处理中...

首页  >  产品百科  >  2SD600

2SD600

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述:
供应商型号: 2SD600 TO-126
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体 三极管(BJT) 2SD600

2SD600概述

    2SD600 NPN Power Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    2SD600 是一款由ISC半导体公司生产的硅基NPN功率晶体管,主要应用于功率放大器等领域。该产品具有高集电极电流、高击穿电压和良好的线性度等特性,是高性能功率放大器的理想选择。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - VCBO(集电极-基极电压):100 V
    - VCEO(集电极-发射极电压):100 V
    - VEBO(发射极-基极电压):5 V
    - IC(连续集电极电流):1 A
    - ICP(脉冲集电极电流):2 A
    - PC(集电极耗散功率)@ TC=25℃:8 W
    - PC(集电极耗散功率)@ Ta=25℃:1 W
    - TJ(结温):150 ℃
    - Tstg(存储温度范围):-55~150 ℃
    - 电气特性
    - V(BR)CBO(集电极-基极击穿电压):100 V
    - V(BR)CEO(集电极-发射极击穿电压):100 V
    - V(BR)EBO(发射极-基极击穿电压):5 V
    - VCE(sat)(集电极-发射极饱和电压):0.15~0.4 V
    - VBE(sat)(基极-发射极饱和电压):0.85~1.2 V
    - ICBO(集电极截止电流):1 μA
    - IEBO(发射极截止电流):1 μA
    - hFE-1(直流增益@ IC=50mA, VCE=5V):60~320
    - hFE-2(直流增益@ IC=500mA, VCE=5V):20
    - fT(电流增益-带宽积@ IC=50mA, VCE=10V):130 MHz
    - COB(输出电容@ IE=0, VCB=10V, ftest=1MHz):20 pF
    - tf(下降时间@ IC=500mA, RL=24Ω, IB1=IB2=50mA, VCE=12V):0.1 μs
    - toff(关断时间):0.5 μs
    - tstg(存储时间):0.7 μs

    3. 产品特点和优势


    2SD600 具有以下特点和优势:
    - 高集电极电流:支持高达1A的连续集电极电流,适用于多种高电流需求的应用。
    - 高击穿电压:集电极-发射极击穿电压达到100V,保证了在高压环境下的可靠运行。
    - 低饱和电压:集电极-发射极饱和电压低至0.15~0.4V,提高了效率。
    - 稳定的性能:最小批次间变化确保了稳定的性能和可靠的运行。
    - 优良的线性度:良好的直流增益使得产品在各种应用中表现优异。

    4. 应用案例和使用建议


    2SD600 主要用于功率放大器的应用场景,例如音频放大器、开关电源、驱动电路等。根据手册中的描述,该产品在这些应用中表现出色。使用时需要注意:
    - 散热设计:由于较高的功耗(如在高电流应用中),需要确保良好的散热设计,避免过热。
    - 负载匹配:在使用时要注意负载匹配,以防止因阻抗不匹配而导致的性能下降。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:2SD600 适用于广泛的标准功率放大器设计,但具体使用前需考虑实际电路的需求。
    - 支持:ISC半导体提供技术支持和服务,如需要进一步的技术咨询,请联系他们的技术支持团队。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:产品在高温环境下性能下降。
    - 解决方案:检查散热设计,确保足够的散热措施。

    - 问题2:集电极电流过高导致过热。
    - 解决方案:调整电路设计,降低集电极电流,或者增加散热装置。

    - 问题3:无法实现预期的电流增益。
    - 解决方案:检查输入信号和偏置电路,确保正确的偏置设置。

    7. 总结和推荐


    2SD600 是一款出色的硅基NPN功率晶体管,具备高可靠性、低损耗和高电流处理能力等特点。其广泛应用于功率放大器和其他需要大电流和高电压的应用中。鉴于其出色的性能和广泛的应用领域,强烈推荐使用2SD600作为高性能功率放大器的关键组件。

2SD600参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 -
晶体管类型 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
集电极截止电流 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
最大集电极发射极饱和电压 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
集电极电流 -
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 TO-126

2SD600厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

2SD600数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 三极管(BJT) ISC/无锡固电半导体 2SD600 2SD600数据手册

2SD600封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 1.875
2000+ ¥ 1.2
库存: 11000
起订量: 5 增量: 2000
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 9.37
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
1214-110V ¥ 2707.0919
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AUA ¥ 310.2704
2N2222AUA ¥ 200.5286
2N2222AUB ¥ 338.8957