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BCR 108W H6327

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: NPN - Pre-Biased 250mW 50V 100nA 50V 100mA SOT-323 贴片安装
供应商型号: 726-BCR108WH6327
供应商: Mouser
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) BCR 108W H6327

BCR 108W H6327概述

    # BCR108 NPN Silicon Digital Transistor 技术手册解析

    产品简介


    BCR108 系列是一种 NPN 型硅数字晶体管,广泛应用于开关电路、逆变器、接口电路和驱动电路。该系列提供了内置偏置电阻(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ),并提供多种封装选择,如 SOT23、SOT363 和 SOT323。其中,BCR108S 特别设计为两个内部隔离且匹配良好的晶体管集成在一个多芯片封装内,适用于更复杂的应用场景。产品符合 RoHS 标准,并通过 AEC-Q101 认证,适用于汽车和工业级应用。

    技术参数


    以下是 BCR108 系列的技术规格和性能参数:
    最大额定值
    - 集电极-发射极电压:VCEO = 50V
    - 集电极-基极电压:VCBO = 50V
    - 输入正向电压:Vi(fwd) = 20V
    - 输入反向电压:Vi(rev) = 5V
    - 集电极电流:IC = 100mA
    - 总功率耗散:
    - BCR108: TS ≤ 102°C,Ptot = 200mW
    - BCR108S: TS ≤ 115°C,Ptot = 250mW
    - BCR108W: TS ≤ 124°C,Ptot = 250mW
    - 结温范围:Tj = -65°C 至 150°C
    - 结到焊点热阻:
    - BCR108: RthJS ≤ 240K/W
    - BCR108S: RthJS ≤ 140K/W
    - BCR108W: RthJS ≤ 105K/W
    电气特性
    - DC 参数:
    - 集电极-发射极击穿电压:V(BR)CEO = 50V
    - 集电极-基极击穿电压:V(BR)CBO = 50V
    - 集电极截止电流:ICBO = 100nA
    - 发射极-基极截止电流:IEBO = 164µA
    - 直流电流增益:hFE = 70
    - 集电极-发射极饱和电压:VCEsat = 0.3V
    - 输入关断电压:Vi(off) = 0.4-0.8V
    - 输入导通电压:Vi(on) = 0.5-1.1V
    - 输入电阻:R1 = 2.2kΩ
    - AC 参数:
    - 转换频率:fT = 170MHz
    - 集电极-基极电容:Ccb = 2pF

    产品特点和优势


    BCR108 系列晶体管具有以下显著特点和优势:
    - 内置偏置电阻,简化电路设计。
    - 封装紧凑,适合空间受限的应用。
    - 高热阻,确保在高温环境下的可靠运行。
    - 高输入输出隔离,提升系统稳定性。
    - 低功耗,适合便携式和电池供电设备。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 开关电路:BCR108 系列晶体管广泛用于电源管理和负载切换。
    2. 逆变器:其高频率响应能力使其成为高频逆变器的理想选择。
    3. 接口电路:内置偏置电阻简化了接口电路的设计。
    使用建议
    - 在高频率应用中,需注意散热设计以避免过热。
    - 对于多通道需求,BCR108S 的双隔离晶体管结构特别适用。
    - 确保 PCB 设计符合推荐的焊盘布局和尺寸。

    兼容性和支持


    BCR108 系列与多种标准电路板设计兼容,并可通过 Infineon 官方技术支持获取帮助。厂商提供全面的技术文档和应用指南,便于用户快速上手。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热现象 | 改善散热设计,增加外部散热片。 |
    | 开关延迟时间长 | 检查电路布线,减少寄生电感和电容。 |
    | 信号失真 | 调整输入偏置电阻,优化驱动信号质量。 |

    总结和推荐


    BCR108 系列 NPN 硅数字晶体管以其卓越的性能、紧凑的封装和丰富的特性,成为开关电路和接口电路的理想选择。其高可靠性、易用性和广泛的温度适应性使其在工业和汽车领域表现出色。对于需要高性能和稳定性的应用场景,强烈推荐使用 BCR108 系列产品。

BCR 108W H6327参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 -
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
最大集电极发射极饱和电压 0.3@ 500µA,10mA
配置 独立式
最大功率耗散 250mW
VEBO-最大发射极基极电压 50V
集电极电流 100mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
集电极截止电流 100nA
通用封装 SOT-323
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

BCR 108W H6327厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BCR 108W H6327数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) INFINEON TECHNOLOGIES BCR 108W H6327 BCR 108W H6327数据手册

BCR 108W H6327封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.3565 ¥ 3.0124
10+ $ 0.2519 ¥ 2.1281
100+ $ 0.1587 ¥ 1.341
1000+ $ 0.0682 ¥ 0.5763
3000+ $ 0.0572 ¥ 0.4837
9000+ $ 0.0443 ¥ 0.3742
24000+ $ 0.041 ¥ 0.3468
45000+ $ 0.0378 ¥ 0.3194
99000+ $ 0.0368 ¥ 0.3105
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