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BFP740FH6327XTSA1

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: Infineon NPN射频双极晶体管, SOT-343封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流45 mA, 最大集电极-发射电压13 V
供应商型号: 30C-BFP740FH6327XTSA1 TSFP-4
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) BFP740FH6327XTSA1

BFP740FH6327XTSA1概述

    BFP740F SiGe:C NPN RF Bipolar Transistor

    1. 产品简介


    BFP740F是一款宽频带SiGe:C工艺制造的NPN射频异质结双极晶体管(HBT)。这款晶体管以其卓越的噪声抑制能力和高增益特性,广泛应用于各种无线通信系统和其他高精度电子设备中。

    2. 技术参数


    BFP740F的主要技术规格如下:
    - 绝对最大额定值:
    - 集电极-发射极电压:\(V{CEO} \leq 4.0\) V(开基状态),\(V{CES} \leq 13\) V(E-B短路)
    - 集电极-基极电压:\(V{CBO} \leq 13\) V(开发射状态)
    - 发射极-基极电压:\(V{EBO} \leq 1.2\) V(开集电极)
    - 最大集电极电流:\(IC \leq 45\) mA
    - 最大总功耗:\(P{tot} \leq 160\) mW(\(TS \leq 102\) °C)
    - 最大结温:\(TJ \leq 150\) °C
    - 最大存储温度:\(-55 \leq T{Stg} \leq 150\) °C
    - 热特性:
    - 结-焊点热阻:\(R{thJS} \approx 300\) K/W
    - 电气特性:
    - 直流特性:
    - 集电极-发射极击穿电压:\(V(BR){CEO} \geq 4.0\) V
    - 集电极-发射极漏电流:\(I{CES} \leq 400\) nA(\(V{CE} = 13\) V, \(V{BE} = 0\) V)
    - 集电极-基极漏电流:\(I{CBO} \leq 40\) nA(\(V{CB} = 5\) V, \(IE = 0\))
    - 发射极-基极漏电流:\(I{EBO} \leq 40\) nA(\(V{EB} = 0.5\) V, \(IC = 0\))
    - 交流特性(5.5 GHz, \(V{CE} = 3\) V, \(IC = 15\) mA):
    - 最大功率增益:\(G{ms} \approx 21\) dB
    - 最小噪声系数:\(NF{min} \approx 1\) dB
    - 三阶交调截点:\(OIP3 \approx 24\) dBm

    3. 产品特点和优势


    BFP740F的独特优势包括:
    - 极低的噪声系数:在5.5 GHz时最小噪声系数仅为1 dB。
    - 高增益:在5.5 GHz时增益达到21 dB。
    - 高线性度:三阶交调截点(OIP3)达到24 dBm。
    - 宽频率范围:适用于广泛的射频应用。
    - 稳定可靠:通过JEDEC标准认证,适用于工业应用。

    4. 应用案例和使用建议


    BFP740F广泛应用于以下领域:
    - 无线通信:如WLAN、WiMax和UWB
    - 卫星通信系统:如GNSS导航系统、卫星广播和C波段低噪声放大器(LNB)
    - 多媒体应用:如便携式电视、CATV和FM收音机
    - 工业科学医疗(ISM)应用:如遥控和自动抄表(AMR)
    建议用户在使用过程中关注散热设计,特别是在高频工作条件下,以确保设备稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    BFP740F采用TSFP-4-1封装,符合工业标准。此外,Infineon提供了详尽的技术文档和专业支持,帮助用户在设计和调试过程中解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    常见的问题及其解决方法:
    - 问题:设备过热。解决:增加散热片或使用更高效的散热材料。
    - 问题:噪声水平过高。解决:检查电路设计和接地情况,确保信号路径清晰。
    - 问题:增益不足。解决:调整偏置电压,检查电源供应稳定性。

    7. 总结和推荐


    综上所述,BFP740F SiGe:C NPN RF bipolar transistor凭借其卓越的噪声抑制能力、高增益和广泛的应用范围,成为众多无线通信和多媒体应用的理想选择。强烈推荐给需要高性能射频器件的设计工程师和技术爱好者。

BFP740FH6327XTSA1参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 -
配置 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
最大功率耗散 160mW
VCEO-集电极-发射极最大电压 4.7V
VEBO-最大发射极基极电压 1.2V
晶体管类型 NPN
VCBO-最大集电极基极电压 13V
集电极电流 30mA
集电极截止电流 -
长*宽*高 1.4mm*800μm*550μm
通用封装 TSFP-4
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BFP740FH6327XTSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BFP740FH6327XTSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) INFINEON TECHNOLOGIES BFP740FH6327XTSA1 BFP740FH6327XTSA1数据手册

BFP740FH6327XTSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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750+ ¥ 1.595
1500+ ¥ 1.507
3000+ ¥ 1.43
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