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W948D2FBJX5E

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 256Mb (8M x 32) 8Mx32 1.7V 55mA 1.95V 200MHz Parallel 32bit BGA 贴片安装 13mm*8mm*660μm
供应商型号: W948D2FBJX5E VFBGA-90(8X13)
供应商: 期货订购
标准整包数: 240
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W948D2FBJX5E

W948D2FBJX5E概述

    高速低功耗LPDDR SDRAM 256Mb移动存储解决方案

    产品简介


    W948D6FB/W948D2FB是一款高性能的低功耗双倍数据速率同步动态随机存取存储器(LPDDR SDRAM),专为移动应用设计。这种存储器采用先进的技术,在单一页面内可以以2、4、8和16的突发长度访问连续内存位置。随机列读取也可以通过在每个时钟周期提供其地址来实现。其多银行结构允许内部银行之间的交错操作,从而隐藏预充电时间。通过设置可编程模式寄存器,系统可以调整突发长度、延迟周期、交错或顺序突发以最大化性能。此外,该设备还支持部分阵列自刷新(PASR)和自动温度补偿自刷新(ATCSR)等功能,以降低功耗。

    技术参数


    | 参数名称 | 描述及范围 |

    | 电压(VDD/VDDQ) | 1.7V至1.95V |
    | 数据宽度 | x16 或 x32 |
    | 时钟速率 | 200MHz(-5),166MHz(-6),133MHz(-75) |
    | 部分阵列自刷新 | 支持 |
    | 自动温度补偿自刷新 | 支持 |
    | 功耗模式 | 深度掉电模式(DPD)支持 |
    | 输出缓冲驱动强度 | 可编程 |
    | 内部银行数量 | 四个 |
    | 数据掩码 | 支持写数据 |
    | 时钟停止能力 | 支持空闲期 |
    | 自动预充电选项 | 每次突发访问支持 |
    | 双倍数据速率输出 | 支持 |
    | 差分时钟输入 | CK 和 CK 输入 |
    | 数据选通 | 双向,数据选通(DQS) |
    | CAS延迟 | 2 和 3 |
    | 突发长度 | 2、4、8和16 |
    | 突发类型 | 顺序或交错 |
    | 刷新周期 | 64ms |
    | 接口 | LVCMOS |
    | 封装类型 | 60球VFBGA(x16),90球VFBGA(x32) |

    产品特点和优势


    W948D6FB/W948D2FB的主要特点包括其高效的电源管理能力和灵活的操作模式。它具有较低的工作电压范围,这有助于减少功耗并延长电池寿命。此外,支持多种突发长度和CAS延迟配置使得该存储器非常适合于需要高性能和低延迟的应用场景。多重内部银行结构提高了并发处理能力,而自动预充电和深度掉电模式进一步增强了系统的能效比。
    应用案例与使用建议
    W948D6FB/W948D2FB广泛应用于智能手机和平板电脑等便携式设备中。对于开发人员来说,合理利用这些特性可以显著提升应用程序的表现力。例如,在游戏开发过程中,通过设置适当的突发长度和CAS延迟值,可以使帧率更加稳定。同时,考虑到长时间运行可能带来的发热问题,应该积极利用部分阵列自刷新和自动温度补偿自刷新等功能来维持最佳性能状态。
    兼容性与支持
    该产品与大多数主流处理器架构高度兼容,并且提供了详细的文档资料帮助开发者快速上手。制造商还提供全面的技术支持服务,包括在线问答社区、电话咨询热线以及定期举办的技术研讨会等活动。
    常见问题解答
    问:如何正确初始化设备?
    答:首先确保所有引脚都按照规定连接好,然后发送激活命令选定一个行地址,接着发送读写命令指定列地址进行数据存取操作即可完成初始化过程。
    问:当遇到信号干扰时应采取什么措施?
    答:检查电源供应是否稳定;如果仍然存在问题,则尝试增加旁路电容器或更换质量更好的电缆试试看。
    问:如何判断当前处于何种工作状态?
    答:可以通过读取状态寄存器来了解具体的状态信息,如是否有正在进行中的任务等等。
    总结与推荐
    总体而言,W948D6FB/W948D2FB凭借其卓越的技术指标以及丰富的功能组合,在同类产品当中脱颖而出。对于那些寻求高性能、低功耗且易于集成到现有系统中的解决方案而言,无疑是一个理想的选择。因此强烈建议考虑将其纳入您的项目之中!

W948D2FBJX5E参数

参数
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.7V
组织 8Mx32
数据总线宽度 32bit
接口类型 Parallel
存储容量 256Mb (8M x 32)
最大供电电流 55mA
最大时钟频率 200MHz
长*宽*高 13mm*8mm*660μm
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

W948D2FBJX5E数据手册

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WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) WINBOND/台湾华邦 W948D2FBJX5E W948D2FBJX5E数据手册

W948D2FBJX5E封装设计

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