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BCR512E6327HTSA1

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: 300mV@ 2.5mA,50mA NPN - Pre-Biased 330mW 100nA 50V 500mA SOT-23-3 贴片安装 2.9mm(长度)*900μm(高度)
供应商型号: 2443498
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) BCR512E6327HTSA1

BCR512E6327HTSA1概述

    BCR512 NPN Silicon Digital Transistor 技术手册

    产品简介


    BCR512 是一款 NPN 硅数字晶体管,主要用于开关电源、马达控制、音频放大器等领域。它内置了两个偏置电阻(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ),提供无铅(符合 RoHS 标准)封装,并且通过了 AEC Q101 认证。这种晶体管特别适用于需要高可靠性和良好电气性能的应用场合。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-发射极电压 \( V{CEO} \): 50 V
    - 集电极-基极电压 \( V{CBO} \): 50 V
    - 输入正向电压 \( Vi(fwd) \): 30 V
    - 输入反向电压 \( Vi(rev) \): 10 V
    - 集电极电流 \( IC \): 500 mA
    - 总功率耗散 \( P{tot} \): 330 mW(当环境温度 \( TS \leq 79^\circ C \))
    - 结温 \( Tj \): 150 \( ^\circ C \)
    - 存储温度 \( T{stg} \): -65 ... 150 \( ^\circ C \)
    - 电气特性
    - 集电极-发射极击穿电压 \( V(BR){CEO} \): 50 V
    - 集电极-基极击穿电压 \( V(BR){CBO} \): 50 V
    - 集电极-基极截止电流 \( I{CBO} \): - - 100 nA
    - 发射极-基极截止电流 \( I{EBO} \): - - 1.61 mA
    - 直流电流增益 \( h{FE} \): 60(当 \( IC = 50 mA, V{CE} = 5 V \))
    - 饱和电压 \( V{CE(sat)} \): - - 0.3 V(当 \( IC = 50 mA, IB = 2.5 mA \))
    - 输入关断电压 \( Vi(off) \): 0.6 - 1.5 V
    - 输入接通电压 \( Vi(on) \): 1 - 2.2 V
    - 输入电阻 \( R1 \): 3.2 - 4.7 - 6.2 kΩ
    - 电阻比 \( R1 / R2 \): 0.9 - 1 - 1.1
    - 交流特性
    - 转换频率 \( fT \): - 100 - MHz(当 \( IC = 50 mA, V{CE} = 5 V, f = 100 MHz \))

    产品特点和优势


    BCR512 的内置偏置电阻简化了电路设计,提高了可靠性。同时,其高耐压和大电流能力使其适用于各种严苛的工业应用。此外,其高直流电流增益和低饱和电压使其在开关电源和音频放大器中表现优异。

    应用案例和使用建议


    BCR512 可用于需要高可靠性的开关电源、马达控制和音频放大器应用。例如,在一个开关电源应用中,BCR512 作为开关管可以实现高效的电源转换。建议在设计电路时,注意确保集电极-发射极电压不超过 50 V,并考虑散热问题以避免过热。同时,由于其输入关断和接通电压范围较宽,可以在多种电源条件下稳定工作。

    兼容性和支持


    BCR512 采用 SOT23 封装,与市场上常见的 SOT23 封装元器件具有良好的兼容性。厂商 Infineon 提供了详细的技术支持和维护文档,可通过其官方网站获得进一步的技术支持和资料。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 晶体管过热
    - 解决方案: 加强散热措施,如增加散热片或改善电路布局。
    - 问题: 无法正常切换
    - 解决方案: 检查输入信号是否达到接通电压范围,并确保电源电压不超过额定值。
    - 问题: 输出不稳定
    - 解决方案: 确认电路接地良好,检查所有连接点是否牢固。

    总结和推荐


    总体来说,BCR512 是一款性能优越、可靠性高的 NPN 硅数字晶体管。其内置偏置电阻和高电气特性使其成为许多高要求应用的理想选择。建议在需要高效、可靠开关的电路设计中优先考虑使用 BCR512。

BCR512E6327HTSA1参数

参数
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 300mV@ 2.5mA,50mA
最大功率耗散 330mW
VCBO-最大集电极基极电压 -
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
集电极电流 500mA
集电极截止电流 100nA
VEBO-最大发射极基极电压 -
配置 -
最大集电极发射极饱和电压 300mV@ 2.5mA,50mA
长*宽*高 2.9mm(长度)*900μm(高度)
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 最后售卖
包装方式 卷带包装

BCR512E6327HTSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BCR512E6327HTSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) INFINEON TECHNOLOGIES BCR512E6327HTSA1 BCR512E6327HTSA1数据手册

BCR512E6327HTSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 0.68
10+ ¥ 0.68
100+ ¥ 0.5152
500+ ¥ 0.5152
1000+ ¥ 0.4616
5000+ ¥ 0.4616
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