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BFP842ESDH6327XTSA1

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: Infineon NPN射频双极晶体管, SOT-343封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流40 mA, 最大集电极-发射电压3.25 V
供应商型号: 2480677
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) BFP842ESDH6327XTSA1

BFP842ESDH6327XTSA1概述

    # BFP842ESD SiGe:C NPN RF Bipolar Transistor 技术手册解析

    产品简介


    基本信息
    BFP842ESD 是一种高性能射频异质结双极晶体管(HBT),适用于2.3至3.5 GHz范围内的低噪声放大器(LNA)应用。其采用SiGe:C技术,具有高稳健性和高频率响应能力。
    主要功能
    - 高线性度:可承受高达16 dBm的最大射频输入功率,具备1 kV HBM ESD保护。
    - 高频性能:最高过渡频率 \( fT \) 达到57 GHz,噪声系数 \( NF{\text{min}} \) 为0.65 dB。
    - 高增益:在3.5 GHz频率下,最大增益 \( G{\text{ma}} \) 为17.5 dB。
    应用领域
    - 无线通信:如WLAN、WiMAX、蓝牙。
    - 卫星通信系统:例如全球导航卫星系统(GNSS)、卫星无线电及C波段低噪声下变频器(LNB)。
    - 多媒体应用:移动/便携式电视、手机电视、FM广播。
    - 第三代/第四代移动电话应用:UMTS/LTE。
    - 工业科学医疗(ISM)应用:如远程键控(RKE)、自动计量读取(AMR)、Zigbee等。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 集电极-发射极电压(\( V{CEO} \)):-3.25 V(开路基)
    - 最大射频输入功率:16 dBm
    - 结温(\( TJ \)):150°C
    - 存储温度(\( T{Stg} \)):-55°C
    热特性
    - 结-焊点热阻 \( R{thJS} \):最大值为324 K/W
    电气特性
    直流特性
    - 集电极-发射极击穿电压(\( V(BR){CEO} \)):最小3.25 V,典型值3.7 V
    - 集电极-发射极漏电流(\( I{CES} \)):最大400 nA
    - 基极-集电极漏电流(\( I{CBO} \)):最大400 nA
    - 直流电流增益(\( h{FE} \)):最小150,典型值260,最大450
    交流特性
    - 过渡频率 \( fT \):57 GHz(\( V{CE} = 2.5 \) V,\( IC = 25 \) mA,\( f = 1 \) GHz)
    - 最大功率增益(\( G{ma} \)):17.5 dB(\( V{CE} = 2.5 \) V,\( IC = 15 \) mA,\( f = 3.5 \) GHz)
    封装信息
    - 封装类型:SOT343
    - 引脚配置:标记符号:1 = B,2 = E,3 = C,4 = E

    产品特点和优势


    BFP842ESD 具备卓越的高频性能和强大的鲁棒性,适用于各种高频射频电路设计。其独特的 SiGe:C 材料使得其在高频率下仍能保持低噪声和高增益,适用于多种高频通信应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 无线通信:可应用于各类高频率无线通信系统,提供高效可靠的信号传输。
    - 多媒体应用:在移动电视和FM广播中,能够显著提升信号质量和稳定性。
    - 卫星通信:在卫星无线电和导航系统中,确保数据传输的可靠性和准确性。
    使用建议
    - 在设计电路时,应注意合理选择电源电压,特别是在低电压应用中(如1.2 V 和 1.8 V)。
    - 注意保持良好的散热措施,以避免超过绝对最大额定值,确保长期可靠运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:BFP842ESD 适用于多种标准高频通信模块和系统,具体兼容性可参考相应供应商的产品文档。
    - 支持:制造商提供全面的技术支持和维护服务,用户可通过官方渠道获取相关帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:设备过热
    - 解决方案:检查散热系统是否正常工作,增加散热片或风扇改善散热效果。
    - 问题二:射频信号不稳定
    - 解决方案:确保电源电压稳定,检查射频电路的匹配情况,适当调整天线位置和长度。

    总结和推荐


    综合评估
    BFP842ESD SiGe:C NPN RF 晶体管是一款针对高频应用而优化设计的高性能器件,具备出色的线性度、高增益和低噪声特性。其在无线通信、卫星通信及多媒体应用中表现出色。
    推荐结论
    鉴于其优异的性能和广泛的适用范围,强烈推荐在高频率射频电路设计中使用 BFP842ESD。对于追求高性能和可靠性的设计师来说,这款器件是一个理想的选择。

BFP842ESDH6327XTSA1参数

参数
VCBO-最大集电极基极电压 4.1V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
集电极截止电流 -
配置 -
集电极电流 40mA
最大集电极发射极饱和电压 -
最大功率耗散 120mW
VCEO-集电极-发射极最大电压 3.7V
晶体管类型 NPN
VEBO-最大发射极基极电压 4.1V
长*宽*高 2mm*1.25mm*800μm
通用封装 SOT-343
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BFP842ESDH6327XTSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BFP842ESDH6327XTSA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 三极管(BJT) INFINEON TECHNOLOGIES BFP842ESDH6327XTSA1 BFP842ESDH6327XTSA1数据手册

BFP842ESDH6327XTSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 2.0618
10+ ¥ 1.6244
100+ ¥ 1.4995
500+ ¥ 1.3995
1000+ ¥ 1.3745
5000+ ¥ 1.3745
库存: 470
起订量: 35 增量: 0
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