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W632GG8NB11I

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 2Gb (256M x 8) 256 M x 8 1.425V 1.575V 933MHz Parallel 8bit VFBGA-78 贴片安装
供应商型号: W632GG8NB11I VFBGA-78(8X10.5)
供应商: 期货订购
标准整包数: 242
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W632GG8NB11I

W632GG8NB11I概述


    产品简介


    W632GG8NB 是一款高性能的 32M × 8 Banks × 8 Bit DDR3 SDRAM 芯片,专为需要高带宽和低功耗的应用而设计。该芯片广泛应用于消费电子、服务器、网络通信设备以及工业控制等领域,满足对存储容量和速度要求较高的场景需求。

    技术参数


    - 容量: 32M × 8 Banks × 8 Bit
    - 工作电压: 1.5V ± 0.075V
    - 时钟频率: 支持 DDR3-1333/1600/1866 MHz
    - 温度范围: 工作温度 -40°C 至 +85°C
    - 信号接口: 采用标准 DDR3 接口,支持双数据速率传输
    - 功耗: 操作电流典型值为 150mA(DDR3-1333)
    - 封装: FBGA 封装,共 176 引脚
    - 延迟时间: CL=6/7/8/9/10/11

    产品特点和优势


    W632GG8NB 的核心优势在于其卓越的数据处理能力和能效比。通过采用先进的半导体工艺技术,该芯片能够在较低的工作电压下实现高效的内存访问速度。此外,其内置的多用途寄存器(MPR)功能支持多种测试模式,便于调试和质量保证。在功耗管理方面,该芯片支持动态 ODT 和深度节能模式,显著降低了系统整体能耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器: 用于数据库查询和缓存加速
    - 网络通信: 支持高速数据交换和处理
    - 嵌入式系统: 提供实时数据存储和访问
    使用建议:
    - 在设计时需确保电源供应稳定,避免电压波动影响性能。
    - 根据具体应用场景合理配置时序参数,如 CAS 延迟和预充电时间。
    - 对于高密度应用场景,建议采用多通道并行操作以提升系统吞吐量。

    兼容性和支持


    W632GG8NB 完全符合 JEDEC 标准,并且与主流 DDR3 控制器和主机板具有良好的兼容性。制造商提供全面的技术支持服务,包括硬件评估、软件开发套件以及长期维护计划,帮助客户快速集成到现有系统中。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 初始化失败 | 检查电源电压是否符合规范 |
    | 数据读写错误 | 调整 CAS 延迟设置 |
    | 温度过高导致性能下降 | 加强散热措施 |

    总结和推荐


    综上所述,W632GG8NB 是一款兼具高性能和高可靠性的 DDR3 内存解决方案。其在功耗优化、多功能支持及兼容性方面的表现尤为突出。对于需要大容量、高速度存储的应用场景,我们强烈推荐此产品。不过,在选择之前,请务必根据具体项目需求评估其技术参数与成本效益。

W632GG8NB11I参数

参数
最小工作供电电压 1.425V
组织 256 M x 8
数据总线宽度 8bit
接口类型 Parallel
存储容量 2Gb (256M x 8)
最大供电电流 -
最大时钟频率 933MHz
最大工作供电电压 1.575V
通用封装 VFBGA-78
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

W632GG8NB11I数据手册

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W632GG8NB11I封装设计

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