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2SD1559

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: Silicon NPN Darlington Power Transistor
供应商型号: 2SD1559 TO-3PN
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 三极管(BJT) 2SD1559

2SD1559概述

    2SD1559 NPN Darlington Power Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    2SD1559 是一款由 INCHANGE Semiconductor 生产的硅基 NPN 达林顿功率晶体管。它具有高直流电流增益(hFE),适用于低频功率放大器应用。主要功能包括高耐压能力和低饱和电压,确保稳定的电力转换效率。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值(Ta=25℃)
    - VCBO(集电极-基极电压):100V
    - VCEO(集电极-发射极电压):100V
    - VEBO(发射极-基极电压):7V
    - IC(连续集电极电流):20A
    - ICM(峰值集电极电流):30A
    - IB(连续基极电流):3A
    - PC(集电极耗散功率)@ TC=25℃:100W
    - TJ(结温):150℃
    - TSTG(存储温度范围):-55~150℃
    - 电气特性
    - VCEO(SUS)(集电极-发射极维持电压):100V (Min.)
    - V(BR)CBO(集电极-基极击穿电压):100V
    - V(BR)CEO(集电极-发射极击穿电压):100V
    - V(BR)EBO(发射极-基极击穿电压):7V
    - VCE(sat)-1(集电极-发射极饱和电压):IC=10A, IB=20mA 时 2.0V
    - VCE(sat)-2(集电极-发射极饱和电压):IC=20A, IB=200mA 时 3.0V
    - VBE(sat)-1(基极-发射极饱和电压):IC=10A, IB=20mA 时 2.5V
    - VBE(sat)-2(基极-发射极饱和电压):IC=20A, IB=200mA 时 3.5V
    - ICBO(集电极截止电流):VCB=100V, IE=0 时 0.1mA
    - ICEO(集电极截止电流):VCE=80V, RBE=∞ 时 1.0mA
    - hFE(直流电流增益):IC=10A; VCE=3V 时 1000 (Min.), 20000 (Max.)
    - 开关时间
    - ton(开通时间):IC=10A, IB1=IB2=20mA 时 1.0μs
    - tstg(存储时间):9.0μs
    - tf(下降时间):3.0μs

    3. 产品特点和优势


    - 高直流电流增益:2SD1559 具有高达 1000 的最小直流电流增益,使其在低频功率放大器应用中表现出色。
    - 高耐压能力:能够承受高达 100V 的集电极-发射极电压,确保在高压环境中稳定运行。
    - 低饱和电压:饱和电压低至 2.0V 至 3.0V,有效降低功耗,提高能源效率。
    - 一致性和可靠性:通过严格的质量控制,确保批间差异小,提供可靠的操作性能。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:2SD1559 主要应用于低频功率放大器,例如音频放大器、开关电源等领域。其高耐压能力和低饱和电压使得其在这些应用中具有显著优势。
    使用建议:
    - 确保电路设计中充分考虑散热措施,避免因过热导致性能下降。
    - 在使用过程中,合理设置驱动电路以优化电流和电压。
    - 在大电流应用中,建议增加适当的滤波电容以减少噪声干扰。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:2SD1559 可与其他标准 NPN 晶体管进行互换,适用于多种电路设计。
    - 支持:INCHANGE Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,包括产品选型指南和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:设备在高电流情况下出现过热现象。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,增加外部散热器或改善电路布局以提高散热效果。
    - 问题:电路在大电流应用中表现不稳定。
    - 解决方案:确保驱动电路配置正确,增加必要的滤波电容以减少瞬态噪声影响。
    - 问题:设备开机后立即关闭。
    - 解决方案:检查电路连接和参数设置,确保驱动信号和电流设置在安全范围内。

    7. 总结和推荐


    总结:2SD1559 是一款高性能的 NPN 达林顿功率晶体管,具备高直流电流增益、高耐压能力和低饱和电压等优点,适用于多种低频功率放大器应用。其优异的性能和可靠性使其在市场上具有较强的竞争优势。
    推荐:强烈推荐使用 2SD1559,特别是在需要高可靠性和高性能的低频功率放大器应用中。

2SD1559参数

参数
最大功率耗散 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 -
集电极截止电流 -
最大集电极发射极饱和电压 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极电流 -
晶体管类型 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
配置 -
通用封装 TO-3PN

2SD1559厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

2SD1559数据手册

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ISC/无锡固电半导体 三极管(BJT) ISC/无锡固电半导体 2SD1559 2SD1559数据手册

2SD1559封装设计

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