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BFP 843F H6327

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: 125W 400nA 2.9V 20V 55μA(DC) TSFP-4-1 贴片安装 1.4mm*800μm*550μm
供应商型号: BFP 843F H6327
供应商: 国内现货
标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) BFP 843F H6327

BFP 843F H6327概述

    #

    产品简介


    产品名称:BFP843F
    产品类型:SiGe:C NPN RF双极晶体管
    主要功能:
    BFP843F 是一种高可靠性的低噪声宽带预匹配射频异质结双极晶体管(HBT)。它具有出色的射频性能和鲁棒性,非常适合应用于无线通信系统。
    应用领域:
    - 无线局域网(WLAN)
    - WiMAX 和超宽带(UWB)
    - 卫星通信系统,如卫星广播(SDARs, DAB)和导航系统(例如GPS, GLONASS, 北斗, Galileo)

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 集电极-发射极电压:VCEO = 2.25 V(开路基极),VCES = 2.25 V(E-B短路)
    - 集电极-基极电压:VCBO = 2.9 V(开射极),VCE = 2.6 V(开射极)
    - 基极电流:IB = ±5 mA
    - 集电极电流:IC = 55 mA
    - 射频输入功率:PRFin = 20 dBm
    - ESD应力脉冲:VESD = ±1.5 kV HBM,所有引脚
    - 总耗散功率:PTot = 125 mW(TS ≤ 100°C)
    - 结温:TJ = 150°C
    - 存储温度:TStg = -55°C
    热特性
    - 结到焊点热阻:RthJS = 395 K/W
    电气特性
    - 直流特性
    - 集电极-发射极击穿电压:V(BR)CEO = 2.25 V 到 2.6 V
    - 集电极-发射极漏电流:ICES ≤ 400 nA
    - 集电极-基极漏电流:ICBO ≤ 400 nA
    - 发射极-基极漏电流:IEBO ≤ 10 μA
    - 直流电流增益:hFE = 150 至 450(VCE = 1.8 V, IC = 15 mA)
    - 交流特性
    - 在不同频率下的最大功率增益 Gma 和噪声系数 NFmin
    - 频率范围从 450 MHz 到 10 GHz

    产品特点和优势


    特点:
    - 具备高频率性能,噪声系数低
    - 高过渡频率,适合高频应用
    - 低噪声因子(NFmin = 1.1 dB @ 5.5 GHz, VCE = 1.8 V, IC = 8 mA)
    - 高增益(Gma = 18 dB @ 5.5 GHz, VCE = 1.8 V, IC = 15 mA)
    - 出色的线性度(OIP3 = 19.5 dBm @ 5.5 GHz, VCE = 1.8 V, IC = 15 mA)
    - 宽泛的工作电压范围(适用于低电压应用,如 VCC = 1.2 V 和 1.8 V)
    优势:
    - 鲁棒性强,能够承受高射频输入功率(20 dBm)
    - 通过 1.5 kV HBM ESD 测试,具备良好的抗静电放电能力
    - 符合工业应用的相关测试标准(如JEDEC47/20/22)

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - WLAN 和 WiMAX 系统: BFP843F 可用于构建高性能的无线接入点和客户端设备,提供稳定的信号传输。
    - 卫星通信系统: 作为卫星接收器的一部分,BFP843F 能够处理高频率信号并保持高增益和低噪声性能。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保提供适当的散热措施以避免过热问题。
    - 针对不同的频率应用,参考表6至表13中的具体数据进行设计调整,以达到最佳性能。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - BFP843F 采用 TSFP-4-1 封装,可直接替换同类型的其他低噪声放大器芯片。
    - 与现有的 RF 设计兼容,便于集成到现有的系统中。
    支持和维护:
    - Infineon Technologies 提供全面的技术支持和产品文档,包括详尽的电气特性和使用指南。
    - 客户可以通过官方渠道获取技术支持,并参与相关的培训课程。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 如何确定最佳工作条件?
    - 确保 VCE 和 IC 的选择符合表中的典型值范围,并根据具体应用场景调整。
    2. 如何避免 ESD 损坏?
    - 使用防静电措施,如接地和使用防静电袋存放器件。
    解决方案:
    1. 检查电气参数: 根据表4至表13中的数据进行设计验证。
    2. 遵循防静电操作规程: 遵守手册中的防静电操作注意事项,使用防静电工具和设备。

    总结和推荐


    综合评估:
    BFP843F SiGe:C NPN RF 双极晶体管是一款性能卓越、鲁棒性强的射频器件。其低噪声、高增益、宽泛的工作电压范围使其成为许多无线通信系统的理想选择。特别适合用于要求高性能和高可靠性的应用场合。
    推荐:
    鉴于其优异的性能和广泛的应用前景,强烈推荐使用 BFP843F 在各种无线通信项目中。其提供的技术参数和详细的使用指南使得产品易于集成和调试。

BFP 843F H6327参数

参数
配置 -
集电极电流 55μA(DC)
最大集电极发射极饱和电压 -
集电极截止电流 400nA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 20V
最大功率耗散 125W
晶体管类型 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
VCBO-最大集电极基极电压 2.9V
长*宽*高 1.4mm*800μm*550μm
通用封装 TSFP-4-1
安装方式 贴片安装

BFP 843F H6327厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BFP 843F H6327数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) INFINEON TECHNOLOGIES BFP 843F H6327 BFP 843F H6327数据手册

BFP 843F H6327封装设计

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