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BFR380L3E6327XTMA1

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: Infineon NPN双极晶体管, TSLP-3-1封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流80 mA, 最大集电极-发射电压15 V
供应商型号: 2587750
供应商: 海外现货
标准整包数: 25
INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) BFR380L3E6327XTMA1

BFR380L3E6327XTMA1概述

    BFP540ESD Surface Mount Robust Silicon NPN RF Bipolar Transistor

    1. 产品简介


    BFP540ESD是一款基于SIEGET™接地发射极设计的低噪声表面贴装硅NPN射频双极型晶体管。它属于英飞凌第五代RF双极型晶体管家族,具有出色的静电放电(ESD)鲁棒性,成本效益高且易于使用。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 集电极-发射极电压 \( V{CEO} \):最大4.5 V (开基)
    - 集电极-发射极电压 \( V{CES} \):10 V (E-B短路)
    - 集电极-基极电压 \( V{CBO} \):10 V (开发射极)
    - 发射极-基极电压 \( V{EBO} \):1 V (开集电极)
    - 基极电流 \( IB \):最大8 mA
    - 集电极电流 \( IC \):最大80 mA
    - 总功耗 \( P{tot} \):250 mW (TS ≤ 77°C)
    - 结温 \( TJ \):150°C
    - 环境温度 \( TA \):-55°C
    - 存储温度 \( T{Stg} \):-55°C
    - 热特性
    - 结点-焊接点热阻 \( R{thJS} \):290 K/W
    - 电气特性
    - 直流特性
    - 集电极-发射极击穿电压 \( V{(BR)CEO} \):最小4.5 V,典型5 V
    - 集电极-发射极漏电流 \( I{CES} \):最大10 μA
    - 集电极-基极漏电流 \( I{CBO} \):最大100 nA
    - 发射极-基极漏电流 \( I{EBO} \):最大10 μA
    - 直流电流增益 \( h{FE} \):最小50,典型110,最大170
    - 交流特性
    - 转换频率 \( fT \):最小21 GHz,典型30 GHz
    - 集电极-基极电容 \( C{CB} \):0.14 pF至0.24 pF
    - 集电极-发射极电容 \( C{CE} \):0.41 pF
    - 发射极-基极电容 \( C{EB} \):0.59 pF
    - 最大稳定功率增益 \( G{ms} \):21.5 dB
    - 最小噪声系数 \( NF{min} \):0.9 dB (IC = 5 mA)
    - 第三阶交调截点 \( OIP3 \):24.5 dBm (IC = 20 mA)

    3. 产品特点和优势


    BFP540ESD的主要特点是其高鲁棒性、低噪声系数和高增益。具体如下:
    - 低噪声系数:NFmin = 0.9 dB @ 1.8 GHz, 2 V, 5 mA,适用于需要高信号保真度的应用。
    - 高增益:Gms = 21.5 dB @ 1.8 GHz, 2 V, 20 mA,适合放大微弱信号。
    - 高ESD鲁棒性:典型1 kV (HBM),使得在组装和测试过程中更可靠。
    - 成本效益高:价格合理,易于使用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 射频振荡器,例如卫星接收器中的本地振荡器
    - 宽带低噪声放大器(LNAs)用于CATV、DVB-T、DAB/DMB和FM/AM广播
    - 无线通信中的低噪声放大器,如无绳电话
    - 使用建议:
    - 在高频应用中使用时,确保良好的散热条件,以避免超过最大功耗限制。
    - 选择合适的偏置条件,以达到最低噪声系数和最佳增益。
    - 在高频电路设计中考虑寄生电容的影响,尤其是在射频振荡器设计中。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:BFP540ESD与常见的50 Ω系统兼容,可在大多数射频设计中使用。
    - 支持:英飞凌提供了详细的参考文档和技术支持,包括封装信息、装配指南和应用笔记。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过载情况下温度过高导致器件损坏。
    - 解决方案:在设计中加入有效的散热措施,如增加散热片或采用导热膏。
    - 问题:信号失真严重,特别是在高频下。
    - 解决方案:调整电路偏置条件,减小寄生电容的影响,或者选择更合适的电源电压。

    7. 总结和推荐


    综上所述,BFP540ESD凭借其优异的噪声系数、高增益和高ESD鲁棒性,在射频和宽带通信应用中表现出色。尽管初始成本较高,但其在长期应用中的可靠性和高性能使其成为许多高要求射频电路的理想选择。因此,强烈推荐使用BFP540ESD。
    希望这篇文章能够帮助您更好地了解BFP540ESD这款电子元器件,并为其在实际项目中的应用提供指导。

BFR380L3E6327XTMA1参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCBO-最大集电极基极电压 15V
集电极截止电流 -
VEBO-最大发射极基极电压 2V
配置 独立式
最大功率耗散 380mW
最大集电极发射极饱和电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 9V
集电极电流 80mA
晶体管类型 NPN
长*宽*高 1mm*600μm*350μm
通用封装 TSLP-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

BFR380L3E6327XTMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BFR380L3E6327XTMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) INFINEON TECHNOLOGIES BFR380L3E6327XTMA1 BFR380L3E6327XTMA1数据手册

BFR380L3E6327XTMA1封装设计

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