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BC848CE6327

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: NPN 330mW 6V 15nA 30V 30V 100mA SOT-23-3 贴片安装 2.9mm*1.3mm*1mm
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INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) BC848CE6327

BC848CE6327概述

    BC846...-BC850 NPN Silicon AF Transistors 技术手册

    产品简介


    BC846...-BC850 系列是 NPN 硅晶体管,主要用于音频输入阶段和驱动应用。这些晶体管具有高电流增益(hFE)和低集电极-发射极饱和电压(VCEsat),且在 30 Hz 到 15 kHz 频率范围内噪音低。此外,这些晶体管还有对应的 PNP 型号 BC856...-BC860...,适用于互补对称电路设计。

    技术参数


    - 电气特性:
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO): 30 V 至 65 V
    - 集电极-基极击穿电压 (V(BR)CBO): 30 V 至 80 V
    - 发射极-基极击穿电压 (V(BR)EBO): 6 V
    - 集电极截止电流 (ICBO): 0.015 μA 至 5 μA
    - 直流电流增益 (hFE): 110 至 800
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCEsat): 0.09 V 至 0.6 V
    - 基极-发射极饱和电压 (VBEsat): 0.07 V 至 0.09 V
    - 转换频率 (fT): 250 MHz
    - 输入短路阻抗 (h11e): 2.7 kΩ 至 8.7 kΩ
    - 开路反向电压转换比 (h12e): 1.5 至 3
    - 最大额定值:
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 30 V 至 65 V
    - 最大峰值集电极电流 (ICM): 200 mA
    - 总功耗 (Ptot): 250 mW 至 330 mW
    - 结温 (Tj): 150 °C
    - 存储温度 (Tstg): -65 °C 至 150 °C
    - 热阻抗:
    - 结-焊接点热阻 (RthJS): ≤ 105 K/W 至 ≤ 240 K/W

    产品特点和优势


    BC846...-BC850 系列晶体管具有以下特点:
    - 高电流增益: 支持高达 800 的电流增益,适合高频放大和信号处理。
    - 低饱和电压: VCEsat 低至 0.09 V,有助于提高能效。
    - 低噪声: 在音频频段内提供优异的噪声性能。
    - 小尺寸封装: 提供 SOT23、SOT323、TSFP-3 和 TSLP-3-1 等多种封装形式,适用于空间受限的设计。
    - 环保材料: 铅(Pb)含量符合 RoHS 规范,可满足绿色制造要求。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: 这些晶体管常用于音响设备、工业控制系统和各种消费电子产品中。例如,在音响系统中,它们可以用于音频前置放大器和功率放大器。
    - 使用建议:
    - 设计时需注意温度影响,确保不超过最高结温(150 °C)。
    - 对于高频应用,应考虑转换频率(fT)以避免信号失真。
    - 在高温环境下工作时,要特别注意总功耗限制,以免损坏晶体管。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 与常见的 PCB 封装兼容,可用于多种组装工艺。
    - 支持: Infineon Technologies 提供技术支持和文档资源,包括安装指南和应用笔记。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 温度过高导致晶体管失效。
    - 解决方案: 使用散热片或热管进行有效散热,确保工作温度在安全范围内。
    - 问题: 信号失真。
    - 解决方案: 检查电路设计,确保频率响应符合晶体管的工作范围。
    - 问题: 高频应用中的噪声问题。
    - 解决方案: 使用外部滤波器减少噪声干扰。

    总结和推荐


    BC846...-BC850 系列晶体管凭借其高电流增益、低饱和电压和优异的噪声性能,在音频输入和驱动应用中表现出色。其多样化的封装选择和环保材料使其成为广泛应用的理想选择。虽然价格较高,但其出色的性能和稳定性使其物有所值。强烈推荐在需要高性能音频和信号处理的项目中使用。
    希望这篇技术手册能够帮助您更好地了解和应用 BC846...-BC850 系列晶体管。如有任何疑问,请联系 Infineon Technologies 官方支持。

BC848CE6327参数

参数
配置 独立式
集电极截止电流 15nA
VCEO-集电极-发射极最大电压 30V
VEBO-最大发射极基极电压 6V
最大集电极发射极饱和电压 0.6@ 5mA,100mA
VCBO-最大集电极基极电压 30V
晶体管类型 NPN
集电极电流 100mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
最大功率耗散 330mW
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

BC848CE6327厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BC848CE6327数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) INFINEON TECHNOLOGIES BC848CE6327 BC848CE6327数据手册

BC848CE6327封装设计

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