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W631GG6KB-15

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 1Gb (64M x 16) 64Mx16 1.425V 240mA 1.575V 667MHz Parallel 16bit BGA 贴片安装
供应商型号:
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标准整包数: 0
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W631GG6KB-15

W631GG6KB-15概述

    W631GG6KB DDR3 SDRAM 技术手册概述

    1. 产品简介


    W631GG6KB 是一款 8M × 8 BANKS × 16 BIT DDR3 SDRAM 存储器芯片,由 Winbond(华邦电子)设计生产。该产品主要用于高性能计算、嵌入式系统、移动设备等领域。它具有高速读写能力、低功耗和高可靠性,能够在严苛的工作环境中稳定运行。

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术参数:
    - 容量: 8M × 8 BANKS × 16 BIT = 1GB
    - 工作电压: 1.5V ± 0.075V
    - 输入输出信号: 单端信号和差分信号
    - 工作频率: 支持 DDR3-1333, DDR3-1600, DDR3-1866
    - 工作温度范围: -40°C 至 +85°C
    - 封装形式: FBGA 封装,球栅阵列结构
    - 时钟频率: 最大可达 800 MHz
    - 存储周期: tCK 最小值为 1.25 ns
    - 引脚配置: 具体引脚配置见手册第5节

    3. 产品特点和优势


    - 高集成度: 高密度存储单元,满足现代电子系统对存储容量的需求。
    - 低功耗: 采用先进的低功耗设计技术,降低整体功耗。
    - 高稳定性: 严格的质量控制流程,确保产品在各种环境下的稳定运行。
    - 高速读写: 支持 DDR3 标准,提供卓越的数据传输速度。

    4. 应用案例和使用建议


    该产品适用于多种应用场合,例如服务器、笔记本电脑、智能手机和平板电脑等。具体使用建议如下:
    - 在设计电路时,要确保电源稳定,避免电压波动。
    - 在进行硬件布局时,要合理安排走线以减少干扰,提高信号完整性。
    - 使用适当的阻抗匹配技术,如终端电阻,以确保信号质量。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与其他标准DDR3内存模块和控制器完全兼容,适用于各种硬件平台。
    - 支持和服务: Winbond 提供详尽的技术文档和专业的技术支持服务,帮助用户解决在开发和使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何进行初始化?
    - A: 参考手册第8.2节中的“Power-up Initialization Sequence”和“Reset Initialization with Stable Power”部分,按照详细步骤操作。

    - Q: 如何设置模式寄存器?
    - A: 参考手册第8.3节中的相关描述,具体寄存器设置方法详见各子章节。

    7. 总结和推荐


    总体来看,W631GG6KB DDR3 SDRAM 在各方面表现优异,适合用于高性能计算和嵌入式系统中。我们强烈推荐使用此款产品,特别是对于需要高密度存储和低功耗的应用场景。
    通过以上详细内容,可以清晰地了解 W631GG6KB DDR3 SDRAM 的技术细节及其在实际应用中的最佳实践。希望这些信息能帮助您更好地选择和使用该产品。

W631GG6KB-15参数

参数
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
存储容量 1Gb (64M x 16)
最大供电电流 240mA
最大时钟频率 667MHz
最大工作供电电压 1.575V
最小工作供电电压 1.425V
组织 64Mx16
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 托盘

W631GG6KB-15数据手册

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W631GG6KB-15封装设计

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