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BFP720H6327XTSA1

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: Infineon NPN射频双极晶体管, SOT-343封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流25 mA, 最大集电极-发射电压13 V
供应商型号: BFP720H6327XTSA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) BFP720H6327XTSA1

BFP720H6327XTSA1概述

    BFP720 SiGe:C NPN RF Bipolar Transistor

    1. 产品简介


    产品类型:
    BFP720 是一款基于硅锗碳(SiGe:C)材料的宽带NPN射频异质结双极晶体管(HBT)。它专为高频应用设计,适用于多种无线通信和多媒体应用。
    主要功能:
    - 高过渡频率fT = 45 GHz,确保高频率下的低噪声性能。
    - 最小噪声系数NFmin = 0.7 dB(在5.5 GHz,3 V,5 mA条件下)。
    - 高增益Gma = 19.5 dB(在5.5 GHz,3 V,13 mA条件下)。
    - 三阶输出截断点OIP3 = 23 dBm(在5.5 GHz,3 V,13 mA条件下)。
    应用领域:
    - 无线通信:如Wi-Fi、WiMAX、UWB等。
    - 卫星通信系统:包括全球导航卫星系统(如GPS、GLONASS、北斗、伽利略)、卫星无线电等。
    - 多媒体应用:如便携式电视、CATV和FM收音机。
    - ISM应用:如远程钥匙、自动计量读数和Zigbee等新兴无线应用。

    2. 技术参数


    以下是BFP720的技术规格:
    - 绝对最大额定值:
    - 发射极-集电极电压VCEO:4.0 V(开路基极)
    - 发射极-集电极电压VCES:13 V(发射极-基极短路)
    - 集电极-基极电压VCBO:13 V(开射极)
    - 发射极-基极电压VEBO:1.2 V(开集电极)
    - 基极电流IB:2 mA
    - 集电极电流IC:25 mA
    - 总功耗Ptot:100 mW(TS ≤ 108°C)
    - 结温TJ:150 °C
    - 存储温度TStg:-55 °C ~ +150 °C
    - 热特性:
    - 结-焊接点热阻RthJS:典型值420 K/W
    - 功率耗散Ptot随温度变化曲线见图1
    - 电气特性:
    - 直流特性:如发射极-集电极击穿电压V(BR)CEO为4.7 V
    - 交流特性:在不同频率下,如功率增益Gms可达29.5 dB,噪声系数NFmin可达0.4 dB
    - 频率相关交流特性见表6-14及相应图表

    3. 产品特点和优势


    - 高频率性能: BFP720具备高达45 GHz的过渡频率,使其在高频应用中表现出色。
    - 低噪声系数: 在5.5 GHz时,噪声系数仅为0.7 dB,非常适合需要低噪声的应用场合。
    - 高增益和线性度: 19.5 dB的高增益和出色的线性度使其成为理想的放大元件。
    - 广泛的适用范围: 适用于各种无线通信和多媒体应用,且具有良好的耐高温性能。

    4. 应用案例和使用建议


    - 无线通信: BFP720常用于Wi-Fi、WiMAX等通信系统的前端电路中。使用时,需注意匹配网络的设计以优化噪声性能和增益。
    - 卫星通信: 在卫星通信中,BFP720可用于接收前端,提供低噪声和高增益的支持。建议使用匹配网络以确保最佳性能。
    - 多媒体应用: 在便携式电视和CATV中,BFP720可以作为放大器使用,推荐使用适当的偏置电路来确保稳定的工作状态。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: BFP720采用SOT343封装,易于与其他电子元器件集成。详细封装信息请参阅第4章。
    - 技术支持: 厂商提供详尽的文档和技术支持服务。如需进一步咨询,请联系Infineon Technologies的技术支持部门。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:噪声系数过高。
    - 解决方案:检查外部匹配网络是否正确设计并调整至最优状态。

    - 问题2:增益不足。
    - 解决方案:检查电源电压和偏置电流是否符合要求,必要时重新设计偏置电路。

    - 问题3:温漂问题。
    - 解决方案:确保电路设计中有良好的热管理措施,如散热片的使用。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    BFP720是一款高性能的SiGe:C NPN RF双极型晶体管,具备宽广的带宽、低噪声和高增益等特点,特别适合于无线通信和卫星通信等领域。其优良的热管理和广泛的频率响应使其成为市场上非常有竞争力的产品。
    推荐使用:
    基于其出色的表现和广泛的应用范围,强烈推荐BFP720应用于需要高性能、低噪声的射频电路设计中。同时,厂商提供的全面技术支持使得安装和调试过程更加简便。

BFP720H6327XTSA1参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 -
最大功率耗散 100mW
VCBO-最大集电极基极电压 13V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
配置 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 4.7V
晶体管类型 NPN
集电极电流 25mA
VEBO-最大发射极基极电压 1.2V
集电极截止电流 -
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 SOT-343
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

BFP720H6327XTSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BFP720H6327XTSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) INFINEON TECHNOLOGIES BFP720H6327XTSA1 BFP720H6327XTSA1数据手册

BFP720H6327XTSA1封装设计

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