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BCR48PNH6327XTSA1

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: 300mV@ 500µA,10mA 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual) 250mW 50V 70mA,100mA SOT-26 贴片安装
供应商型号: MIK-BCR48PNH6327XTSA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) BCR48PNH6327XTSA1

BCR48PNH6327XTSA1概述

    BCR48PN NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array

    1. 产品简介


    BCR48PN 是一款NPN/PNP硅数字晶体管阵列,适用于开关电路、逆变器、接口电路和驱动电路等多种应用。此组件包含两个内部隔离的NPN/PNP晶体管,每个晶体管都内置有偏置电阻,能够实现高效的电流控制和信号处理。此产品符合RoHS标准,并且已通过AEC-Q101认证,确保了其在汽车和其他工业应用中的可靠性。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-发射极电压:VCEO = 50V
    - 集电极-基极电压:VCBO = 50V
    - 输入正向电压(NPN):Vi(fwd) = 80V
    - 输入正向电压(PNP):Vi(fwd) = 20V
    - 输入反向电压(NPN):Vi(rev) = 10V
    - 输入反向电压(PNP):Vi(rev) = 5V
    - 最大直流集电极电流(NPN):IC = 70mA
    - 最大直流集电极电流(PNP):IC = 100mA
    - 总功耗:Ptot = 250mW(在TS = 115°C下)
    - 结温:Tj = 150°C
    - 存储温度范围:Tstg = -65...+150°C
    - 热阻抗
    - 结到焊接点:RthJS ≤ 140K/W
    - 电气特性(TA = 25°C,除非另有说明)
    - 集电极-发射极击穿电压(NPN类型):V(BR)CEO = 50V
    - 集电极-基极击穿电压(NPN类型):V(BR)CBO = 50V
    - 集电极截止电流(NPN类型):ICBO ≤ 100nA
    - 发射极截止电流(NPN类型):IEBO ≤ 164μA
    - 直流电流增益(NPN类型):hFE = 70(IC = 5mA, VCE = 5V)
    - 集电极-发射极饱和电压(NPN类型):VCEsat ≤ 0.3V(IC = 10mA, IB = 0.5mA)
    - 输入关断电压(NPN类型):Vi(off) = 0.8V - 1.5V
    - 输入导通电压(NPN类型):Vi(on) = 1V - 3V

    3. 产品特点和优势


    BCR48PN 的独特之处在于其双通道设计,能够同时处理NPN和PNP两种类型的晶体管,这在复杂的电路设计中非常有用。此外,内置的偏置电阻简化了电路设计,提高了系统的可靠性和稳定性。此产品通过AEC-Q101认证,特别适合用于汽车和其他高可靠性要求的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    BCR48PN 广泛应用于各种电子设备中,如逆变器、电源管理电路和汽车电子系统。例如,在一个汽车空调控制系统中,BCR48PN 可以用来控制风扇电机的启停。建议在使用时注意散热设计,确保晶体管不会因过热而失效。在具体应用中,根据工作环境和负载条件调整偏置电阻值,以优化性能。

    5. 兼容性和支持


    BCR48PN 采用SOT-363封装,适合广泛的应用场合。如果需要与其他电子元件配合使用,建议参考相关手册和指南。制造商提供详细的技术支持和维护服务,如有任何疑问可联系当地办事处。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:晶体管出现异常发热。
    - 解决方案:检查散热设计,确保散热片或冷却风扇正常工作。必要时增加散热措施,降低环境温度。
    - 问题2:输出信号不稳定。
    - 解决方案:确认输入电压和电流满足产品规格要求。检查电路接线是否有误,重新校准偏置电阻。

    7. 总结和推荐


    BCR48PN 是一款高性能、高可靠性的NPN/PNP硅数字晶体管阵列,非常适合在各种复杂电路中使用。其独特的双通道设计、内置偏置电阻和高可靠性使其在市场上具有很强的竞争优势。总体而言,我们强烈推荐使用这款产品。

BCR48PNH6327XTSA1参数

参数
配置 -
集电极电流 70mA,100mA
最大集电极发射极饱和电压 300mV@ 500µA,10mA
晶体管类型 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual)
VEBO-最大发射极基极电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 300mV@ 500µA,10mA
集电极截止电流 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
最大功率耗散 250mW
通用封装 SOT-26
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

BCR48PNH6327XTSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BCR48PNH6327XTSA1数据手册

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BCR48PNH6327XTSA1封装设计

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