处理中...

首页  >  产品百科  >  W9864G2JH-6 TR

W9864G2JH-6 TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 64Mb (2M x 32) 2Mx32 3V 130mA 3.6V 166MHz Parallel 32bit TSOP-86 贴片安装,黏合安装 22.22mm*10.16mm*1mm
供应商型号: 454-W9864G2JH-6TR
供应商: Mouser
标准整包数: 1
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W9864G2JH-6 TR

W9864G2JH-6 TR概述

    # W9864G2JH SDRAM 技术手册

    产品简介


    W9864G2JH 是一款高速同步动态随机存取存储器(SDRAM),采用 512K words × 4 banks × 32 bits 的组织结构。其最大数据带宽可达每秒 200M 个字。针对不同应用场景,W9864G2JH 提供了多种速度等级:-5、-6、-6I 和 -7。其中,-5 系列产品可在高达 200 MHz 的时钟频率下运行,而 -6 和 -6I 则最高可达 166 MHz,其中工业级的 -6I 可适应 -40°C 至 85°C 的工作温度范围。-7 系列产品则在 143 MHz 下运行。
    W9864G2JH 特别适合高性能应用程序中的主内存。通过连续地址访问,可以在选定的行中按顺序或交错模式进行突发读取操作。同时,其多银行结构允许内部银行之间的交错操作,以隐藏预充电时间。

    技术参数


    基本参数
    - 组织结构:512K words × 4 banks × 32 bits
    - 最大时钟频率:200 MHz(-5 系列)/ 166 MHz(-6 和 -6I 系列)/ 143 MHz(-7 系列)
    - 工作电压:-5/-6/-6I 系列为 3.3V ± 0.3V;-7 系列为 2.7V~3.6V
    - 自刷新电流:标准和低功耗模式
    - 列地址选通延迟(CAS Latency):2 与 3
    - 突发长度:1、2、4、8 及全页
    - 刷新周期:4K 周期/64ms
    - 接口:LVTTL
    - 封装:TSOP II 86 引脚,无铅材料,符合 RoHS 标准
    电气特性
    - 绝对最大额定值:详见第 9.1 节
    - 推荐直流工作条件:详见第 9.2 节
    - 电容:详见第 9.3 节
    - 直流特性:详见第 9.4 节
    - 交流特性及工作条件:详见第 9.5 节
    操作时序图
    - 命令输入时序:详见第 10.1 节
    - 读取时序:详见第 10.2 节
    - 控制输入/输出数据时序:详见第 10.3 节
    - 模式寄存器设置周期:详见第 10.4 节

    产品特点和优势


    1. 高数据带宽:W9864G2JH 支持高达 200M 个字每秒的数据传输速率。
    2. 宽温度范围:-6I 系列产品可在极端环境中(-40°C 至 85°C)稳定运行,适用于严苛的工业应用。
    3. 灵活的模式寄存器编程:用户可以调整突发长度、时序周期、交错模式或顺序突发模式,以最大化性能。
    4. 低功耗设计:提供标准和低功耗自刷新模式,延长设备使用寿命。
    5. 高可靠性:4K 刷新周期/64ms 的刷新机制确保数据持久性。
    6. 多银行操作:多个内部银行可以同时激活,提高数据访问效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 数据中心服务器:由于其高速度和高带宽特性,W9864G2JH 适用于数据中心服务器的高速缓存。
    - 嵌入式系统:工业控制系统的快速数据处理要求可通过 W9864G2JH 得到满足。
    - 通信设备:在通信设备中,W9864G2JH 可用于高速数据传输和处理。
    使用建议
    - 初始设置:确保所有 VDD 和 VDDQ 引脚同时上升至指定电压,避免超过 VDD + 0.3V 的限制。完成上电后,等待 200 µs,然后进行预充电。
    - 编程模式寄存器:必须在银行处于预充电状态并保持 CKE 高电平至少一个时钟周期后,才能发出模式寄存器设置命令。
    - 读写操作:在执行读写操作之前,确保执行 Bank Activate 命令。使用不同的突发长度和交替的访问与预充电操作可以实现无缝数据访问。

    兼容性和支持


    W9864G2JH 与标准 LVTTL 接口兼容,可以轻松集成到现有系统中。制造商提供详尽的技术支持文档和维护服务,帮助用户解决常见问题。此外,该产品支持多种速度等级,用户可根据具体需求选择合适型号。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确执行上电和初始化过程?
    - 解决方法:确保所有 VDD 和 VDDQ 引脚同时上升至指定电压,完成上电后等待 200 µs 并进行预充电。

    2. 问题:如何编程模式寄存器?
    - 解决方法:确保所有银行处于预充电状态并保持 CKE 高电平至少一个时钟周期后,再发出模式寄存器设置命令。
    3. 问题:如何执行 Bank Activate 命令?
    - 解决方法:在发出 Bank Activate 命令后,至少需要等待 tRCD 时间,然后可以开始执行读或写操作。

    总结和推荐


    综上所述,W9864G2JH 是一款具备高性能、多功能特性的 SDRAM。其高数据带宽、宽温度范围、灵活的模式寄存器编程能力以及多银行操作使其成为众多应用场景的理想选择。推荐用户根据实际需求选择合适的型号,并遵循上述操作指南以获得最佳性能。

W9864G2JH-6 TR参数

参数
存储容量 64Mb (2M x 32)
最大供电电流 130mA
最大时钟频率 166MHz
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 3V
组织 2Mx32
数据总线宽度 32bit
接口类型 Parallel
长*宽*高 22.22mm*10.16mm*1mm
通用封装 TSOP-86
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

W9864G2JH-6 TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) WINBOND/台湾华邦 W9864G2JH-6 TR W9864G2JH-6 TR数据手册

W9864G2JH-6 TR封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ $ 2.7825 ¥ 23.5121
库存: 0
起订量: 1000 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
A3T2GF40CBF-HP ¥ 33.8169
A3T4GF40BBF-HP ¥ 39.4531
AQD-D4U8GR24-HE ¥ 935.6359
AS4C128M8D3LA-12BIN ¥ 0
AS4C16M16MSA-6BIN ¥ 40.1668
AS4C16M32SC-7TIN ¥ 138.0705
AS4C2M32D1A-5BIN ¥ 29.9743
AS4C4M16SA-6TINTR ¥ 16.7637
AS4C4M32D1A-5BINTR ¥ 47.4315
AS4C64M16D2A-25BCNTR ¥ 49.3288