7208 ¥ 166.6408
50+ $ 19.3536 ¥ 163.5379
100+ $ 16.548 ¥ 139.8306
272+ $ 15.855 ¥ 133.9748
544+ $ 15.435 ¥ 130.4258
库存: 156
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